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公开(公告)号：CN105593747B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201480044900.4
申请日：2014-06-09
Applicant: 光电网股份有限公司
Inventor： 黄莹彦
CPC classification number: G02F1/025 , G02B6/12002 , G02B6/1225 , G02B6/1228 , G02B2006/12142 , G02F1/015 , G02F1/01708 , G02F1/17 , G02F1/19 , G02F2001/0152 , G02F2001/0154 , G02F2001/0157
Abstract: 本发明关注能够具有极低调制电压、宽调制带宽、装置插入的低光学功率损耗以及极小装置大小的集成光学强度或相位调制器。此些调制器可为电光或电吸收类型，由具体来说适当的电光或电吸收材料或一般来说称为活性材料的材料制成。用于实现光束模式与活性电活性区之间的高重叠的高效光学波导结构产生减少的调制电压。在实施例中，通过半导体调制器装置结构连同作为电光或电吸收材料的活性半导体材料一起实现超低调制电压、高频响应和极紧凑的装置大小，所述材料适当地掺杂有载流子以大体上降低调制器电压且仍维持高频响应。在另一实施例中，高效光学耦合结构进一步实现低光学损耗。组合的各种实施例使得调制器能够达到与现有技术中先前可能的情况相比更低的电压、更高的频率、低光学损耗和更紧凑的大小。
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公开(公告)号：CN108072985A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711135417.9
申请日：2017-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/015
CPC classification number: G02F1/292 , G01S7/4817 , G02F2202/20 , G02F2202/30 , G02F1/015 , G02F2001/0152
Abstract: 本发明提供一种二维(2D)光调制器件以及包括该2D光调制器件的激光雷达装置。该2D光调制器件可以包括多个相位调制元件和电路板。该多个相位调制元件可以包括具有纳米结构的超表面。该电路板可以包括配置为独立地控制分别传输到所述多个相位调制元件的电信号的多个像素电路单元。该多个像素电路单元的每个可以包括晶体管和电容器。
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公开(公告)号：CN105487263B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510387070.1
申请日：2015-06-30
Applicant: 硅光电科技股份有限公司
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/2257 , G02F2001/0152 , G02F2001/212
Abstract: 本发明公开了光电器件的各种结构及其制造方法。光电器件可包括硅基脊型波导调制器，所述硅基脊型波导调制器可包括第一顶部硅层，第二顶部硅层和薄栅介质层。所述第一顶部硅层包括第一掺杂区，所述第一掺杂区至少部分地用第一导电型掺杂剂进行掺杂；所述第二顶部硅层包括第二掺杂区，所述第二掺杂区至少部分地用第二导电型掺杂剂进行掺杂；所述薄栅介质层设于所述第一顶部硅层和第二顶部硅层之间。所述第二掺杂区至少部分在所述第一掺杂区的正上方。所述调制器也可包括形成于所述第二顶部硅层上的脊型波导、形成于所述第一顶部硅层上的第一电触头、和形成于所述第二顶部硅层上的第二电触头。
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公开(公告)号：CN105474077A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201380078233.7
申请日：2013-10-22
Applicant: 科锐安先进科技有限公司
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/01 , G02F1/011 , G02F1/015 , G02F1/035 , G02F1/0353 , G02F1/0356 , G02F1/2257 , G02F2001/0113 , G02F2001/0152
Abstract: 本发明涉及新颖的移相器设计，它用于基于载流子耗尽机制的硅调制器，且它基于经过实验验证的模型。目前已经相信，以前被忽视的不完全电离的效果会对超敏感(ultra-responsive)移相器具有重大影响。预期将会观察到与值为20dB/cm的低传播损耗相关的值为0.3V·cm的低VπL乘积。所述移相器基于如下的重叠注入步骤：在这些步骤中，剂量和能量被仔细地选择以便利用反向掺杂来产生S形的结。这个结在实现了令人关注的低电容和低光学损耗的同时，还具有特别令人关注的VπL品质因数。这一改进将使得能够构建出明显更小的马赫-曾德尔调制器，但是该调制器依然会具有低的驱动电压且插入损耗显著降低。本发明所涉及的制造工艺的复杂程度最小；特别地，不需要高分辨率光刻步骤。
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公开(公告)号：CN105378548A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480000267.9
申请日：2014-03-31
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/015 , G02F2001/0152
Abstract: 一种掺杂结构及其制作方法、电光调制器，用于解决现有电光调制器使用的掺杂结构中，光模场所在区域中没有与载流子耗散区重合的区域，会带来额外的吸收损耗的问题。掺杂结构包括第一掺杂区域(101)、第二掺杂区域(102)、第三掺杂区域(103)和第四掺杂区域(104)；其中，第一掺杂区域(101)与第二掺杂区域(102)邻接；第二掺杂区域(102)与第三掺杂区域(103)邻接以形成PN结耗散区(106)；第三掺杂区域(103)与第四掺杂区域(104)邻接；PN结耗散区(106)包括多个依次排列的U型结构，且相邻的U型结构的开口方向相反；其中，至少一个U型结构内包括无掺杂的本征区(105)。由于无掺杂的本征区(105)的存在，使得光波通过该PN结耗散区(106)之外的掺杂区域的距离很短，大大降低了吸收损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101622570B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200780051941.6
