公开(公告)号：CN103098174A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043422.1

申请日：2011-09-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·艾文加 ,  S·巴录佳 ,  D·R·杜波依斯 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  S·A·亨德里克森 ,  Y-W·李 ,  M-Y·石 ,  L-Q·夏 ,  D·R·威蒂

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/463 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02274

Abstract: 一种基板处理系统包含邻近处理腔室的热处理器或等离子体发生器。第一处理气体进入所述热处理器或等离子体发生器。所述第一处理气体随后直接流动穿过喷头进入所述处理腔室。第二处理气体流动穿过第二流径，所述第二流径经过所述喷头。所述第一处理气体及所述第二处理气体在所述喷头下方混合且在所述喷头下方的基板上沉积材料层。

公开(公告)号：CN102844854A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201080055563.0

申请日：2010-12-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 叶立耀 ,  T·A·M·恩古耶 ,  D·R·杜鲍斯 ,  S·巴录佳 ,  T·诺瓦克 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  周建华

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  C23C16/458

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明的实施例大致关于半导体处理腔室，且更明确地，关于半导体处理腔室的加热支撑基座。在一个实施例中，提供半导体处理腔室的基座。基座包括：基板支撑件，基板支撑件包括导电材料并具有接收基板的支撑表面；电阻式加热器，密封于基板支撑件中；中空轴，在第一端耦接至基板支撑件并在相反端耦接至相配接口，中空轴包括具有中空核心的轴主体；及冷却通道组件，环绕中空核心并配置于轴主体中，以通过内部冷却路径从基座移除热量，其中基板支撑件具有位于加热元件与环形冷却通道之间的热控制间隙。

公开(公告)号：CN102057479B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980122000.6

申请日：2009-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·W·何 ,  S·A·亨德里克森 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  S·巴录佳 ,  T·诺瓦克

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明实施例一般涉及一种固化介电材料以产生不具空隙与缝隙的特征的方法与设备，所述介电材料沉积于基材表面中的沟槽或间隙内。一个实施例中，介电材料在暴露于紫外光辐射时经蒸汽退火。一个实施例中，介电材料进一步于氮环境中经热退火。

公开(公告)号：CN103170478A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310055064.7

申请日：2009-05-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·萨卡拉克利施纳 ,  D·杜鲍斯 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  K·杰纳基拉曼 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠 ,  H·姆萨德

IPC: B08B5/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: F16K31/0655 ,  B08B5/00 ,  B08B7/0021 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45561 ,  F16K1/221 ,  F16K1/224 ,  F16K31/06 ,  F16K31/088 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提出一种用以清洁工艺腔室的方法与设备。在一个实施例中，本发明提供一种工艺腔室，包括远程等离子源与工艺腔室，所述工艺腔室具有至少两个工艺区域。各工艺区域包括：基材支撑组件，设置在所述工艺区域中；气体散布系统，配置以提供气体到所述基材支撑组件上方的所述工艺区域内；以及气体通道，配置以提供气体到所述基材支撑组件下方的所述工艺区域内。第一气体导管是配置以将清洁试剂从所述远程等离子源经由所述气体散布组件流入各所述工艺区域，而第二气体导管是配置以将来自所述第一气体导管的所述清洁试剂的一部分转向到各所述工艺区域的所述气体通道。

公开(公告)号：CN102804350A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201180014065.6

申请日：2011-03-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·拉贾戈帕兰 ,  X·韩 ,  R·雅玛西 ,  朴智爱 ,  S·帕特尔 ,  T·诺瓦克 ,  Z·崔 ,  M·奈克 ,  H·L·朴 ,  R·丁 ,  金秉宪

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/02068 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/742 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/742 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文描述在基板的特征结构上形成包括氮化硅的钝化层的方法。在沉积方法的第一阶段中，将包括含硅气体与含氮气体的电介质沉积气体导入处理区中并经供给能量以沉积氮化硅层。在第二阶段中，将组成不同于电介质沉积气体的处理气体导入处理区并经供给能量以处理氮化硅层。可对第一阶段与第二阶段执行多次。

公开(公告)号：CN102844854B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201080055563.0

申请日：2010-12-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 叶立耀 ,  T·A·M·恩古耶 ,  D·R·杜鲍斯 ,  S·巴录佳 ,  T·诺瓦克 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  周建华

