公开(公告)号：CN102742365A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201080062730.4

申请日：2010-12-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 ,  沃特·R·梅丽 ,  瑟乔伊·弗库达·秀吉 ,  张春雷 ,  亚莎斯维尼·帕特 ,  达·D·源 ,  蒂娜·琼 ,  沙恩·C·尼维尔 ,  道格拉斯·A·小布什伯格 ,  费纳多·M·斯李维亚 ,  巴德·L·梅斯 ,  卡尔蒂克·拉马斯瓦米 ,  汉密第·诺巴卡施

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32009 ,  G05B6/02 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/334 ,  H05H1/0081

Abstract: 用于利用减小的控制器响应时间和增加的稳定性来控制等离子体处理室中的温度的方法和设备。温度控制至少部分地基于从进入等离子体处理室的等离子体功率输入得到的前馈控制信号。对于归因于等离子体功率的温度干扰进行补偿的前馈控制信号可以与消除所测量的温度与期望温度之间的误差的反馈控制信号结合。

公开(公告)号：CN102742365B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080062730.4

申请日：2010-12-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 ,  沃特·R·梅丽 ,  瑟乔伊·弗库达·秀吉 ,  张春雷 ,  亚莎斯维尼·帕特 ,  达·D·源 ,  蒂娜·琼 ,  沙恩·C·尼维尔 ,  道格拉斯·A·小布什伯格 ,  费纳多·M·斯李维亚 ,  巴德·L·梅斯 ,  卡尔蒂克·拉马斯瓦米 ,  汉密第·诺巴卡施

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32009 ,  G05B6/02 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/334 ,  H05H1/0081

Abstract: 用于利用减小的控制器响应时间和增加的稳定性来控制等离子体处理室中的温度的方法和设备。温度控制至少部分地基于从进入等离子体处理室的等离子体功率输入得到的前馈控制信号。对于归因于等离子体功率的温度干扰进行补偿的前馈控制信号可以与消除所测量的温度与期望温度之间的误差的反馈控制信号结合。