-
公开(公告)号：CN101283300A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200580035638.8
申请日：2005-10-19
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
CPC classification number: G02F1/025 , G02B6/3586 , G02B6/3588 , G02B6/3594 , G02F1/0123 , G02F2201/58 , G02F2203/21
Abstract: 通过使用单片光电反馈装置，提供了对于基于SOI的光电系统的可靠性和使用寿命的改进，该单片光电反馈装置监控光电系统内的一个或更多个光信号，并提供电反馈信号以调整选择的光学设备的运行参数。例如，可以控制输入信号耦合方向。可选地，光学调制器、开关、滤波器或衰减器可以通过创造性单片反馈装置的功效受到闭环反馈控制。反馈装置还可以包括连接到控制电子器件的校准/查找表，以提供用于分析此系统性能的基准信号。
-
公开(公告)号：CN101160757B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200680012751.9
申请日：2006-04-28
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
IPC: H04B10/06
CPC classification number: H04L25/0228 , H04B10/66 , H04L25/025 , H04L25/03057
Abstract: 用于多信道光接收的电子色散补偿(EDC)装置利用时分技术来在多个单独的信道之间“共享”公共适应算法块。该算法块包含与延迟线的校正/更新的抽头权相关联的特定算法，形成均衡元件，且时隙分配元件与算法块结合使用以控制不同信道对算法块的访问。在某些信道比其它信道经受较大程度的色散的情况下，时隙分配元件可配置成给受影响的信道分配较大数量的时隙。
-
公开(公告)号：CN100440522C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200480033897.2
申请日：2004-11-17
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 威普库马·帕特尔 , 马格利特·吉龙 , 普拉卡什·约托斯卡 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 索哈姆·帕塔克 , 大卫·佩德 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
IPC: H01L27/14 , H01L31/0232 , H01L31/00 , H01L31/06
CPC classification number: H01L31/108 , G02B6/12004 , G02B6/1228 , H01L31/022408 , H01L31/0232 , H01L31/03921 , H01L31/153 , Y02E10/50
Abstract: 通过在一光波导的一部分上设置一含金属的条(优选地，为硅化物)，一种硅基红外(IR)光检测器被形成在硅绝缘体(silicon-on-insulator，SOI)结构内，其中所述光波导形成在所述SOI结构的一个平面硅表层(即，“平面SOI层”)内，所述平面SOI层的厚度小于一微米。由于所述基于SOI的结构具有相对较低的暗电流，并且能够采用相对较小的表面硅化物条收集光电流，所述光检测器可以在室温下工作。根据需要，所述平面SOI层可以掺杂，并且所述硅化物条的几何结构可以进行改进，以获得相对于现有技术的硅基光检测器改进的结果。
-
公开(公告)号：CN101111796A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200680003385.0
申请日：2006-01-30
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 大卫·佩德
IPC: G02F1/01
Abstract: 一种用于从电光相位调制器(在绝缘硅(SOI)系统内形成)输出中去除不需要的振幅调制的装置包括谐振滤波器，其在响应信号的正和负斜率上偏置。因此，当一个滤波器的振幅响应降低时，另一滤波器的振幅响应增加，这导致输出平衡以及本质上消除了相位调制输出信号中的振幅调制。在一实施方式中，环形谐振器(在SOI层中形成)用于提供滤波，其中当谐振器的数目增加时，滤波装置的性能相应地被改善。
-
公开(公告)号：CN101248379B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200580009284.X
申请日：2005-03-24
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司 , 大卫·佩德 , 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 索哈姆·帕塔克 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
Inventor： 大卫·佩德 , 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 索哈姆·帕塔克 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
CPC classification number: G02B6/12004 , G02B6/125 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/12104 , G02B2006/12176 , G02B2006/12195
Abstract: 一种装置使用在SOI结构中的图案化几何结构，所述装置用于提供光交叉区，所述光交叉区在基于SOI结构中形成的波导之间，选择其以降低信号重叠区域中的串扰效果。优选地，光信号固定以沿正交方向传播(或具有不同的波长)以最小化串扰效果。所述SOI结构的几何结构被图案化，包括预定的锥和/或反射表面，以导引/调整传播的光信号。可形成在所述光交叉区域内的图案化波导区域，其包括叠加的多晶硅段，以进一步指引所述传播的束，以及改善所述交叉装置的耦合效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101283300B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200580035638.8
