-
公开(公告)号：CN108369886B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201680073627.7
申请日：2016-12-23
Applicant: 恩特格里斯公司
Inventor： S·E·毕晓普
IPC: H01J37/317 , H01J37/02
Abstract: 本发明描述一种用于将气体输送到等离子体浸没枪的气体供应组合件。所述气体供应组合件包含：流体供应包装，其经配置以将惰性气体输送到等离子体浸没枪以用于产生惰性气体等离子体，所述惰性气体等离子体包含在离子布植操作中用于调制衬底的表面电荷的电子；及清洁气体，其在所述惰性气体流体供应包装中与所述惰性气体混合，或在经配置以相对于输送惰性气体到所述等离子体浸没枪而将清洁气体同时或依序输送到所述等离子体浸没枪的单独清洁气体供应包装中。本发明还描述一种操作等离子体浸没枪的方法，其中相对于惰性气体流动到所述等离子体浸没枪而将清洁气体间歇地、连续地或依序引进到所述等离子体浸没枪。所述清洁气体自所述等离子体浸没枪中的材料沉积物有效地产生挥发性反应产物气体，且实现所述等离子体浸没枪中的等离子体产生细丝的再金属化。
-
公开(公告)号：CN109196617B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201780028783.6
申请日：2017-05-10
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/317
Abstract: 本发明描述用于实施氮离子植入的组合物、方法和设备，其在所述氮离子植入后进行易于发生故障的另一离子植入操作，例如植入砷和/或磷离子物种时避免发生严重故障。所述氮离子植入操作有利地利用引入离子植入系统的离子源室或在所述离子源室中形成的氮离子植入组合物实施，其中所述氮离子植入组合物包括氮(N2)掺杂剂气体和故障抑制气体，所述故障抑制气体包括选自由以下组成的群组中的一或多种：NF3、N2F4、F2、SiF4、WF6、PF3、PF5、AsF3、AsF5、CF4和CxFy(x≥1，y≥1)通式的其它氟化烃、SF6、HF、COF2、OF2、BF3、B2F4、GeF4、XeF2、O2、N2O、NO、NO2、N2O4和O3，以及任选地含氢气体，例如包括选自由以下组成的群组的一或多种的含氢气体：H2、NH3、N2H4、B2H6、AsH3、PH3、SiH4、Si2H6、H2S、H2Se、CH4和CxHy(x≥1，y≥1)通式的其它烃和GeH4。
-
公开(公告)号：CN109196617A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780028783.6
申请日：2017-05-10
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/317
Abstract: 本发明描述用于实施氮离子植入的组合物、方法和设备，其在所述氮离子植入后进行易于发生故障的另一离子植入操作，例如植入砷和/或磷离子物种时避免发生严重故障。所述氮离子植入操作有利地利用引入离子植入系统的离子源室或在所述离子源室中形成的氮离子植入组合物实施，其中所述氮离子植入组合物包括氮(N2)掺杂剂气体和故障抑制气体，所述故障抑制气体包括选自由以下组成的群组中的一或多种：NF3、N2F4、F2、SiF4、WF6、PF3、PF5、AsF3、AsF5、CF4和CxFy(x≥1，y≥1)通式的其它氟化烃、SF6、HF、COF2、OF2、BF3、B2F4、GeF4、XeF2、O2、N2O、NO、NO2、N2O4和O3，以及任选地含氢气体，例如包括选自由以下组成的群组的一或多种的含氢气体：H2、NH3、N2H4、B2H6、AsH3、PH3、SiH4、Si2H6、H2S、H2Se、CH4和CxHy(x≥1，y≥1)通式的其它烃和GeH4。
-
公开(公告)号：CN108369886A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680073627.7
申请日：2016-12-23
Applicant: 恩特格里斯公司
Inventor： S·E·毕晓普
IPC: H01J37/317 , H01J37/02
Abstract: 本发明描述一种用于将气体输送到等离子体浸没枪的气体供应组合件。所述气体供应组合件包含：流体供应包装，其经配置以将惰性气体输送到等离子体浸没枪以用于产生惰性气体等离子体，所述惰性气体等离子体包含在离子布植操作中用于调制衬底的表面电荷的电子；及清洁气体，其在所述惰性气体流体供应包装中与所述惰性气体混合，或在经配置以相对于输送惰性气体到所述等离子体浸没枪而将清洁气体同时或依序输送到所述等离子体浸没枪的单独清洁气体供应包装中。本发明还描述一种操作等离子体浸没枪的方法，其中相对于惰性气体流动到所述等离子体浸没枪而将清洁气体间歇地、连续地或依序引进到所述等离子体浸没枪。所述清洁气体自所述等离子体浸没枪中的材料沉积物有效地产生挥发性反应产物气体，且实现所述等离子体浸没枪中的等离子体产生细丝的再金属化。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.016 seconds)
