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公开(公告)号：CN1784842B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200480012311.4
申请日：2004-05-10
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 卡尔潘都·夏斯特里 , 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 威普库马·帕特尔 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 索哈姆·帕塔克 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
IPC: H04B10/04
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/0121 , G02F1/225 , G02F2001/0152 , H04B10/505 , H04B10/58
Abstract: 一个实现开关速度大于1Gb/s电-光调制器装置使用预加重脉冲加快用于形成电-光调制器的光波导的折射率的变化。在一个实施例中，可以添加反馈回路以便使用一部分调制的光输出信号来调整预加重脉冲的幅度和持续时间，以及用于调制的各个参考电平。对于包括硅基电-光调制器的基于自由载体的电-光调制器，在输入信号数据值之间转换时预加重脉冲用来加快自由载体的运动。
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公开(公告)号：CN100570386C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200580011617.2
申请日：2005-03-08
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 索哈姆·帕塔克 , 大卫·佩德 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种用于在绝缘体硅(SOI)晶片结构中形成的光电器件的晶片级测试装置，其使用单光电测试元件来执行光和电测试。波束调向光学器件可在所述测试元件上形成，且用于帮助光探针信号和光耦合元件(例如棱镜耦合器、光栅)间的耦合，所述光耦合器件在所述SOI结构的顶部表面上形成。光测试信号此后被导引到在所述SOI结构的顶层中形成的光波导中。所述光电测试元件还包括多个电测试管脚，其放置成与所述光电器件上的多个焊接点测试位置接触，以及用于执行电测试操作。光测试信号结果可在所述SOI结构内转换成电表示，因此作为电信号返回到所述测试元件。
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公开(公告)号：CN100407378C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200480008858.7
申请日：2004-03-30
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司 , 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 威普库马·帕特尔 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 索哈姆·帕塔克 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
Inventor： 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 威普库马·帕特尔 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 索哈姆·帕塔克 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明涉及一种光电检测器，其具有在绝缘衬底上外延硅(SOI)结构上形成的相对较薄(亚微米)的硅质光波导管，上述SOI结构包含一层多晶锗层，所设置的多晶锗层用于耦合至少部分沿着硅光波导管传播的光信号。光信号被严格限定在波导结构中，使得能够有效地迅速衰减耦合到多晶锗检测器中。硅质光波导可以包含任何所希望的几何形状，多晶锗检测器或者覆盖部分波导管，或者对接耦合到波导管的一端部。在覆盖部分波导管时，多晶锗检测器可以包含“包裹覆盖”的形状来覆盖光波导管的侧面和顶面，并在检测器的相对的两端上形成电接点。
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公开(公告)号：CN1788217A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200480011388.X
申请日：2004-04-28
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 马格利特·吉龙 , 普拉卡什·约托斯卡 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 索哈姆·帕塔克 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/34 , G02B6/4206 , G02B26/0833
Abstract: 一种用于多波长光信号的光学耦合系统，在自由空间光束和SOI结构内很薄的表面层(“SOI”层)之间提供增强的耦合效率，允许在预定波长范围内获得足够的耦合效率(大于50％)。设在耦合棱镜和SOI层之间的倏逝耦合层特别构造为来增强耦合效率。在一个实施例中，倏逝层的厚度减小到低于单一波长的最佳值，减小的厚度在确定中心波长的预定波长范围内增强了耦合效率。可选择地，可以使用锥形厚度的倏逝耦合层来增强耦合效率(或组合使用减小厚度和锥形配置)。可以将光束控制和改进的倏逝耦合层组合使用来控制输入光束的发射角并进一步增强耦合效率。
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公开(公告)号：CN1768416A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200480008858.7
申请日：2004-03-30
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司 , 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 威普库马·帕特尔 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 索哈姆·帕塔克 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
Inventor： 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 威普库马·帕特尔 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 索哈姆·帕塔克 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明涉及一种光电检测器，其具有在绝缘衬底上外延硅(SOI)结构上形成的相对较薄(亚微米)的硅质光波导管，上述SOI结构包含一层多晶锗层，所设置的多晶锗层用于耦合至少部分沿着硅光波导管传播的光信号。光信号被严格限定在波导结构中，使得能够有效地迅速衰减耦合到多晶锗检测器中。硅质光波导可以包含任何所希望的几何形状，多晶锗检测器或者覆盖部分波导管，或者对接耦合到波导管的一端部。在覆盖部分波导管时，多晶锗检测器可以包含“包裹覆盖”的形状来覆盖光波导管的侧面和顶面，并在检测器的相对的两端上形成电接点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1764863A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200480007925.3
