公开(公告)号：CN107548469B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201680024092.4

申请日：2016-03-10

Applicant: 梅德路米克斯有限公司

Inventor： J·L·卢比欧·吉唯尔那 ,  J·叁考·杜拉 ,  E·马伽罗·巴尔巴斯

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/28 ,  G02B6/293

CPC classification number: G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/124 ,  G02B6/2861 ,  G02B6/29331 ,  G02B6/29332 ,  G02B6/29344 ,  G02B6/29352 ,  G02B2006/12104 ,  G02B2006/12142 ,  G02B2006/12147 ,  H01S5/1028

Abstract: 给出了一种光子集成电路(100)，其包括基板(102)以及被图案化在基板(102)上的第一波导(204)和第二波导(206)。第一波导(204)引导输入辐射束。光子集成电路还包括耦合区域(208)，其中第一波导和第二波导(204，206)各自穿过耦合区域(208)。一个或多个调制元件(210)耦合到第一波导和第二波导(204，206)中的每一个。第一波导(204)和第二波导(206)分别具有第一刻面(212a)和第二刻面(212b)，并且第一反射和第二反射分别在第一波导和第二波导(204，206)内的第一刻面和第二刻面(212a，212b)处生成。耦合到第一波导和第二波导(204，206)中的每一个的所述一个或多个调制元件(210)被设计成在第一反射和第二反射穿过耦合区域(208)之前调节第一反射和第二反射的相位。

公开(公告)号：CN108886236A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780018613.X

申请日：2017-02-08

Applicant: 斯考皮欧技术有限公司

Inventor： 达米安·兰贝特

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/22 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02B6/12002 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/122 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12104 ,  G02B2006/12121 ,  G02B2006/12142 ,  G02B2006/12147 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/343 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4087 ,  H04B10/505 ,  H04J14/02

Abstract: 半导体激光器具有形成于增益芯片中的反射镜。可以将所述反射镜置于所述增益芯片中以提供宽带反射器，从而使用所述增益芯片支持多个激光器。所述反射镜也可以置于所述增益芯片中，以通过改变所述半导体激光器的增益的光程长度来使所述半导体激光器更高效或更强大。

公开(公告)号：CN108885320A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780019883.2

申请日：2017-02-08

Applicant: 斯考皮欧技术有限公司

Inventor： 李国良 ,  斯蒂芬·B·克拉苏利克 ,  S·德赛

IPC: G02B6/42 ,  G02B6/12

CPC classification number: G02B6/12002 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/122 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12104 ,  G02B2006/12121 ,  G02B2006/12142 ,  G02B2006/12147 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/343 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4087 ,  H04B10/505 ,  H04J14/02

Abstract: 400Gb/s发射机集成在硅衬底上。发射机使用四个增益芯片、十六个激光器、四个调制器以及四个多路复用器，其中四个调制器用以按25Gb/s对十六个激光器进行调制，四个多路复用器用以产生四个光输出。每个光输出可以100Gb/s的速率传输，以产生400Gb/s发射机。还描述了其他变型。

公开(公告)号：CN104898307B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201510088805.0

申请日：2015-02-26

Applicant: 富士通光器件株式会社

Inventor： 杉山昌树

IPC: G02F1/03

CPC classification number: G02F1/0121 ,  G02B6/125 ,  G02B6/132 ,  G02B6/2808 ,  G02B6/42 ,  G02B6/4246 ,  G02B2006/1204 ,  G02B2006/12142 ,  G02B2006/12159 ,  G02F1/0327 ,  G02F1/0356 ,  G02F1/2252 ,  G02F1/2255 ,  G02F2001/212

Abstract: 一种光模块包括RF引脚、在FPC上的下面行中的多个DC引脚、在上面行中的多个DC引脚、以及多个布线。在上面行中的多个DC引脚被布置成比FPC上的下面行中的多个DC引脚更靠近DC电极。多个布线从下面行中的多个DC引脚延伸穿过与RF引脚相对的侧面并到达DC电极。

公开(公告)号：CN104246561B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201380020728.4

申请日：2013-04-24

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 鹿间光太 ,  浅川修一郎 ,  荒武淳 ,  都筑健 ,  美野真司

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/30 ,  G02F1/035

CPC classification number: G02B6/30 ,  G02B6/00 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/1203 ,  G02B6/125 ,  G02B6/4267 ,  G02B2006/1204 ,  G02B2006/12119 ,  G02B2006/12142 ,  G02F1/011 ,  G02F2001/0113

Abstract: 本发明的目的是提供一种即使安装了多片集成器件，也考虑与光纤的连接而实现小型化的光模块。光模块(110)通过将使光学功能构件(112)的两端部与平面光波电路(PLC)(113a、b)连接而一体化所成的多片集成器件收容在封装体(111)中而成。在各个所述PLC形成有折返波导路(131a、b)，经由折返波导路(131a、b)而将形成于所述光学功能构件的光波导路与光纤(114a、b)连接。另外，在各个所述PLC中在同一面内连接有用于连接所述光纤的连接部件(120a、b)与所述光学功能构件，所述光纤分别被从所述封装体的对置面取出。

