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公开(公告)号：CN115516129A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180032535.5
申请日：2021-03-29
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 一种制备具有改善的机械性能的致密有机氧化硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向所述反应室中引入包含氢化二甲基烷氧基硅烷的气态组合物；以及在所述反应室中向包含氢化二甲基烷氧基硅烷的所述气态组合物施加能量以诱导包含氢化二甲基烷氧基硅烷的所述气态组合物的反应，从而在所述衬底上沉积有机氧化硅膜，其中所述有机氧化硅膜具有约2.70至约3.50的介电常数、约6至约36GPa的弹性模量，以及由XPS测得的约10至约36的原子％碳。
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公开(公告)号：CN116288249A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310271730.4
申请日：2019-08-09
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 提供了一种用于制备介电膜的组合物和化学气相沉积方法。包含所述组合物的气体试剂引入到其中提供有衬底的反应室中。该气体试剂包含硅前体，所述硅前体包括根据本文定义的式I的硅化合物。在所述反应室中向所述气体试剂施加能量以诱导所述气体试剂的反应且由此在所述衬底上沉积膜。如此沉积的膜适合其预期用途，而无需对如此沉积的膜施加任选的额外固化步骤。还公开了制备所述组合物的方法。
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公开(公告)号：CN110462097A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880021253.3
申请日：2018-02-06
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50 , C07F7/10 , H01L21/02
Abstract: 公开了具有至少三个硅原子、氧原子以及有机氨基的有机氨基聚硅氧烷，以及制备所述有机氨基聚硅氧烷的方法。还公开了使用所述有机氨基聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。
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公开(公告)号：CN110023535A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780074937.5
申请日：2017-10-25
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 一种用于沉积含硅膜的方法，所述方法包括：将包含至少一个表面特征的衬底放入可流动CVD反应器中；向所述反应器中引入至少一种含硅化合物和至少一种多官能有机胺化合物以使所述至少一种含硅化合物至少部分地反应而形成可流动液体低聚物，其中所述可流动液体低聚物在所述衬底上形成氧化硅涂层并且至少部分地填充所述至少一个表面特征的至少一部分。一旦固化，该碳氮化硅涂层具有优异的机械性能。
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公开(公告)号：CN116157552A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180053299.5
申请日：2021-07-23
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/505
Abstract: 公开了可用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺将低介电常数(低k)绝缘材料沉积到半导体器件的高纵横比间隙、沟槽、通孔和其它表面特征中的组合物。所述组合物可包含衍生自三甲基环三硅氧烷、四甲基环四硅氧烷或五甲基环五硅氧烷的烷氧基官能化的环硅氧烷。烷氧基官能化可包含1至10个碳原子。还公开了通过PECVD工艺沉积烷氧基官能化的环硅氧烷组合物的方法。最后，公开了在衬底上的包含可流动液体或低聚物的膜，其包含低聚或多聚的烷氧基官能化的环硅氧烷组合物。
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公开(公告)号：CN115584491A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211350727.3
申请日：2018-02-06
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 公开了具有至少三个硅原子、氧原子以及有机氨基的有机氨基聚硅氧烷，以及制备所述有机氨基聚硅氧烷的方法。还公开了使用所述有机氨基聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。
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公开(公告)号：CN110462097B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201880021253.3
申请日：2018-02-06
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50 , C07F7/10 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了具有至少三个硅原子、氧原子以及有机氨基的有机氨基聚硅氧烷，以及制备所述有机氨基聚硅氧烷的方法。还公开了使用所述有机氨基聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。
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公开(公告)号：CN114616652A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080072635.6
申请日：2020-09-10
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , C23C16/50 , C07F7/18
Abstract: 一种制备具有改善的机械性能的致密有机硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向反应室中引入包含新型单烷氧基硅烷的气态组合物；以及在反应室中向包含新型单烷氧基硅烷的气态组合物施加能量以诱导包含新型单烷氧基硅烷的气态组合物的反应，从而在衬底上沉积有机硅膜，其中所述有机硅膜具有约2.80至约3.30的介电常数、约9至约32GPa的弹性模量和通过XPS测量的约10至约30的at.％碳。
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公开(公告)号：CN116490640A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180079509.8
申请日：2021-10-20
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/505
Abstract: 一种制备具有改善的机械性能的致密有机硅膜的方法，包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向所述反应室中引入包含烷氧基二硅氧烷的气态组合物；以及向所述反应室中包含烷氧基二硅氧烷的气态组合物施加能量以诱导所述包含烷氧基二硅氧烷的气态组合物的反应，从而在所述衬底上沉积有机硅膜，其中所述有机硅膜具有～2.50至～3.30的介电常数，～6至～35GPa的弹性模量和所测量的～10至～40的原子％碳。
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公开(公告)号：CN110952074B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201911296690.9
申请日：2019-08-09
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 提供了一种用于制备介电膜的组合物和化学气相沉积方法。包含所述组合物的气体试剂引入到其中提供有衬底的反应室中。该气体试剂包含硅前体，所述硅前体包括根据本文定义的式I的硅化合物。在所述反应室中向所述气体试剂施加能量以诱导所述气体试剂的反应且由此在所述衬底上沉积膜。如此沉积的膜适合其预期用途，而无需对如此沉积的膜施加任选的额外固化步骤。还公开了制备所述组合物的方法。
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