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  C23C16/458

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明的实施例大致关于半导体处理腔室，且更明确地，关于半导体处理腔室的加热支撑基座。在一个实施例中，提供半导体处理腔室的基座。基座包括：基板支撑件，基板支撑件包括导电材料并具有接收基板的支撑表面；电阻式加热器，密封于基板支撑件中；中空轴，在第一端耦接至基板支撑件并在相反端耦接至相配接口，中空轴包括具有中空核心的轴主体；及冷却通道组件，环绕中空核心并配置于轴主体中，以通过内部冷却路径从基座移除热量，其中基板支撑件具有位于加热元件与环形冷却通道之间的热控制间隙。

公开(公告)号：CN104737274A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380050065.0

申请日：2013-10-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·拉贾戈帕兰 ,  X·韩 ,  M·齐昂 ,  M·奥加塔 ,  Z·蒋 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  J·周 ,  R·萨卡拉克利施纳 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  A·班塞尔 ,  J·李 ,  T·伊根 ,  E·布迪亚托 ,  D·帕纳修克 ,  T·Y·李 ,  J·陈 ,  M·阿优伯 ,  H·L·朴 ,  P·赖利 ,  S·沙克 ,  金秉宪 ,  S·斯塔里克

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5096 ,  G01B11/0625 ,  G01B11/0683 ,  G01N21/55 ,  G01N21/658 ,  G01N2201/1222 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/687

Abstract: 兹描述根据PECVD工艺来处理基板的设备和方法。调整基板的温度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。调整等离子体密度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。加热暴露于等离子体的腔室表面，以改善等离子体密度均匀性及减少腔室表面处低品质沉积物的形成。原位量测技术可用于监测沉积工艺的进行，及触发涉及基板温度分布、等离子体密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。

公开(公告)号：CN103400627A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310386155.9

申请日：2009-10-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y-H·杨 ,  T·A·恩古耶 ,  S·巴录佳 ,  A·卡祖巴 ,  J·C·罗查 ,  T·诺瓦克 ,  D·W·何

IPC: G21K1/06 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/065 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种用于紫外线灯的反射器，该紫外线灯可在基材处理设备中使用。该反射器包含在该紫外线灯长度上延伸的纵向带。该纵向带具有一弯曲反射表面并且包含数个通孔以将冷却剂气体导向该紫外线灯。在此亦描述使用具有反射器的紫外线灯模块的腔室以及紫外线处理的方法。

公开(公告)号：CN103109357A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201180044541.9

申请日：2011-09-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴录佳 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  A·T·迪莫斯 ,  T·诺瓦克 ,  J·周

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/263

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/482 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67742 ,  Y10T137/0391

Abstract: 本发明的实施例通常提供用于控制处理腔室内的气流分布的装置及方法。在一个实施例中，处理工具包括：紫外线处理腔室，该紫外线处理腔室界定处理区域；基板支撑件；窗口，该窗口设置于UV辐射源与该基板支撑件之间；以及透明喷洒器，该透明喷洒器设置于该窗口与该基板支撑件间的处理区域内且该透明喷洒器具有介于上处理区域与下处理区域间的一或更多透明喷洒器通道。该处理工具还包括气体分配环，该气体分配环具有介于气体分配环内沟槽与该上处理区域间的一或更多气体分配环通道；及气体出口环，该气体出口环设置于该气体分配环的下方，该气体出口环具有介于该气体出口环内的气体出口环内沟槽与该下处理区域间的一或更多气体出口通道。

公开(公告)号：CN105917456A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201580005173.5

申请日：2015-01-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： E·布迪亚尔托 ,  T·诺瓦克 ,  T·伊甘 ,  S·斯塔里克

IPC: H01L21/66

CPC classification number: C23C16/52 ,  G01B11/0625 ,  G01B11/0683 ,  H01J37/32917 ,  H01J37/32972

Abstract: 本公开的实施例使用反射测量实现膜属性(诸如厚度)的测量，而不考虑在基板或基层上的下层图案，因为生长的膜在任何波长上所造成的相移的量与所述基板或所述基层无关。所述方法的一个实施例包括从时间序列数据确定所述基板的属性。所述方法的另一个实施例包括通过分别在光源接通和断开的情况下作出两次连续测量来去除等离子体背景以便测量数据。另一个实施例包括通过监测等离子体标记或光学属性的相移来确定沉积开始时间。