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公开(公告)号：CN102474973B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201080032374.1
申请日：2010-07-19
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01P7/04
Abstract: 本文提供阻抗匹配网络的实施例。在一些实施例中，阻抗匹配网络可包括同轴共振器，该同轴共振器具有内导体与外导体。可提供调节电容器，其用以可改变地控制该同轴共振器的共振频率。该调节电容器可由第一调节电极、第二调节电极与中置电介质来形成，其中该第一调节电极由该内导体的一部分来形成。可提供负载电容器，其用以可改变地将来自该内导体的能量耦合到负载。该负载电容器可由该内导体、可调整负载电极与中置电介质来形成。
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公开(公告)号：CN102742365A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201080062730.4
申请日：2010-12-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 沃特·R·梅丽 , 瑟乔伊·弗库达·秀吉 , 张春雷 , 亚莎斯维尼·帕特 , 达·D·源 , 蒂娜·琼 , 沙恩·C·尼维尔 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 费纳多·M·斯李维亚 , 巴德·L·梅斯 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 汉密第·诺巴卡施
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32009 , G05B6/02 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01J2237/334 , H05H1/0081
Abstract: 用于利用减小的控制器响应时间和增加的稳定性来控制等离子体处理室中的温度的方法和设备。温度控制至少部分地基于从进入等离子体处理室的等离子体功率输入得到的前馈控制信号。对于归因于等离子体功率的温度干扰进行补偿的前馈控制信号可以与消除所测量的温度与期望温度之间的误差的反馈控制信号结合。
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公开(公告)号：CN102106192A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980129618.5
申请日：2009-07-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 瓦伦汀·N·图杜罗 , 萨姆尔·班纳 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 迈克尔·D·威尔沃斯
IPC: H05H1/34 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/321
Abstract: 本发明提出场加强感应耦合等离子体反应器和其使用方法的实施例。在一些实施例中，场加强感应耦合等离子体处理系统包括处理腔室，所述处理腔室具有电介质盖和设置于电介质盖上方的等离子体源组件。等离子体源组件包括：一或多个线圈，配置为将射频(RF)能量感应耦合至处理腔室内，以在其中形成及维持等离子体；一或多个电极，配置为将RF能量电容耦合至处理腔室内，以在其中形成等离子体，其中一或多个电极电气耦接至一或多个线圈的一者；以及RF产生器，耦接至一或多个感应线圈和一或多个电极。在一些实施例中，加热器组件设置在电介质盖与等离子体源组件之间。
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公开(公告)号：CN102077328A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980124559.2
申请日：2009-06-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 陈智刚 , 沙希德·劳夫 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米
IPC: H01L21/3065 , H05H1/34
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32091
Abstract: 本发明的实施例提供一种设备，该设备提供在处理腔室内的良好RF均一性。在一个实施例中，该设备包括基板支撑组件、终端及介电绝缘体。基板支撑组件具有中央通道，而中央通道沿着中心轴形成。提供RF传输线。该RF传输线具有大致垂直部分以及大致水平部分，其中，终端耦接至RF传输线的大致水平部分。介电绝缘体环绕RF传输线的大致水平部分。介电绝缘体具有第一开口，而终端通过第一开口。
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公开(公告)号：CN102077328B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200980124559.2
申请日：2009-06-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 陈智刚 , 沙希德·劳夫 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米
IPC: H01L21/3065 , H05H1/34
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32091
Abstract: 本发明的实施例提供一种设备，该设备提供在处理腔室内的良好RF均一性。在一个实施例中，该设备包括基板支撑组件、终端及介电绝缘体。基板支撑组件具有中央通道，而中央通道沿着中心轴形成。提供RF传输线。该RF传输线具有大致垂直部分以及大致水平部分，其中，终端耦接至RF传输线的大致水平部分。介电绝缘体环绕RF传输线的大致水平部分。介电绝缘体具有第一开口，而终端通过第一开口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102474973A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080032374.1
申请日：2010-07-19
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01P7/04
Abstract: 本文提供阻抗匹配网络的实施例。在一些实施例中，阻抗匹配网络可包括同轴共振器，该同轴共振器具有内导体与外导体。可提供调节电容器，其用以可改变地控制该同轴共振器的共振频率。该调节电容器可由第一调节电极、第二调节电极与中置电介质来形成，其中该第一调节电极由该内导体的一部分来形成。可提供负载电容器，其用以可改变地将来自该内导体的能量耦合到负载。该负载电容器可由该内导体、可调整负载电极与中置电介质来形成。
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公开(公告)号：CN106842966B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201611218907.0
申请日：2011-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 布赖恩·廖 , 塞吉奥·秀吉 , 达·D·源 , 汉密第·诺巴卡施 , 大卫·帕拉加斯维勒
Abstract: 本发明涉及通过冷却剂流量控制及加热器占空比控制的组件温度控制。公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。
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公开(公告)号：CN102106192B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN200980129618.5
申请日：2009-07-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 瓦伦汀·N·图杜罗 , 萨姆尔·班纳 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 迈克尔·D·威尔沃斯
IPC: H05H1/34 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/321
Abstract: 本发明提出场加强感应耦合等离子体反应器和其使用方法的实施例。在一些实施例中，场加强感应耦合等离子体处理系统包括处理腔室，所述处理腔室具有电介质盖和设置于电介质盖上方的等离子体源组件。等离子体源组件包括：一或多个线圈，配置为将射频(RF)能量感应耦合至处理腔室内，以在其中形成及维持等离子体；一或多个电极，配置为将RF能量电容耦合至处理腔室内，以在其中形成等离子体，其中一或多个电极电气耦接至一或多个线圈的一者；以及RF产生器，耦接至一或多个感应线圈和一或多个电极。在一些实施例中，加热器组件设置在电介质盖与等离子体源组件之间。
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公开(公告)号：CN102907181A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025294.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 布赖恩·廖 , 塞吉奥·秀吉 , 达·D·源 , 汉密第·诺巴卡施 , 大卫·帕拉加斯维勒
IPC: H05H1/24 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: G05D23/19 , G05B15/02 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/67248
Abstract: 公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。
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公开(公告)号：CN106842966A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611218907.0
申请日：2011-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 布赖恩·廖 , 塞吉奥·秀吉 , 达·D·源 , 汉密第·诺巴卡施 , 大卫·帕拉加斯维勒
CPC classification number: G05D23/19 , G05B15/02 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/67248 , H01J37/32935
Abstract: 本发明涉及通过冷却剂流量控制及加热器占空比控制的组件温度控制。公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。
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