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公开(公告)号：CN119816934A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380063130.7
申请日：2023-08-02
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 示例性基板处理系统可包括盖板。系统可包括具有RPS出口和旁通出口的气体馈送管线。系统可包括被支撑在盖板顶上的远程等离子体单元。远程等离子体单元可包括入口和出口。入口可与RPS出口耦接。系统可包括中心歧管，所述中心歧管具有与出口耦接的RPS入口以及与旁通出口耦接的旁通入口。中心歧管可包括多个出口端口。系统可包括多个侧歧管，所述多个侧歧管与出口端口流体耦接。侧歧管中的每一者可限定气体管腔。系统可包括安置在盖板上的多个输出歧管。每个输出歧管可与侧歧管中的一者的气体管腔流体耦接。
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公开(公告)号：CN112041967B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201980028076.6
申请日：2019-03-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： B·S·权 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , B·阿夫扎尔 , S·哈 , V·K·普拉巴卡尔 , V·卡尔塞卡尔 , S·托卡奇丘 , 爱德华四世·P·哈蒙德
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/311 , H01L21/033
Abstract: 在一个或多个实施例中，一种用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积碳硬掩模材料的方法包括：将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度；以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生等离子体。在一些示例中，温度在从约300℃至约700℃的范围内，并且RF功率大于3kW至约7kW。方法还包括使烃前驱物流动到工艺腔室内的等离子体中，并且以大于5000/min(诸如高达约10000/min或更快)的速率在基板上形成碳硬掩模层。
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公开(公告)号：CN113874548B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202080038428.9
申请日：2020-03-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/505 , H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 一种基板底座，包括：导热基板支撑件，导热基板支撑件包括网格；导热杆，导热杆中包括多个导通棒，各个导通棒具有第一端及第二端；以及传感器。各个导通棒的第一端电气耦合至网格，且传感器布置于各个导通棒的第一端及第二端之间，且配置成检测流过各个导通棒的电流。
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公开(公告)号：CN118251755A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280074448.0
申请日：2022-10-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 示例性基板处理系统可包括盖板。所述系统可包括安置在所述盖板上的气体分流器。所述气体分流器可包括顶表面和侧表面。所述气体分流器可界定第一气体入口和第二气体入口，其中每个气体入口延伸通过一个侧表面。所述气体分流器可界定延伸通过所述顶表面的第一气体出口和第二气体出口。所述气体分流器可界定第一气体管腔和第二气体管腔，所述气体管腔在每个气体入口与对应的气体出口之间延伸并流体耦接每个气体入口与对应的气体出口。所述气体分流器可界定混合通道，所述混合通道包括延伸通过侧表面的混合出口和延伸通过顶表面的混合入口。所述系统可包括安置在所述盖板上的输出歧管。所述系统可包括输出焊接件，所述输出焊接件将每个混合出口与所述输出歧管中的一个相应输出歧管流体耦接。
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公开(公告)号：CN117702090A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311711345.3
申请日：2020-01-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/503 , C23C16/509
Abstract: 本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面。所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的。所述底座还包括：电极，所述电极设置在所述主体中；以及一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116525400A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310691393.4
申请日：2019-12-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾 , V·S·C·帕里米 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , V·K·普拉巴卡尔
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。
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公开(公告)号：CN114175207A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080049741.2
申请日：2020-04-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： F·吴 , A·A·哈贾 , S·哈 , V·K·普拉巴卡尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩
IPC: H01J37/32
Abstract: 处理系统包括腔室主体、基板支撑件和盖组件。所述基板支撑件位于所述腔室主体中并且包括第一电极。所述盖组件定位在腔室主体上方并限定处理容积。所述盖组件包括面板、定位于所述面板和所述腔室主体之间的第二电极、以及定位于所述第二电极和所述处理容积之间的绝缘构件。电源系统耦接所述第一电极和所述面板，并且设置为在所述处理容积中生成等离子体。
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公开(公告)号：CN112166491A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201980033690.1
申请日：2019-05-29
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容的实施方式总的来说提供改进的方法，所述方法用于清洁真空腔室以在腔室陈化工艺之前从真空腔室移除吸附的污染物，同时将所述腔室维持在所期望的沉积处理温度下。所述污染物可由清洁气体与腔室部件以及真空腔室的壁反应而形成。
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公开(公告)号：CN112136202A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201980033026.7
申请日：2019-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·S·阿迪帕利 , S·卡坦布里 , M·G·库尔卡尼 , H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 , V·K·普拉巴卡尔 , 爱德华四世·P·哈蒙德 , J·C·罗查
IPC: H01J37/32 , C23C16/505 , C23C16/458
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于PECVD腔室的金属屏蔽件。金属屏蔽件包括基板支撑部分和轴部分。轴部分包括具有壁厚度的管状壁。管状壁具有嵌入其中的冷却剂通道的供应通道和冷却剂通道的返回通道。供应通道和返回通道中的各者是管状壁中的螺旋。螺旋供应通道和螺旋返回通道具有相同的旋转方向且彼此平行。供应通道和返回通道在管状壁中交错。通过在金属屏蔽件中交错的供应通道和返回通道，减小了金属屏蔽件中的热梯度。
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公开(公告)号：CN112041480A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980028655.0
申请日：2019-04-09
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明的实施例总体上涉及在厚膜沉积期间在等离子体处理腔室中减少电弧的装置。在一个实施例中，当在基板上沉积厚(大于两微米)层时，使用包括比基板的外径大约0.28英寸至约0.38英寸的内径的边缘环。层可以是介电层，诸如碳硬掩模层，例如非晶碳层。由于在厚层的沉积期间，在基板的外边缘和边缘环的内边缘之间的0.14英寸至0.19英寸的间隙，因此在维持层厚度均匀性的同时减少了基板支撑表面的电弧。
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