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公开(公告)号：CN118786243A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380022696.5
申请日：2023-01-25
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C07F7/10 , C23C16/44
Abstract: 公开了根据式A和B的卤素官能化环三硅氮烷前体化合物，以及使用该化合物的方法，其用于通过热原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺及其组合来沉积含硅膜，如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、碳氮化硅、氧碳氮化硅或碳掺杂氧化硅。#imgabs0#
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