公开(公告)号：CN108829172A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810973708.3

申请日：2015-11-25

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： S·沙莱

IPC: G05F1/56

Abstract: 本公开的各种实施例涉及BST电容器配置方法。用于配置具有能够通过偏置设置为设定点值的电容的电容器的方法和电路，包括以下步骤：(a)注入恒定电流以偏置电容器；(b)在时间间隔的结束处测量电容器的偏置电压；(c)计算在所述时间间隔的结束处获得的所述电容的值；(d)将这一值与期望值相比较；(e)只要所计算的值不同于所述设定点值，则重复步骤(a)到(d)；并且只要所计算的电容值等于所述设定点值，则存储所测量的所述偏置电压的值作为要向所述电容器施加的偏置电压。

公开(公告)号：CN104811198B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201510031842.8

申请日：2015-01-22

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： L·穆安德龙 ,  S·沙莱 ,  J·厄尔捷

IPC: H03M1/10

Abstract: 本公开涉及BST电容器控制电路的校准，并且具体涉及一种用于控制具有通过偏置可设定的电容的电容器的电路，包括：至少一个端子，用于接收取决于电容的期望值的数字设定点值；用于确定电容相对于标称值的漂移的电路；以及根据所确定的漂移向所述数字设定点值施加校正的电路。

公开(公告)号：CN106257374B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201510830559.1

申请日：2015-11-25

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： S·沙莱

IPC: G05F1/56

Abstract: 本公开的各种实施例涉及BST电容器配置方法。用于配置具有能够通过偏置设置为设定点值的电容的电容器的方法和电路，包括以下步骤：(a)注入恒定电流以偏置电容器；(b)在时间间隔的结束处测量电容器的偏置电压；(c)计算在所述时间间隔的结束处获得的所述电容的值；(d)将这一值与期望值相比较；(e)只要所计算的值不同于所述设定点值，则重复步骤(a)到(d)；并且只要所计算的电容值等于所述设定点值，则存储所测量的所述偏置电压的值作为要向所述电容器施加的偏置电压。

公开(公告)号：CN106257374A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201510830559.1

申请日：2015-11-25

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： S·沙莱

IPC: G05F1/56

CPC classification number: H01G7/06 ,  G01R15/165 ,  G05F5/00 ,  H03H5/12 ,  H03H7/0153 ,  H04B1/0458

Abstract: 本公开的各种实施例涉及BST电容器配置方法。用于配置具有能够通过偏置设置为设定点值的电容的电容器的方法和电路，包括以下步骤：(a)注入恒定电流以偏置电容器；(b)在时间间隔的结束处测量电容器的偏置电压；(c)计算在所述时间间隔的结束处获得的所述电容的值；(d)将这一值与期望值相比较；(e)只要所计算的值不同于所述设定点值，则重复步骤(a)到(d)；并且只要所计算的电容值等于所述设定点值，则存储所测量的所述偏置电压的值作为要向所述电容器施加的偏置电压。

公开(公告)号：CN107066002B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201610848400.7

申请日：2016-09-23

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： S·沙莱 ,  J·厄尔捷 ,  L·热弗罗

IPC: G05F1/56

Abstract: 一种设备，包括：第一电容器，具有可通过施加偏置电压调节为设置点值的电容；第二电容器，具有可通过施加偏置电压调节为设置点值的电容，第二电容器被配置为接收与第一电容器相同的偏置电压；以及控制电路，能够接收所述设置点值并在考虑表示第二电容器的电容的量的情况下生成所述偏置电压。

公开(公告)号：CN107066002A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610848400.7

申请日：2016-09-23

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： S·沙莱 ,  J·厄尔捷 ,  L·热弗罗

IPC: G05F1/56

CPC classification number: H03B5/20 ,  H01G7/06 ,  H03B5/124 ,  H03B2201/011 ,  H03L7/1075 ,  G05F1/561

Abstract: 一种设备，包括：第一电容器，具有可通过施加偏置电压调节为设置点值的电容；第二电容器，具有可通过施加偏置电压调节为设置点值的电容，第二电容器被配置为接收与第一电容器相同的偏置电压；以及控制电路，能够接收所述设置点值并在考虑表示第二电容器的电容的量的情况下生成所述偏置电压。

公开(公告)号：CN108829172B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201810973708.3

申请日：2015-11-25

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： S·沙莱

IPC: G05F1/56

Abstract: 本公开的各种实施例涉及BST电容器配置方法。用于配置具有能够通过偏置设置为设定点值的电容的电容器的方法和电路，包括以下步骤：(a)注入恒定电流以偏置电容器；(b)在时间间隔的结束处测量电容器的偏置电压；(c)计算在所述时间间隔的结束处获得的所述电容的值；(d)将这一值与期望值相比较；(e)只要所计算的值不同于所述设定点值，则重复步骤(a)到(d)；并且只要所计算的电容值等于所述设定点值，则存储所测量的所述偏置电压的值作为要向所述电容器施加的偏置电压。

公开(公告)号：CN104811198A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510031842.8

申请日：2015-01-22

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： L·穆安德龙 ,  S·沙莱 ,  J·厄尔捷

IPC: H03M1/10

CPC classification number: H02J7/0072 ,  G01R27/2605 ,  H01Q5/335 ,  H02J7/0052 ,  H02J7/345 ,  H03J3/04

Abstract: 本公开涉及BST电容器控制电路的校准，并且具体涉及一种用于控制具有通过偏置可设定的电容的电容器的电路，包括：至少一个端子，用于接收取决于电容的期望值的数字设定点值；用于确定电容相对于标称值的漂移的电路；以及根据所确定的漂移向所述数字设定点值施加校正的电路。

公开(公告)号：CN206498389U

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201621079276.4

申请日：2016-09-23

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： S·沙莱 ,  J·厄尔捷 ,  L·热弗罗

IPC: H03L7/081

CPC classification number: H03B5/20 ,  H01G7/06 ,  H03B5/124 ,  H03B2201/011 ,  H03L7/1075

Abstract: 一种控制设备，包括：第一电容器，具有可通过施加偏置电压调节为设置点值的电容；第二电容器，具有可通过施加偏置电压调节为设置点值的电容，第二电容器被配置为接收与第一电容器相同的偏置电压；以及控制电路，能够接收所述设置点值并在考虑表示第二电容器的电容的量的情况下生成所述偏置电压。

公开(公告)号：CN204517794U

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201520045377.9

申请日：2015-01-22

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： L·穆安德龙 ,  S·沙莱 ,  J·厄尔捷

IPC: H03M1/66

CPC classification number: H02J7/0072 ,  G01R27/2605 ,  H01Q5/335 ,  H02J7/0052 ,  H02J7/345 ,  H03J3/04

Abstract: 本公开涉及一种电子电路、电子系统和电子设备，该电子电路配置为控制具有通过偏置信号可设定的电容的电容器，所述电路包括：至少一个端子，配置为接收取决于为所述电容选定的值的数字设定点值；确定电路，配置为确定所述电容相对于标称值的漂移；以及加法器电路，配置为根据所确定的漂移向所述数字设定点值施加校正。