申请日：2004-03-23
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 马格利特·吉龙 , 普拉卡什·约托斯卡 , 威普库马·帕特尔 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 索哈姆·帕塔克 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
CPC classification number: G02F1/025 , G02B2006/12142 , G02B2006/12159 , G02F1/2257
Abstract: 基于形成来部分覆盖第二导电性类型的体区域的第一导电性的栅区域的硅基电光调制器(30)，具有在栅区域和体区域(12，10)的接触部分之间插入的相对较薄电介质层(10)。调制器可以在SOI平台形成，在SOI结构的相对较薄的硅表面层中形成体区域并且用覆盖SOI结构的相对较薄的硅层(10)形成栅区域。控制栅区域和体区域的掺杂用以在电介质层的上面和下面形成轻掺杂区域，从而定义了器件(16)的有源区域。有利的是，在该有源器件区域中光电场基本与自由载流子浓度区域一致。从而调制信号的应用引起电介质层两侧的自由载流子同时积累，耗尽或者反型，产生高速的工作。
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公开(公告)号：CN100440522C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200480033897.2
申请日：2004-11-17
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 威普库马·帕特尔 , 马格利特·吉龙 , 普拉卡什·约托斯卡 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 索哈姆·帕塔克 , 大卫·佩德 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
IPC: H01L27/14 , H01L31/0232 , H01L31/00 , H01L31/06
CPC classification number: H01L31/108 , G02B6/12004 , G02B6/1228 , H01L31/022408 , H01L31/0232 , H01L31/03921 , H01L31/153 , Y02E10/50
Abstract: 通过在一光波导的一部分上设置一含金属的条(优选地，为硅化物)，一种硅基红外(IR)光检测器被形成在硅绝缘体(silicon-on-insulator，SOI)结构内，其中所述光波导形成在所述SOI结构的一个平面硅表层(即，“平面SOI层”)内，所述平面SOI层的厚度小于一微米。由于所述基于SOI的结构具有相对较低的暗电流，并且能够采用相对较小的表面硅化物条收集光电流，所述光检测器可以在室温下工作。根据需要，所述平面SOI层可以掺杂，并且所述硅化物条的几何结构可以进行改进，以获得相对于现有技术的硅基光检测器改进的结果。
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公开(公告)号：CN1784842A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200480012311.4
申请日：2004-05-10
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 卡尔潘都·夏斯特里 , 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 威普库马·帕特尔 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 索哈姆·帕塔克 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
IPC: H04B10/04
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/0121 , G02F1/225 , G02F2001/0152 , H04B10/505 , H04B10/58
Abstract: 一个实现开关速度大于1Gb/s电－光调制器装置使用预加重脉冲加快用于形成电－光调制器的光波导的折射率的变化。在一个实施例中，可以添加反馈回路以便使用一部分调制的光输出信号来调整预加重脉冲的幅度和持续时间，以及用于调制的各个参考电平。对于包括硅基电－光调制器的基于自由载体的电－光调制器，在输入信号数据值之间转换时预加重脉冲用来加快自由载体的运动。
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公开(公告)号：CN1784781A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200480010727.2
申请日：2004-04-21
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 威普库马·帕特尔 , 马格利特·吉龙 , 普拉卡什·约托斯卡 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 索哈姆·帕塔克 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
IPC: H01L21/76
Abstract: 使用传统的CMOS制造技术，在共同SOI结构上集成无源光设备和带有标准CMOS电设备的有源光电设备。电设备和光设备共有SOI层表面(相对薄的单晶硅层)，并在SOI层上形成多种所需的半导体层。某些情况下，可以使用一组工艺步骤在电设备和光设备上同时形成区。有利地是，使用相同的金属化工艺为电设备和有源光电设备提供电连接。
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公开(公告)号：CN1771446A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200480009670.4
申请日：2004-04-12
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 马格利特·吉龙 , 普拉卡什·约托斯卡 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 索哈姆·帕塔克 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
IPC: G02B6/26
Abstract: 本文描述了一种获得并保持光从输入和输出自由空间光学器件到亚微米厚度高折射率波导的高效率传输的实际实现方法。讨论了所需的光学元件和制造、校准和组装这些元件的方法。依照优选实施例的上下文讨论了在装置工作参数的现实范围内可靠地保持高耦合效率。
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