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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105810623B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201610027061.6
申请日：2016-01-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/68
Abstract: 描述了用于对准基板尺度的掩模的方法和系统。所呈现的对准方法可以改善受基板尺度的掩模与基板的相对侧向位置影响的工艺的均匀性和可重复性。所述方法涉及测量所述基板在围绕所述基板尺度的掩模的外围的多个位置处的“悬伸”。基于所述测量，通过调节所述基板和/或掩模位置来修改所述基板相对于所述基板尺度的掩模的相对位置。在实施例中，对所述相对位置的所述调节在一次调节中进行。硬件和方法的特征涉及在基板处理系统被完全组装并可能在真空下时进行测量和调节的能力。
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公开(公告)号：CN108292600A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680052365.6
申请日：2016-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·巴苏 , J·李 , P·康纳斯 , D·R·杜鲍斯 , P·K·库尔施拉希萨 , K·T·纳拉辛哈 , B·贝伦斯 , K·高希 , 周建华 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·D·李 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , H·小木曾 , L·克里武莉娜 , R·吉尔伯特 , M·瓦卡尔 , V·山卡拉姆茜 , H·K·波内坎蒂
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/6708 , H01L21/67201 , H01L21/68785
Abstract: 本文公开的实现描述一种在装载锁定斜面蚀刻腔室内的斜面蚀刻设备及其使用方法。所述斜面蚀刻设备具有在装载锁定斜面蚀刻腔室内的掩模组件。在蚀刻处理期间，掩模组件传输气体流，以控制斜面蚀刻，而无需使用阴影框。如此，在所述斜面边缘处的所述边缘排除可被减少，由此提高产品的良率。
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公开(公告)号：CN107075671A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053158.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , S·拉斯 , P·P·杰哈 , S·巴苏 , K·D·李 , M·J·西蒙斯 , 金柏涵 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , Z·段 , 荆雷 , M·B·潘迪特
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/66
Abstract: 一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法可包括调节引入腔室主体的气体的气体流动轮廓、使腔室主体内的气体流向基板、旋转基板，及通过利用双区加热器控制基板温度来统一基板的中心至边缘温度轮廓。用于沉积膜的腔室可包括包含一个或多个处理区的腔室主体。腔室主体可包括气体分配组件，气体分配组件具有挡板以用于输送气体至一个或多个处理区。挡板具有第一区域与第二区域，第一区域与第二区域各具多个孔洞。腔室主体可具有双区加热器。
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公开(公告)号：CN105810623A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610027061.6
申请日：2016-01-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/68
Abstract: 描述了用于对准基板尺度的掩模的方法和系统。所呈现的对准方法可以改善受基板尺度的掩模与基板的相对侧向位置影响的工艺的均匀性和可重复性。所述方法涉及测量所述基板在围绕所述基板尺度的掩模的外围的多个位置处的“悬伸”。基于所述测量，通过调节所述基板和/或掩模位置来修改所述基板相对于所述基板尺度的掩模的相对位置。在实施例中，对所述相对位置的所述调节在一次调节中进行。硬件和方法的特征涉及在基板处理系统被完全组装并可能在真空下时进行测量和调节的能力。
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公开(公告)号：CN107075671B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201580053158.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , S·拉斯 , P·P·杰哈 , S·巴苏 , K·D·李 , M·J·西蒙斯 , 金柏涵 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , Z·段 , 荆雷 , M·B·潘迪特
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/66
Abstract: 一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法可包括调节引入腔室主体的气体的气体流动轮廓、使腔室主体内的气体流向基板、旋转基板，及通过利用双区加热器控制基板温度来统一基板的中心至边缘温度轮廓。用于沉积膜的腔室可包括包含一个或多个处理区的腔室主体。腔室主体可包括气体分配组件，气体分配组件具有挡板以用于输送气体至一个或多个处理区。挡板具有第一区域与第二区域，第一区域与第二区域各具多个孔洞。腔室主体可具有双区加热器。
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