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公开(公告)号：CN102187464B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200980138316.4
申请日：2009-10-06
Applicant: 本田技研工业株式会社 , 新电元工业株式会社
IPC: H01L29/43 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/0485 , H01L21/28512 , H01L23/485 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种在p型SiC半导体上具有Ni/Ti/Al积层结构的电阻性电极的半导体装置，它是一种可以同时优化所述电阻性电极的接触阻抗与面粗度(表面的粗糙程度)两种特性的半导体装置。该半导体装置具有积层结构的电阻性电极(18)，该积层结构的电阻性电极(18)是由在p型碳化硅半导体区域(13)上以镍(Ni)层(21)、钛(Ti)层(22)、铝(Al)层(23)的顺序积层形成的。该电阻性电极(18)包含14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素以及35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。
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公开(公告)号：CN1838435A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610065381.7
申请日：2006-03-23
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L29/808 , H01L21/337
CPC classification number: H01L29/7722 , Y10S438/931
Abstract: 结型半导体装置及其制造方法。本发明的结型半导体装置具有：由形成于半导体晶体的一个面上的第一导电型的低电阻层构成的漏区(11)；由形成于半导体晶体的另一面上的第一导电型的低电阻层构成的源区(12)；形成于源区(12)周围的第二导电型的栅区(13)；以及源区(12)和漏区(11)之间的第一导电型的高电阻层(14)。在栅区(13)和源区(12)之间的半导体晶体的表面附近设有第二导电型的复合抑制半导体层(16)。
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公开(公告)号：CN102187464A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980138316.4
申请日：2009-10-06
Applicant: 本田技研工业株式会社 , 新电元工业株式会社
IPC: H01L29/43 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/0485 , H01L21/28512 , H01L23/485 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种在p型SiC半导体上具有Ni/Ti/Al积层结构的电阻性电极的半导体装置，它是一种可以同时优化所述电阻性电极的接触阻抗与面粗度(表面的粗糙程度)两种特性的半导体装置。该半导体装置具有积层结构的电阻性电极(18)，该积层结构的电阻性电极(18)是由在p型碳化硅半导体区域(13)上以镍(Ni)层(21)、钛(Ti)层(22)、铝(Al)层(23)的顺序积层形成的。该电阻性电极(18)包含14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素以及35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。
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公开(公告)号：CN102097462A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010532941.1
申请日：2010-10-21
Applicant: 本田技研工业株式会社 , 新电元工业株式会社
IPC: H01L29/73 , H01L29/06 , H01L21/04 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7322 , H01L29/0804 , H01L29/1608 , H01L29/41708 , H01L29/66068 , H01L29/66272
Abstract: 本发明提供一种可以通过简单的流程进行生产、成品率高、具有较高电流放大率的双极型半导体装置。双极晶体管10具有：在半导体结晶基板9的一面形成的由n型低阻抗层构成的集电区11、设置在集电区上的n型的第1高阻抗区12、设置在第1高阻抗区上的p型基区13、在半导体结晶板的另一面形成的n型低阻抗的发射区14、在发射区与基区之间设置为与发射区相接触的n型第2高阻抗区15、设置在第2高阻抗区周围并与其接触的n型复合抑制区17、以及与复合抑制区接邻设置并与基区接合的p型低阻抗基极接触区16，第2高阻抗区15及复合抑制区17的杂质浓度分别在1×1017cm-3以下。
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公开(公告)号：CN1909191A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610108343.5
申请日：2006-08-02
Applicant: 本田技研工业株式会社 , 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/266 , H01L21/337 , H01L29/80
CPC classification number: H01L29/8083 , H01L21/0465 , H01L21/266 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , Y10S438/931