申请日：2005-10-19
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
CPC classification number: G02F1/025 , G02B6/3586 , G02B6/3588 , G02B6/3594 , G02F1/0123 , G02F2201/58 , G02F2203/21
Abstract: 通过使用单片光电反馈装置，提供了对于基于SOI的光电系统的可靠性和使用寿命的改进，该单片光电反馈装置监控光电系统内的一个或更多个光信号，并提供电反馈信号以调整选择的光学设备的运行参数。例如，可以控制输入信号耦合方向。可选地，光学调制器、开关、滤波器或衰减器可以通过创造性单片反馈装置的功效受到闭环反馈控制。反馈装置还可以包括连接到控制电子器件的校准/查找表，以提供用于分析此系统性能的基准信号。
-
公开(公告)号：CN101248379A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200580009284.X
申请日：2005-03-24
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司 , 大卫·佩德 , 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 索哈姆·帕塔克 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
Inventor： 大卫·佩德 , 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 索哈姆·帕塔克 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
CPC classification number: G02B6/12004 , G02B6/125 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/12104 , G02B2006/12176 , G02B2006/12195
Abstract: 一种装置使用在SOI结构中的图案化几何结构，所述装置用于提供光交叉区，所述光交叉区在基于SOI结构中形成的波导管之间，选择其以降低信号重叠区域中的串扰效果。优选地，光信号固定以沿正交方向传播(或具有不同的波长)以最小化串扰效果。所述SOI结构的几何结构被图案化，包括预定的锥和/或反射表面，以导引/调整传播的光信号。可形成在所述光交叉区域内的图案化波导区域，其包括叠加的多晶硅段，以进一步指引所述传播的束，以及改善所述交叉装置的耦合效率。
-
公开(公告)号：CN101160757A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012751.9
申请日：2006-04-28
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
IPC: H04B10/06
CPC classification number: H04L25/0228 , H04B10/66 , H04L25/025 , H04L25/03057
Abstract: 用于多信道光接收的电子色散补偿(EDC)装置利用时分技术来在多个的N个单独的信道之间“共享”公共适应算法块。该算法块包含与延迟线的校正/更新的抽头权相关联的特定算法，形成均衡元件，且时间槽分配元件与算法块结合使用以控制不同信道对算法块的访问。在某些信道比其它信道经受较大程度的色散的情况下，时间槽分配元件可配置成给受影响的信道分配较大数量的时间槽。
-
公开(公告)号：CN1965240A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580011617.2
申请日：2005-03-08
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 索哈姆·帕塔克 , 大卫·佩德 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种用于在绝缘体硅(SOI)晶片结构中形成的光电器件的晶片级测试装置，其使用单光电测试元件来执行光和电测试。波束调向光学器件可在所述测试元件上形成，且用于帮助光探针信号和光耦合元件(例如棱镜耦合器、光栅)间的耦合，所述光耦合器件在所述SOI结构的顶部表面上形成。光测试信号此后被导引到在所述SOI结构的顶层中形成的光波导中。所述光电测试元件还包括多个电测试管脚，其放置成与所述光电器件上的多个焊接点测试位置接触，以及用于执行电测试操作。光测试信号结果可在所述SOI结构内转换成电表示，因此作为电信号返回到所述测试元件。
-
公开(公告)号：CN1883050A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480033897.2
申请日：2004-11-17
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 威普库马·帕特尔 , 马格利特·吉龙 , 普拉卡什·约托斯卡 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 索哈姆·帕塔克 , 大卫·佩德 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
IPC: H01L27/14 , H01L31/0232 , H01L31/00 , H01L31/06
CPC classification number: H01L31/108 , G02B6/12004 , G02B6/1228 , H01L31/022408 , H01L31/0232 , H01L31/03921 , H01L31/153 , Y02E10/50
Abstract: 通过在一光波导的一部分上设置一含金属的条(优选地，为硅化物)，一种硅基红外(IR)光检测器被形成在硅绝缘体(silicon－on－insulator，SOI)结构内，其中所述光波导形成在所述SOI结构的一个平面硅表层(即，“平面SOI层”)内，所述平面SOI层的厚度小于一微米。由于所述基于SOI的结构具有相对较低的暗电流，并且能够采用相对较小的表面硅化物条收集光电流，所述光检测器可以在室温下工作。根据需要，所述平面SOI层可以掺杂，并且所述硅化物条的几何结构可以进行改进，以获得相对于现有技术的硅基光检测器改进的结果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.027 seconds)
