公开(公告)号：CN115116921A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210258782.3

申请日：2022-03-16

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 小泉直幸 ,  清水和纪 ,  小林健太郎

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种静电吸盘和基板固定装置，该静电吸盘包括：陶瓷板；吸附电极，其内置于陶瓷板中；以及多个连接焊盘，其内置于陶瓷板中以与吸附电极电连接。连接焊盘呈阶梯式布置。

公开(公告)号：CN1489186A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03155782.1

申请日：2003-09-02

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 小泉直幸

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体芯片(500)及其制造方法。按本制造方法，对半导体单晶片(100)的切掉部分进行等向蚀刻及异向蚀刻，在半导体单晶片中形成沟(110，120，130)。靠这些沟，半导体单晶片被切块，无须使用任何切割刀片。而且可形成其缘部及拐角被倒角的半导体芯片。根据本制造方法，可缩短制造时间，而且可提高集成度及半导体芯片成品率。

公开(公告)号：CN1467797A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03141318.8

申请日：2003-06-10

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 小泉直幸 ,  真篠直宽 ,  栗原孝

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6838 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2924/3025

Abstract: 一种微半导体元件的制造方法，包括以下步骤：借助保护膜22将具有电路面和背面的半导体晶片10粘附到支撑板20，以使电路面面向保护膜；减小半导体晶片的厚度同时由支撑板支撑半导体晶片；将半导体晶片切割成各半导体元件10a，同时半导体晶片粘附到保护膜；以半导体元件的背面粘附到剥离膜的方式将半导体元件由保护膜移动到粘结剥离膜26；通过支撑环28支撑剥离膜的周边；以及当通过上推销30借助剥离膜上推半导体元件的背面时，通过吸嘴36拾取各半导体元件。

公开(公告)号：CN115241112A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210387754.1

申请日：2022-04-13

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 小林博幸 ,  小泉直幸 ,  立岩昭彦

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种静电吸附部件和基板固定装置，该静电吸附部件包括：电介质部件，其具有第一表面以及与第一表面相反的第二表面，并且形成有从第一表面穿透到第二表面的通孔；以及多孔体，其设置在通孔中，并且具有与第一表面齐平的第三表面。通孔具有在垂直于第一表面的第一方向上与第一表面间隔开第一距离的第一开口，以及在第一方向上与第一表面间隔开大于第一距离的第二距离的第二开口。在沿第一方向俯视时，第一开口的至少一部分位于第二开口内，并且多孔体具有位于第一开口内的第一部分以及连接到第一部分并且位于第一开口外的第二部分。

公开(公告)号：CN100355030C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN03155782.1

申请日：2003-09-02

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 小泉直幸

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体芯片(500)及其制造方法。按本制造方法，对半导体晶片(100)的切掉部分进行各向同性蚀刻及各向异性蚀刻，在半导体晶片中形成沟(110，120，130)。靠这些沟，半导体晶片被切块，无须使用任何切割刀片。而且可形成其缘部及拐角被倒角的半导体芯片。根据本制造方法，可缩短制造时间，而且可提高集成度及半导体芯片成品率。