公开(公告)号：CN114695239B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202111648506.X

申请日：2021-12-30

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： C·凡卡拉曼 ,  S·西里尼亚诺 ,  刘研 ,  S·古达蒂 ,  T·K·佩鲁马尔 ,  M·利维 ,  J·莱辛斯基 ,  C·瓦尔德弗里德

IPC: H01L21/683 ,  B33Y80/00

Abstract: 本申请案涉及一种通过增材制造来制备的静电吸盘以及相关方法及结构。描述用于在加工工件的步骤期间支撑所述工件的静电吸盘以及通过增材制造技术制备的静电吸盘底座组件。

公开(公告)号：CN107532283B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201580078965.5

申请日：2015-09-30

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 林奕宽 ,  N·困达 ,  D·拉德戈斯基 ,  C·凡卡拉曼

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/48 ,  C23C14/58 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供与具有优良抗等离子体蚀刻性且可延长RIE组件的寿命的涂层有关的物件及方法。一种物件具有真空兼容衬底及上覆于所述衬底的至少一部分上的保护膜。所述膜包括含有钇的氟化金属氧化物。

公开(公告)号：CN118696406A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202380022029.7

申请日：2023-02-24

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： J·莱辛斯基 ,  S·唐奈 ,  刘研 ,  C·明斯基 ,  C·凡卡拉曼 ,  C·瓦尔德弗里德

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 描述用于在处理工件的步骤期间支撑所述工件的静电卡盘，所述静电卡盘包含在绝缘层上的电荷消散线的图案，所述线具有第一导电层及第二导电层且经布置以在所述线之间定义所述绝缘层的封闭场。

公开(公告)号：CN107532283A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201580078965.5

申请日：2015-09-30

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 林奕宽 ,  N·困达 ,  D·拉德戈斯基 ,  C·凡卡拉曼

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/48 ,  C23C14/58 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供与具有优良抗等离子体蚀刻性且可延长RIE组件的寿命的涂层有关的物件及方法。一种物件具有真空兼容衬底及上覆于所述衬底的至少一部分上的保护膜。所述膜包括含有钇的氟化金属氧化物。

公开(公告)号：CN119054066A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202380033580.1

申请日：2023-04-05

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 刘羽轩 ,  李志峰 ,  C·瓦尔德弗里德 ,  刘研 ,  C·凡卡拉曼 ,  P·R·瓦兰阿西

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  G03F7/20

Abstract: 本申请涉及一种导电聚合物层，其位于静电卡盘上。所述导电聚合物层包括导电聚合物及光敏聚合物。所述导电聚合物的导电性促进通过所述导电聚合物层进行的电荷消散，而所述光敏聚合物的光敏性允许所述导电聚合物层的表面被光图案化。所述导电聚合物层导电及光敏的程度可通过变动所述导电聚合物及所述光敏聚合物的相对量来调节。

公开(公告)号：CN117769466A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202280053475.X

申请日：2022-07-18

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 刘研 ,  刘羽轩 ,  C·凡卡拉曼 ,  C·瓦尔德弗里德

IPC: B05D7/24 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  B05D1/02 ,  B05D1/28 ,  B05D3/02 ,  B05D3/06

Abstract: 描述用于施加固化聚合物覆盖涂层到表面上，明确来说用于施加覆盖涂覆固化聚合物涂层到可用作用于处理半导体晶片的静电卡盘的衬底的表面上的技术。通过施加液体喷雾溶液涂层到静电卡盘的整个表面上且然后在覆盖涂层的整个表面区域上固化所述覆盖涂层的聚合物而制备所述固化聚合物覆盖涂层。

公开(公告)号：CN114695239A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202111648506.X

申请日：2021-12-30

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： C·凡卡拉曼 ,  S·西里尼亚诺 ,  刘研 ,  S·古达蒂 ,  T·K·佩鲁马尔 ,  M·利维 ,  J·莱辛斯基 ,  C·瓦尔德弗里德

IPC: H01L21/683 ,  B33Y80/00

Abstract: 本申请案涉及一种通过增材制造来制备的静电吸盘以及相关方法及结构。描述用于在加工工件的步骤期间支撑所述工件的静电吸盘以及通过增材制造技术制备的静电吸盘底座组件。

公开(公告)号：CN217239427U

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202123432100.6

申请日：2021-12-30

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： C·凡卡拉曼 ,  S·西里尼亚诺 ,  刘研 ,  S·古达蒂 ,  T·K·佩鲁马尔 ,  M·利维 ,  J·莱辛斯基 ,  C·瓦尔德弗里德

IPC: H01L21/683 ,  B33Y80/00

Abstract: 本申请案涉及一种吸盘底座。具有所述吸盘底座的所述静电吸盘用于在加工工件的步骤期间支撑所述工件。所述静电吸盘底座组件通过增材制造技术制备。