公开(公告)号：CN103975262A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280059786.3

申请日：2012-11-26

Applicant: 甲骨文国际公司

Inventor： I·舒彬 ,  J·E·坎宁安 ,  A·V·克里什纳莫西

IPC: G02B6/12 ,  G02F1/00 ,  G02B6/293

CPC classification number: G02B6/12004 ,  G02B6/29331 ,  G02B2006/12142

Abstract: 一种混合集成模块(100)包括面对面地机械耦合到其中衬底已被除去的集成器件(116)的半导体裸片(110)。例如，集成电路可以包括传送光信号的光波导(136)，该光波导在其中背侧的硅衬底或分选机(handler)已被完全除去的绝缘体上硅(SOI)晶片上制造。而且，光学器件(134)可以位于集成器件中氧化物层(126)(诸如掩埋的氧化物层)的底表面(130)上，并且集成器件(116)中的几何形状和材料可以选择和/或被限定成使得光信号渐逝地耦合在光波导(136)和光学器件(134)之间。

公开(公告)号：CN101939689B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN200880115149.7

申请日：2008-09-10

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 戴维·格雷汉姆·穆迪

IPC: G02F1/025 ,  G02F1/017 ,  G02B6/42

CPC classification number: G02F1/01708 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/122 ,  G02B2006/12078 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12126 ,  G02B2006/12142 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/0157 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/066

Abstract: 一种电吸收调制器，包括在至少一个p-掺杂半导体层(6)和至少一个n-掺杂半导体层(8)之间的一个吸收层(7)，这些层形成了一个脊形波导结构，吸收层的厚度在9-60nm之间，脊形的宽度在4.5-12微米之间。

公开(公告)号：CN101484849A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780024713.X

申请日：2007-02-13

Applicant: 卢森特技术有限公司

Inventor： D·M·吉尔 ,  S·帕特尔 ,  M·拉斯拉斯

IPC: G02F1/225 ,  G02B6/12

CPC classification number: G02F1/2257 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/29395 ,  G02B2006/12142 ,  G02F2001/212 ,  G02F2203/15

Abstract: 由环形谐振腔构建的光学调制器装置呈现改善的响应特性，所述环形谐振腔具有置于环形谐振腔结构内的可调损耗元件和一个或多个移相器。通过调谐和/或控制谐振腔内的损耗，获得期望的调制器响应特性。

公开(公告)号：CN100410796C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200480001411.7

申请日：2004-03-18

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 丰田诚治 ,  藤浦和夫 ,  笹浦正弘 ,  圆佛晃次 ,  下小园真 ,  今井饮之 ,  馆彰之 ,  松浦彻 ,  栗原隆 ,  伏见浩

IPC: G02F1/313 ,  G02F1/035

CPC classification number: G02F1/3551 ,  G02B6/12011 ,  G02B6/12023 ,  G02B2006/12142 ,  G02B2006/12145 ,  G02F1/225 ,  G02F1/3136 ,  G02F1/3137 ,  G02F1/365 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/124 ,  G02F2203/50

Abstract: 提供单纯的结构的低驱动电压的无偏振依赖并且高速的光开关、光调制器和波长可变滤光器。具备设置在输入侧的3dB耦合器(16)和设置在输出侧的3dB耦合器(17)和连接输入侧3dB耦合器以及输出侧3dB耦合器的2条光波导。此外，具备向2条光波导的一方或者双方施加电场的相位调制单元(18)。至少2条的光波导是由KTa1-xNbxO3(0＜x＜1)以及K1-yLiyTa1-xNbxO3(0＜x＜1，0＜y＜1)、或者KTa1-xNbxO3或者K1-yLiyTa1-xNbxO3组成的晶体材料。

公开(公告)号：CN1963577A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610143840.9

申请日：2006-11-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三富修 ,  青木谦治 ,  近藤顺悟 ,  岩田雄一 ,  江尻哲也

IPC: G02B6/12

CPC classification number: G02B6/125 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12104 ,  G02B2006/12119 ,  G02B2006/12142 ,  G02B2006/12159 ,  G02F1/0508 ,  G02F1/2255 ,  G02F1/3137

Abstract: 本发明涉及光波导器件。在光调制器中，使光波导的弯曲部分的曲率半径能够变小，而且抑制弯曲部分的光辐射损失。光调制器(2)具备：由具有光电效应的强介电性材料构成的光波导基板；形成于该光波导基板上的光波导(5)；以及，施加用于对在光波导(5)传播的光进行调制的电压的调制用电极(4A、4B、4C)。至少光波导(5)区域的光波导基板的厚度为30μm或其以下。光波导(5)包含曲率半径为30mm或其以下的弯曲部分(5c、5d)。