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公开(公告)号：CN107534008B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201680023585.6
申请日：2016-02-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本公开总体上关于用于在多个工艺腔室之间传送半导体基板的半导体工艺装备。更具体而言，本文中所述的实施例关于使用输送装置以在多个工艺腔室之间传送或交换半导体基板的系统与方法，所述输送装置采用至少两个叶片以用于在多个处理腔室之间同时传送基板。
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公开(公告)号：CN108292600A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680052365.6
申请日：2016-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·巴苏 , J·李 , P·康纳斯 , D·R·杜鲍斯 , P·K·库尔施拉希萨 , K·T·纳拉辛哈 , B·贝伦斯 , K·高希 , 周建华 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·D·李 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , H·小木曾 , L·克里武莉娜 , R·吉尔伯特 , M·瓦卡尔 , V·山卡拉姆茜 , H·K·波内坎蒂
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/6708 , H01L21/67201 , H01L21/68785
Abstract: 本文公开的实现描述一种在装载锁定斜面蚀刻腔室内的斜面蚀刻设备及其使用方法。所述斜面蚀刻设备具有在装载锁定斜面蚀刻腔室内的掩模组件。在蚀刻处理期间，掩模组件传输气体流，以控制斜面蚀刻，而无需使用阴影框。如此，在所述斜面边缘处的所述边缘排除可被减少，由此提高产品的良率。
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公开(公告)号：CN107534008A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680023585.6
申请日：2016-02-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
CPC classification number: B25J11/0095 , H01L21/67196 , H01L21/67742 , H01L21/67748
Abstract: 本公开总体上关于用于在多个工艺腔室之间传送半导体基板的半导体工艺装备。更具体而言，本文中所述的实施例关于使用输送装置以在多个工艺腔室之间传送或交换半导体基板的系统与方法，所述输送装置采用至少两个叶片以用于在多个处理腔室之间同时传送基板。
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公开(公告)号：CN104040732A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280065730.9
申请日：2012-12-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： H·K·波内坎蒂 , A·S·波利亚克 , J·莱厄罗伊斯 , M·S·考克斯 , C·T·莱恩 , E·P·哈蒙德四世 , H·P·穆格卡 , S·施莱弗 , W·布施贝克 , J·亨里希 , A·洛珀
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/18 , C23C14/568 , C23C16/54 , H01L21/67115 , H01L21/67173 , H01L21/6776
Abstract: 本发明大体提供一种用于形成太阳能电池装置的一或更多个区域的高产出基板处理系统。在处理系统的一个配置中，于包含在高产出基板处理系统内的一或更多个处理腔室内沉积并进一步处理一或更多个太阳能电池钝化层或介电层。处理腔室可为(例如)等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)腔室、低压化学气相沉积(LPCVD)腔室、原子层沉积(ALD)腔室、物理气相沉积(PVD)或溅镀腔室、热处理腔室(例如，RTA或RTO腔室)、基板重定向腔室(例如，翻转(flip)腔室)及/或其他类似的处理腔室。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108070849B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201711121327.4
申请日：2017-11-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 公开了真空处理腔室中的氢分压控制。本文所述的实施方式总体上涉及用于去除沉积系统中(诸如在气相沉积系统的真空前级管线中)发现的一种或多种处理副产物的方法。更具体地说，本公开的实施方式涉及减少系统中的氢积聚的方法。在另一实施方式中，提供了一种在沉积腔室中处理基板的方法。该方法包括在基板上沉积层，其中在沉积过程期间在与沉积腔室流体耦接的真空前级管线中产生含氢副产物。该方法还包括使氧化剂气体流入真空前级管线内，以与真空前级管线中的含氢副产物的至少一部分反应。
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公开(公告)号：CN107658249B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201710997020.4
申请日：2015-11-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本申请公开了包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统。本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。
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公开(公告)号：CN108070849A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711121327.4
申请日：2017-11-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 公开了真空处理腔室中的氢分压控制。本文所述的实施方式总体上涉及用于去除沉积系统中(诸如在气相沉积系统的真空前级管线中)发现的一种或多种处理副产物的方法。更具体地说，本公开的实施方式涉及减少系统中的氢积聚的方法。在另一实施方式中，提供了一种在沉积腔室中处理基板的方法。该方法包括在基板上沉积层，其中在沉积过程期间在与沉积腔室流体耦接的真空前级管线中产生含氢副产物。该方法还包括使氧化剂气体流入真空前级管线内，以与真空前级管线中的含氢副产物的至少一部分反应。
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公开(公告)号：CN107658249A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710997020.4
申请日：2015-11-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67207 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67213 , H01L21/67709 , H01L21/6776
Abstract: 本申请公开了包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统。本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。
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公开(公告)号：CN104170059A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380013503.6
申请日：2013-03-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H05H1/46 , C23C16/50
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45589 , C23C16/50 , C23C16/54
Abstract: 本文中描述使用线性等离子体源来控制膜沉积的方法和设备。该设备包括其中具有用以供气体流过的开口的喷洒头、设置于该喷洒头附近用以支撑一或多个基板在其上的输送器以及用以离子化该气体的电源。该离子化气体可以是用以在基板上沉积材料的来源气体。可以调整该材料在基板上的沉积轮廓，例如使用该设备中包括的气体成型装置。另外地或替代地，可以通过使用可致动的喷洒头来调整沉积轮廓。该方法包括使基板曝露于离子化气体，以在该基板上沉积膜，其中以气体成型装置影响该离子化气体，以在基板被输送到靠近该喷洒头时均匀地将膜沉积在该基板上。
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