申请日：2007-10-30
Applicant: 朗讯科技公司
Inventor： 道格拉斯·M·吉尔 , 克里斯托弗·DW·琼斯 , 桑贾伊·尚蒂拉尔·帕特尔 , 马哈茂德·拉斯拉斯 , 尼尔斯·京特·魏曼
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2001/0152
Abstract: 本发明提供了一种光波导调制器。在一个实施例中，光波导调制器包括：半导体平面光波导芯；以及掺杂半导体连接路径，与芯的相对侧相邻并能够在芯两端施加电压。光波导芯和连接路径形成具有背对背PN半导体结的结构。在另一实施例中，光波导调制器包括：包括脊形部分在内的半导体光波导芯，其中，有至少一个PN半导体结位于脊形部分中。光波导调制器还包括：一个或多个掺杂半导体连接路径，横向邻近脊形部分并能够向脊形部分施加电压。
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公开(公告)号：CN102033332A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010294306.4
申请日：2010-09-21
Applicant: 英特尔公司
IPC: G02F1/015 , H01L29/94 , H01L21/334
CPC classification number: H01L29/94 , G02F1/025 , G02F2001/0152 , G02F2202/105 , H01L21/76254 , H01L29/66181
Abstract: 利用晶片键合技术的光调制器。一种方法的实施例包括：蚀刻绝缘体上硅(SOI)晶片以在所述SOI晶片的第一表面上制造硅波导结构的第一部分，以及制备第二晶片，所述第二晶片包括晶体硅层，所述第二晶片包括晶体硅的第一表面。该方法还包括：利用晶片键合技术将具有薄氧化物的所述第二晶片的所述第一表面键合到所述SOI晶片的所述第一表面，其中在所述晶体硅层中蚀刻所述硅波导结构的第二部分。
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公开(公告)号：CN101622570A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200780051941.6
申请日：2007-10-30
Applicant: 朗讯科技公司
Inventor： 道格拉斯·M·吉尔 , 克里斯托弗·DW·琼斯 , 桑贾伊·尚蒂拉尔·帕特尔 , 马哈茂德·拉斯拉斯 , 尼尔斯·京特·魏曼
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2001/0152
Abstract: 本发明提供了一种光波导调制器。在一个实施例中，光波导调制器包括：半导体平面光波导芯；以及掺杂半导体连接路径，与芯的相对侧相邻并能够在芯两端施加电压。光波导芯和连接路径形成具有背对背PN半导体结的结构。在另一实施例中，光波导调制器包括：包括脊形部分在内的半导体光波导芯，其中，有至少一个PN半导体结位于脊形部分中。光波导调制器还包括：一个或多个掺杂半导体连接路径，横向邻近脊形部分并能够向脊形部分施加电压。
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公开(公告)号：CN1922533A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005531.9
申请日：2005-02-02
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 迈克尔·萨利卜
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/011 , G02F1/1365 , G02F2001/0152 , G02F2202/104 , G02F2202/105 , G02F2202/32
Abstract: 用于通过调制光子晶体晶格的光子带隙来调制光束的装置和方法。在一个实施方案中，根据本发明的实施方案的装置包括第一半导体材料103中的光子晶体晶格。第一半导体材料103具有在第一半导体材料中被限定的多个孔107。所述多个孔以限定所述光子晶体晶格的孔节距和孔半径被周期性地排列在第一半导体材料103中。所述装置还包括第二半导体材料区域419和电荷调制区域，所述第二半导体材料区域419被设置为靠近在第一半导体材料103中被限定的多个孔107的各个内表面并且与其绝缘，所述电荷调制区域在第二半导体材料区域419中被调制。光束被引导通过光子晶体晶格，并且响应于光子晶体晶格的被调制的有效光子带隙而被调制。有效光子带隙响应于电荷调制区域而被调制。
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公开(公告)号：CN105378548B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201480000267.9
申请日：2014-03-31
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/015 , G02F2001/0152
Abstract: 一种掺杂结构及其制作方法、电光调制器，用于解决现有电光调制器使用的掺杂结构中，光模场所在区域中没有与载流子耗散区重合的区域，会带来额外的吸收损耗的问题。掺杂结构包括第一掺杂区域(101)、第二掺杂区域(102)、第三掺杂区域(103)和第四掺杂区域(104)；其中，第一掺杂区域(101)与第二掺杂区域(102)邻接；第二掺杂区域(102)与第三掺杂区域(103)邻接以形成PN结耗散区(106)；第三掺杂区域(103)与第四掺杂区域(104)邻接；PN结耗散区(106)包括多个依次排列的U型结构，且相邻的U型结构的开口方向相反；其中，至少一个U型结构内包括无掺杂的本征区(105)。由于无掺杂的本征区(105)的存在，使得光波通过该PN结耗散区(106)之外的掺杂区域的距离很短，大大降低了吸收损耗。
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