公开(公告)号：CN102187464A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980138316.4

申请日：2009-10-06

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 岩永健介 ,  横山诚一 ,  桥本英喜 ,  野中贤一 ,  佐藤雅 ,  露口士夫

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种在p型SiC半导体上具有Ni/Ti/Al积层结构的电阻性电极的半导体装置，它是一种可以同时优化所述电阻性电极的接触阻抗与面粗度(表面的粗糙程度)两种特性的半导体装置。该半导体装置具有积层结构的电阻性电极(18)，该积层结构的电阻性电极(18)是由在p型碳化硅半导体区域(13)上以镍(Ni)层(21)、钛(Ti)层(22)、铝(Al)层(23)的顺序积层形成的。该电阻性电极(18)包含14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素以及35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。

公开(公告)号：CN102187464B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN200980138316.4

申请日：2009-10-06

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 岩永健介 ,  横山诚一 ,  桥本英喜 ,  野中贤一 ,  佐藤雅 ,  露口士夫

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种在p型SiC半导体上具有Ni/Ti/Al积层结构的电阻性电极的半导体装置，它是一种可以同时优化所述电阻性电极的接触阻抗与面粗度(表面的粗糙程度)两种特性的半导体装置。该半导体装置具有积层结构的电阻性电极(18)，该积层结构的电阻性电极(18)是由在p型碳化硅半导体区域(13)上以镍(Ni)层(21)、钛(Ti)层(22)、铝(Al)层(23)的顺序积层形成的。该电阻性电极(18)包含14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素以及35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。

公开(公告)号：CN1838428A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610065386.X

申请日：2006-03-23

Applicant: 新电元工业株式会社 ,  本田技研工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  西川恒一 ,  福田祐介 ,  清水正章 ,  佐藤雅 ,  岩黑弘明 ,  野中贤一

IPC: H01L29/00

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068

Abstract: 碳化硅半导体器件。一种半导体器件，包括：绝缘膜；第一半导体层，其具有第一导电型4H－SiC的第一主要成分；以及第二半导体层，其具有第二导电型4H－SiC的第二主要成分。所述第二半导体层具有与所述第一半导体层的pn结。该pn结具有结边缘。所述第一半导体层和第二半导体层进一步包含局部区域，所述局部区域包含所述结边缘。所述局部区域具有与所述钝化膜相接的第一主平面。所述第一主平面的法线从第一轴[0001]或者[000－1]向第二轴 倾斜在25度到45度范围内的第一倾角。

公开(公告)号：CN102132388A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980133246.3

申请日：2009-08-25

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 根来佑树 ,  堀内明彦 ,  岩永健介 ,  横山诚一 ,  桥本英喜 ,  野中贤一 ,  前山雄介 ,  佐藤雅 ,  清水正章

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L29/73 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/732 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66295 ,  H01L29/66416 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/8613 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种降低双极型晶体管的表面态(即表面能级)密度、提高其电流增幅率，从而提高晶体管的性能的双极型半导体装置。双极型半导体装置(100)的半导体元件表面具有表面保护膜(30)，该表面保护膜由在半导体元件表面上形成的热氧化膜(31)和在热氧化膜上形成的堆积氧化膜(32)构成。所述堆积氧化膜中包含的氢元素或氮元素中，至少有一种在1018cm-3以上。