两面挠性覆铜叠层基板及带载体的所述基板的制造方法

    公开(公告)号:CN101396895A

    公开(公告)日:2009-04-01

    申请号:CN200710161379.4

    申请日:2007-09-28

    Abstract: 一种两面挠性覆铜叠层基板的制造方法,其是在两面上具有极薄铜箔的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法,上述极薄铜箔是从在载体上通过剥离层形成极薄铜箔的带载体的极薄铜箔上,剥离上述载体而形成的。该法包括:在上述带载体的极薄铜箔的极薄铜箔表面上形成聚酰亚胺树脂层,得到带载体的单面挠性覆铜叠层基板的工序;对另外的上述带载体的极薄铜箔实施退火处理的工序;把上述退火处理后的带载体的极薄铜箔,使载体作为外侧,在上述带载体的单面挠性覆铜叠层基板的聚酰亚胺树脂层的表面上层叠,得到带载体的两面挠性覆铜叠层基板的工序;从上述带载体的两面挠性覆铜叠层基板上剥离上述载体,得到上述两面挠性覆铜叠层基板的工序。

    挠性覆铜叠层板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1678166A

    公开(公告)日:2005-10-05

    申请号:CN200510059582.1

    申请日:2005-03-30

    Abstract: 铜箔的厚度不变薄,在制造覆铜叠层板时,操作简单,成型后的柔软性高,弯曲性良好及应力松弛性明显的挠性覆铜叠层板。该挠性覆铜叠层板,是经热处理工序,使铜箔层形成在聚酰亚胺层的一侧或者两侧而得到的,其中的铜箔层在热处理前的弹性率是50~80GPa,热处理前的弹性率(p2)和300℃以上热处理后的弹性率(p3)之比(p2/p3)是3.5~5.5。

    挠性覆铜叠层板及其制造方法

    公开(公告)号:CN100521866C

    公开(公告)日:2009-07-29

    申请号:CN200510059582.1

    申请日:2005-03-30

    Abstract: 铜箔的厚度不变薄,在制造覆铜叠层板时,操作简单,成型后的柔软性高,弯曲性良好及应力松弛性明显的挠性覆铜叠层板。该挠性覆铜叠层板,是经热处理工序,使铜箔层形成在聚酰亚胺层的一侧或者两侧而得到的,其中的铜箔层在热处理前的弹性率是50~80GPa,热处理前的弹性率(p2)和300℃以上热处理后的弹性率(p3)之比(p2/p3)是3.5~5.5。

    COF基板用层合体的制造方法

    公开(公告)号:CN100468675C

    公开(公告)日:2009-03-11

    申请号:CN200580041088.0

    申请日:2005-12-13

    Abstract: 本发明提供可以透过绝缘层识别驱动器IC芯片的配线,同时导体与绝缘层之间的粘接力高,耐电迁移性优异,可以进行例如30μm间距以下的微细加工的层合体及其制造方法。本发明涉及COF基板用层合体,是在由导电性金属箔形成的导体的一个面上形成了由绝缘性树脂形成的绝缘层的COF基板用层合体,其中导体的厚度为1~8μm,导体的与绝缘层相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下,并且导体的与绝缘层不相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下,此外,本发明还涉及COF基板用层合体的制造方法,其中在具有至少10μm以上的厚度并且一个面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下的导电性金属箔的该面上形成绝缘层,对与该绝缘层不相接的导电性金属箔的面进行化学抛光从而使该导电性金属箔的厚度为1~8μm,同时使表面粗糙度Rz为1.0μm以下而形成导体。

    两面挠性覆铜叠层基板及带载体的所述基板的制造方法

    公开(公告)号:CN101396895B

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN200710161379.4

    申请日:2007-09-28

    Abstract: 一种两面挠性覆铜叠层基板的制造方法,其是在两面上具有极薄铜箔的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法,上述极薄铜箔是从在载体上通过剥离层形成极薄铜箔的带载体的极薄铜箔上,剥离上述载体而形成的。该法包括:在上述带载体的极薄铜箔的极薄铜箔表面上形成聚酰亚胺树脂层,得到带载体的单面挠性覆铜叠层基板的工序;对另外的上述带载体的极薄铜箔实施退火处理的工序;把上述退火处理后的带载体的极薄铜箔,使载体作为外侧,在上述带载体的单面挠性覆铜叠层基板的聚酰亚胺树脂层的表面上层叠,得到带载体的两面挠性覆铜叠层基板的工序;从上述带载体的两面挠性覆铜叠层基板上剥离上述载体,得到上述两面挠性覆铜叠层基板的工序。

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