-
公开(公告)号：CN111463146B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN201911327919.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·S·C·帕里米 , Z·黄 , J·李 , S·拉达克里什南 , 程睿 , D·N·凯德拉亚 , J·C·罗查 , U·M·科尔卡 , K·杰纳基拉曼 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , V·K·普拉巴卡尔 , B·S·权
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。
-
公开(公告)号：CN111463146A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201911327919.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·S·C·帕里米 , Z·黄 , J·李 , S·拉达克里什南 , 程睿 , D·N·凯德拉亚 , J·C·罗查 , U·M·科尔卡 , K·杰纳基拉曼 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , V·K·普拉巴卡尔 , B·S·权
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。
-
公开(公告)号：CN111434799A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN202010041965.0
申请日：2020-01-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/513
Abstract: 本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面。所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的。所述底座还包括：电极，所述电极设置在所述主体中；以及一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。
-
公开(公告)号：CN104737274A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380050065.0
申请日：2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： N·拉贾戈帕兰 , X·韩 , M·齐昂 , M·奥加塔 , Z·蒋 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T·诺瓦克 , J·周 , R·萨卡拉克利施纳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·班塞尔 , J·李 , T·伊根 , E·布迪亚托 , D·帕纳修克 , T·Y·李 , J·陈 , M·阿优伯 , H·L·朴 , P·赖利 , S·沙克 , 金秉宪 , S·斯塔里克
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5096 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01N21/55 , G01N21/658 , G01N2201/1222 , H01L21/00 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/687
Abstract: 兹描述根据PECVD工艺来处理基板的设备和方法。调整基板的温度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。调整等离子体密度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。加热暴露于等离子体的腔室表面，以改善等离子体密度均匀性及减少腔室表面处低品质沉积物的形成。原位量测技术可用于监测沉积工艺的进行，及触发涉及基板温度分布、等离子体密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。
-
公开(公告)号：CN114026673A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080044306.0
申请日：2020-02-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , B08B7/00 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 本文描述的实施例总体涉及用于处理基板的设备。在一个或多个实施例中，一种加热器支撑套件包括：加热器组件，所述加热器组件含有具有上表面和下表面的加热器板；卡环，所述卡环设置在所述加热器板的所述上表面的至少一部分上；加热器臂组件，所述加热器臂组件含有加热器臂并且支撑所述加热器组件；和加热器支撑板，所述加热器支撑板设置在所述加热器板与所述加热器臂之间并且与所述加热器板的所述下表面的至少一部分接触。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108292600A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680052365.6
申请日：2016-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·巴苏 , J·李 , P·康纳斯 , D·R·杜鲍斯 , P·K·库尔施拉希萨 , K·T·纳拉辛哈 , B·贝伦斯 , K·高希 , 周建华 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·D·李 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , H·小木曾 , L·克里武莉娜 , R·吉尔伯特 , M·瓦卡尔 , V·山卡拉姆茜 , H·K·波内坎蒂
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/6708 , H01L21/67201 , H01L21/68785
Abstract: 本文公开的实现描述一种在装载锁定斜面蚀刻腔室内的斜面蚀刻设备及其使用方法。所述斜面蚀刻设备具有在装载锁定斜面蚀刻腔室内的掩模组件。在蚀刻处理期间，掩模组件传输气体流，以控制斜面蚀刻，而无需使用阴影框。如此，在所述斜面边缘处的所述边缘排除可被减少，由此提高产品的良率。
-
公开(公告)号：CN117702090A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311711345.3
申请日：2020-01-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/503 , C23C16/509
Abstract: 本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面。所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的。所述底座还包括：电极，所述电极设置在所述主体中；以及一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。
-
-
-
公开(公告)号：CN111434799B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202010041965.0
申请日：2020-01-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/513
Abstract: 本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面。所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的。所述底座还包括：电极，所述电极设置在所述主体中；以及一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.032 seconds)