Abstract: 本发明披露了一种离子注入掩模(10)的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体基材(11)的整个表面上形成作为保护膜的氧化物膜(12)；在所述氧化物膜(12)上形成金属薄膜(13)；在所述金属薄膜(13)上形成由离子阻止性金属构成的离子阻止层(14)。所得的离子注入掩模(10)可以用来形成较深的选择性导电区域。
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公开(公告)号：CN119447549A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410963007.7
申请日：2024-07-18
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01M10/54
Abstract: 提供正极体回收装置，能从电极卷绕体高效回收正极体。正极体回收装置具备分离单元，分离单元将从电极卷绕体拉出的拉出状态的电极体分离为正极体和包含负极体及隔膜的负极层叠体，分别输送正极体和负极层叠体，分离单元具有：保持部，其保持拉出状态的电极体中的正极体及负极层叠体的一方即第一分离对象比另一方即第二分离对象向电极体的拉出方向伸出的区域即伸出区域，该保持部以第二分离对象的前端部包含于拉出状态的电极体的方式保持伸出区域；按压部，其在拉出方向上比保持部靠上游侧的位置从厚度方向上的第一分离对象侧按压拉出状态的电极体，使第二分离对象的前端部从第一分离对象剥离；接收部，其接收从第一分离对象剥离的第二分离对象。
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公开(公告)号：CN116656948A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310136083.6
申请日：2023-02-20
Applicant: 日本重化学工业株式会社 , 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种非水电解液二次电池的正极的处理方法，其能够以低成本降低金属材料中的磷(P)，以及提供一种从金属复合氧化物回收有价金属的方法，其能够以低成本回收杂质被降低的有价金属。本发明的非水电解液二次电池的正极的处理方法为对非水电解液二次电池的正极进行处理的方法，所述正极具有含有Al的箔和作为含有Ni和/或Co的金属复合氧化物的活性物质，该方法包括：添加工序(S11)，向所述正极添加含有Ni和/或Co的氧化物作为氧化剂；以及熔融工序(S12)，通过对添加了所述氧化剂的所述正极进行熔融，从而氧化除去所述正极中含有的P，得到含有Ni和/或Co的金属材料。
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公开(公告)号：CN101136350A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710147771.3
申请日：2007-08-28
Applicant: 新电元工业株式会社 , 本田技研工业株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67103 , H01L21/68721 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , Y10T29/49117 , Y10T29/49124
Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法、工具和装置。这种制造半导体器件的方法包括：通过使用接合度增加机构，增加作为加热件的基座和放置在该基座上的半导体基板之间的接合度，或通过使用传热增加机构，增加传递至放置在作为加热件的基座上的半导体基板的热量；以及通过加热所述基座将所述半导体基板加热到具有预定温度。所述接合度增加机构可以包括所述基座和以下其一：放置在所述半导体基板上的重石、放置在所述半导体基板上且与所述基座啮合的盖子，以及设置在所述基座与所述半导体基板之间的粘合层。所述传热增加机构可以包括所述基座和放置在所述半导体基板上且具备辐射光吸收能力的小片。所述基座能够支承呈堆叠形式的多个半导体基板。
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公开(公告)号：CN115917835A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180051262.9
申请日：2021-07-28
Applicant: 日本重化学工业株式会社 , 本田技研工业株式会社
IPC: H01M10/54
Abstract: 本发明提供一种能够以低成本促进正极的还原反应的非水电解液二次电池的正极的处理方法。非水电解液二次电池的正极的处理方法是对具有下述正极的非水电解液二次电池的正极的处理的方法，所述正极具有含Al的箔和作为金属复合氧化物的活性物质，所述方法包括：加热工序(S11)，进行加热正极的加热处理；熔融工序(S12)，利用箔和活性物质的反应热来熔融正极以得到熔融物；以及分离工序(S13)，将熔融物分离为含有构成金属复合氧化物的金属的金属材料和熔渣。通过对正极进行加热处理，能够以低成本促进正极的还原反应。
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公开(公告)号：CN100499051C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610065382.1
申请日：2006-03-23
Applicant: 本田技研工业株式会社 , 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/337
CPC classification number: H01L29/7722
Abstract: 结型半导体装置的制造方法。该结型半导体装置的制造方法由以下工序构成：第一高电阻层形成工序；沟道掺杂层形成工序；第二高电阻层形成工序；形成作为源区的第一导电型的低电阻层(34)的工序；进行局部刻蚀直至低电阻层(34)和第二高电阻层(33)的中途深度的工序；在刻蚀工序中刻蚀后的部分的下部形成栅区(G)的工序；以及在栅区(G)和源区之间的区域的表面形成保护膜(38)的工序。在预先刻蚀到了源区下面和沟道掺杂层的上面之间的高度的面上，使用较低能量的离子注入来形成栅区。
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