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公开(公告)号：CN104737274A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380050065.0
申请日：2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： N·拉贾戈帕兰 , X·韩 , M·齐昂 , M·奥加塔 , Z·蒋 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T·诺瓦克 , J·周 , R·萨卡拉克利施纳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·班塞尔 , J·李 , T·伊根 , E·布迪亚托 , D·帕纳修克 , T·Y·李 , J·陈 , M·阿优伯 , H·L·朴 , P·赖利 , S·沙克 , 金秉宪 , S·斯塔里克
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5096 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01N21/55 , G01N21/658 , G01N2201/1222 , H01L21/00 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/687
Abstract: 兹描述根据PECVD工艺来处理基板的设备和方法。调整基板的温度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。调整等离子体密度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。加热暴露于等离子体的腔室表面，以改善等离子体密度均匀性及减少腔室表面处低品质沉积物的形成。原位量测技术可用于监测沉积工艺的进行，及触发涉及基板温度分布、等离子体密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。
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公开(公告)号：CN110211859B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910514110.2
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01J37/32 , H01L21/687 , C23C16/509 , C23C16/458
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
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公开(公告)号：CN103443909A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280015166.X
申请日：2012-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31122 , H01L21/0206 , H01L21/31144
Abstract: 本发明的实施例大致涉及干式剥离硼-碳膜的方法。在一个实施例中，利用氢与氧的交替等离子体来移除硼-碳膜。在另一实施例中，利用共同流动的氧与氢等离子体来移除含硼-碳的膜。除了上述氧等离子体的任一个以外可利用一氧化二氮等离子体，或者可利用一氧化二氮等离子体来取代上述氧等离子体的任一个。在另一实施例中，利用自水蒸气产生的等离子体来移除硼-碳膜。硼-碳移除工艺还可包括在硼-碳膜的移除之前的视情况的聚合物移除工艺。聚合物移除工艺包括将硼-碳膜暴露至NF3，以自硼-碳膜的表面移除在基板蚀刻工艺期间产生的任何碳基聚合物。
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公开(公告)号：CN109155234B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201780030199.4
申请日：2017-05-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/56 , H01L21/683
Abstract: 本文公开的实施方式涉及一种处理腔室，所述处理腔室中设置有透镜。在一个实施方式中，所述处理腔室包括：腔室主体、基板支撑组件、光源、和透镜。所述腔室主体限定所述处理腔室的内部容积。所述内部容积具有第一区域和第二区域。所述基板支撑组件设置在所述第二区域中。所述基板支撑组件被配置为支撑基板。所述光源设置在所述第一区域中，位于所述基板支撑组件上方。所述透镜设置在所述光源与所述基板支撑组件之间。所述透镜包括在其中形成的多个特征。所述多个特征被配置为当所述基板设置在所述基板支撑组件上时优先地将来自所述光源的光引导到所述基板上的感兴趣的区域。
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公开(公告)号：CN106133873B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201580013445.6
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
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公开(公告)号：CN102067279B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980124391.5
申请日：2009-05-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： R·萨卡拉克利施纳 , D·杜鲍斯 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T·诺瓦克 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , H·姆萨德
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , C23C16/44 , C23F4/00
CPC classification number: F16K31/0655 , B08B5/00 , B08B7/0021 , C23C16/4405 , C23C16/4409 , C23C16/45561 , F16K1/221 , F16K1/224 , F16K31/06 , F16K31/088 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提出一种用以清洁工艺腔室的方法与设备。在一个实施例中，本发明提供一种工艺腔室，包括远程等离子源与工艺腔室，所述工艺腔室具有至少两个工艺区域。各工艺区域包括：基材支撑组件，设置在所述工艺区域中；气体散布系统，配置以提供气体到所述基材支撑组件上方的所述工艺区域内；以及气体通道，配置以提供气体到所述基材支撑组件下方的所述工艺区域内。第一气体导管是配置以将清洁试剂从所述远程等离子源经由所述气体散布组件流入各所述工艺区域，而第二气体导管是配置以将来自所述第一气体导管的所述清洁试剂的一部分转向到各所述工艺区域的所述气体通道。
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公开(公告)号：CN110211859A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910514110.2
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01J37/32 , H01L21/687 , C23C16/509 , C23C16/458
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
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公开(公告)号：CN109155234A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780030199.4
申请日：2017-05-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/56 , H01L21/683
Abstract: 本文公开的实施方式涉及一种处理腔室，所述处理腔室中设置有透镜。在一个实施方式中，所述处理腔室包括：腔室主体、基板支撑组件、光源、和透镜。所述腔室主体限定所述处理腔室的内部容积。所述内部容积具有第一区域和第二区域。所述基板支撑组件设置在所述第二区域中。所述基板支撑组件被配置为支撑基板。所述光源设置在所述第一区域中，位于所述基板支撑组件上方。所述透镜设置在所述光源与所述基板支撑组件之间。所述透镜包括在其中形成的多个特征。所述多个特征被配置为当所述基板设置在所述基板支撑组件上时优先地将来自所述光源的光引导到所述基板上的感兴趣的区域。
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公开(公告)号：CN106458769A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580010199.9
申请日：2015-01-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 段仁官 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳
IPC: C04B35/64 , C04B35/10 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/48
CPC classification number: C04B41/0081 , C03C23/007 , C04B35/111 , C04B35/488 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/565 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B41/009 , C04B41/80 , C04B2235/3225 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/96 , C23C14/564 , C23C16/4401 , F27B17/0025 , F27D7/06 , F27D19/00 , F27D2007/063 , F27D2019/0028 , C04B35/00 , C04B35/10 , C04B35/584 , C04B35/48
Abstract: 本文描述的实施例大体而言涉及用于热处理在紫外线半导体处理腔室中使用的腔室部件的设备和方法。包含单式陶瓷或玻璃制品的腔室部件的热处理可以减少当腔室部件曝露于腐蚀性环境、诸如曝露于紫外光和臭氧/氧自由基时产生微粒的可能性。一种热处理腔室部件的方法包括：以可接受的变温速率将单式制品加热到期望的温度并持续期望的时间周期，并且随后以所述变温速率冷却所述单式制品。
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