公开(公告)号：CN113134624B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202110064736.5

申请日：2021-01-18

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： V·瓦尔克 ,  M·帕特里克 ,  D·N·戴恩 ,  S·古达蒂 ,  M·利维

IPC: B22F10/18 ,  B22F10/38 ,  B22F10/64 ,  B22F1/10 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10 ,  B33Y80/00

Abstract: 本发明描述多孔烧结金属体及通过增材制造方法而制作多孔烧结金属体的方法。

公开(公告)号：CN116710218A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180090466.3

申请日：2021-12-03

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： T·K·佩鲁马尔 ,  S·古达蒂 ,  M·利维 ,  V·瓦尔克 ,  D·N·戴恩

IPC: B22F7/00

Abstract: 本发明描述通过增材制造技术制备的三维多层复合结构以及通过增材制造技术制备所述结构的方法，其中多层结构具有至少两个不同厚度及精确厚度的层。

公开(公告)号：CN114695239A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202111648506.X

申请日：2021-12-30

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： C·凡卡拉曼 ,  S·西里尼亚诺 ,  刘研 ,  S·古达蒂 ,  T·K·佩鲁马尔 ,  M·利维 ,  J·莱辛斯基 ,  C·瓦尔德弗里德

IPC: H01L21/683 ,  B33Y80/00

Abstract: 本申请案涉及一种通过增材制造来制备的静电吸盘以及相关方法及结构。描述用于在加工工件的步骤期间支撑所述工件的静电吸盘以及通过增材制造技术制备的静电吸盘底座组件。

公开(公告)号：CN119137720A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202380037284.9

申请日：2023-05-31

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： A·瓦桑塔库马尔 ,  T·K·佩鲁马尔 ,  S·古达蒂 ,  M·利维

IPC: H01L21/67 ,  B08B1/12 ,  B08B1/20 ,  B08B1/34

Abstract: 提供一种用于半导体制造工艺的清洁刷。所述清洁刷包含芯及刷部件。所述芯包含圆周部分及闭端部分。所述圆周部分包围所述清洁刷的旋转轴线且界定用于接收流体的入口开口。所述闭端部分经连接到沿所述旋转轴线与所述入口开口相对的所述圆周部分的端。至少一个细长导管经界定于所述芯内且与所述入口开口流体连通，且所述圆周部分包含穿过其以与所述细长导管流体连通的多个出口通道，所述出口通道朝向所述闭端部分向外倾斜。所述刷部件经连接到所述圆周部分的外表面且覆盖所有所述出口通道。

公开(公告)号：CN118715184A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380022024.4

申请日：2023-01-20

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： M·F·冈萨雷斯 ,  K·迈尔斯 ,  L·海斯 ,  S·古达蒂 ,  T·K·佩鲁马尔 ,  A·瓦桑塔库马尔 ,  M·利维

IPC: C03B9/447 ,  C03B35/04

Abstract: 本公开描述自动化玻璃制造设备，且具体来说涉及被称为“取出固持器”的装置，以及使用所述取出固持器的系统及制造并使用所述取出固持器的方法。

公开(公告)号：CN118318126A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202280079053.X

申请日：2022-11-29

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： T·K·佩鲁马尔 ,  A·瓦桑塔库马尔 ,  S·古达蒂 ,  M·利维 ,  S·巴罗利 ,  E·E·琼斯

IPC: F17C13/04 ,  F17C13/02

Abstract: 一种高压流体存储系统，其具有可执行压力调节器装置的功能的至少一个压力感测一体式装置(PSUD)。所述PSUD可经制造为单个一体式构造，其中外壳主体及内部压力调节机构两者是由单个单元、材料或两者制成。所述PSUD不具有任何焊接组件，也非由多个单独组件组装而成，或两者。

公开(公告)号：CN116635784A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180084777.9

申请日：2021-11-18

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 叶澤安 ,  郑君飞 ,  M·利维 ,  陈俊光

IPC: G03F1/26

Abstract: 提供一种用于半导体制造中的光刻工艺的相移光罩。所述光罩包含衬底、反射结构、图案界定层及移相器。所述反射结构安置于所述衬底上。所述图案界定层包含第一材料且沉积于所述反射结构上。所述图案界定层包括图案沟槽。所述移相器包含第二材料且安置于所述图案沟槽中。所述第二材料的透射率不同于所述第一材料的透射率。

公开(公告)号：CN114695239B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202111648506.X

申请日：2021-12-30

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： C·凡卡拉曼 ,  S·西里尼亚诺 ,  刘研 ,  S·古达蒂 ,  T·K·佩鲁马尔 ,  M·利维 ,  J·莱辛斯基 ,  C·瓦尔德弗里德

IPC: H01L21/683 ,  B33Y80/00

Abstract: 本申请案涉及一种通过增材制造来制备的静电吸盘以及相关方法及结构。描述用于在加工工件的步骤期间支撑所述工件的静电吸盘以及通过增材制造技术制备的静电吸盘底座组件。

公开(公告)号：CN118382774A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202280079396.6

申请日：2022-11-29

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： T·K·佩鲁马尔 ,  A·瓦桑塔库马尔 ,  S·古达蒂 ,  M·利维 ,  S·巴罗利 ,  E·E·琼斯

IPC: F17C13/04 ,  F17C7/00

Abstract: 本公开涉及一种高压流体存储系统，其具有可执行压力调节器装置的功能的至少一个压力感测一体式装置(PSUD)。所述PSUD可经制造为单个一体式构造，其中外壳主体及内部压力调节机构两者是由单个单元、材料或两者制成。所述PSUD不具有任何焊接组件，也不是由多个单独组件组装而成，或两者。

公开(公告)号：CN118103135A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068417.4

申请日：2022-09-15

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： R·D·吉普森 ,  E·A·斯特姆 ,  S·古达蒂 ,  T·K·佩鲁马尔 ,  M·利维

IPC: B01J20/30 ,  B01J20/28 ,  B01J20/22 ,  B01J20/20 ,  B01J20/16 ,  B01D53/02

Abstract: 本发明描述在粘合剂中含有两种或更多种不同类型的吸附剂材料且优选可通过积层制造技术制备的复合吸附介质；以及通过积层制造方法制备所述结构的方法。