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公开(公告)号：CN108109897B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201810048710.X
申请日：2014-09-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/687 , H02K7/14
Abstract: 本公开涉及等离子体处理系统。一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号/功率。
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公开(公告)号：CN105580128A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480053119.3
申请日：2014-09-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号/功率。
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公开(公告)号：CN102474973A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080032374.1
申请日：2010-07-19
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01P7/04
Abstract: 本文提供阻抗匹配网络的实施例。在一些实施例中，阻抗匹配网络可包括同轴共振器，该同轴共振器具有内导体与外导体。可提供调节电容器，其用以可改变地控制该同轴共振器的共振频率。该调节电容器可由第一调节电极、第二调节电极与中置电介质来形成，其中该第一调节电极由该内导体的一部分来形成。可提供负载电容器，其用以可改变地将来自该内导体的能量耦合到负载。该负载电容器可由该内导体、可调整负载电极与中置电介质来形成。
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公开(公告)号：CN101971713A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108732.X
申请日：2009-02-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/36 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32009 , H01J37/32045 , H01J37/32091
Abstract: 本发明揭示用于控制等离子体均匀性的方法及设备。蚀刻基材时，非均匀等离子体可导致基材的不均匀蚀刻。阻抗电路可减轻不均匀等离子体以允许更均匀蚀刻。阻抗电路可布置在腔室壁与地、喷淋头与地、及阴极罐与地间。阻抗电路可包含一个或多个电感器及电容器。可预定电感器的电感及电容器的电容以确保等离子体均匀。此外，可在处理期间或处理步骤之间调整电感及电容以适合特定处理的需要。
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公开(公告)号：CN102106191B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN200980128986.8
申请日：2009-07-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 肯尼思·S·柯林斯 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 沙希德·劳夫 , 塙广二 , 詹尼弗·Y·孙 , 安德鲁·源 , 托尔斯特恩·B·莱尔 , 梅华·沈
IPC: H05H1/34 , H05H1/38 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32623 , H01J2237/2001 , H01L21/6833
Abstract: 在静电夹盘中，RF偏压功率系分别被施加至工件和环绕工件的制程套组环。由系统控制器所控制的至少一个可变阻抗组件系调节工件和制程套组环之间的RF偏压功率分配，以允许在工件最边缘处的等离子体鞘电场的动态调整，由此例如在不同的等离子体条件下使电场均匀性最佳化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101189772B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200680014183.6
申请日：2006-04-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , H01T23/00
CPC classification number: H01L21/68742 , H01L21/6831
Abstract: 用在对工件进行处理的反应器中的升降销组件包括大致平行于升降方向延伸的多个升降销。多个升降销的每个具有用于支撑工件的顶端和底端。升降台面向升降销的底端，并在大致平行于升降方向的方向上移动。小力检测器感测由升降销施加的力，该力足够大以指示所夹持的晶片，并且足够小以避免晶片脱离夹持。大力检测器感测在足以使晶片脱离夹持的范围中由升降销施加的力。
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公开(公告)号：CN102106191A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128986.8
申请日：2009-07-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 肯尼思·S·柯林斯 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 沙希德·劳夫 , 塙广二 , 詹尼弗·Y·孙 , 安德鲁·源 , 托尔斯特恩·B·莱尔 , 梅华·沈
IPC: H05H1/34 , H05H1/38 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32623 , H01J2237/2001 , H01L21/6833
Abstract: 在静电夹盘中，RF偏压功率系分别被施加至工件和环绕工件的制程套组环。由系统控制器所控制的至少一个可变阻抗组件系调节工件和制程套组环之间的RF偏压功率分配，以允许在工件最边缘处的等离子体鞘电场的动态调整，由此例如在不同的等离子体条件下使电场均匀性最佳化。
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公开(公告)号：CN100593230C
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200680014181.7
申请日：2006-04-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 塙广二
IPC: H01L21/306 , B05C11/00
CPC classification number: F16K1/526 , F16K1/22 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , Y10T137/87531
Abstract: 一种阀系统，具有高的最大气体导通性和对气体导通性的精密控制，所述阀系统包括：阀壳体，用于阻挡经过气体流路的气流；穿过所述壳体的大面积开口，具有第一弓形侧壁；穿过所述壳体的小面积开口，具有第二弓形侧壁；以及大面积和小面积可旋转阀翼片，分别位于所述大面积开口和小面积开口中并具有分别与所第一和第二弓形侧壁一致的弓形边缘，并在其间分别限定了第一阀间隙和第二阀间隙。第一阀间隙和第二阀间隙小到足以阻挡高达预定压力限制的所述阀壳体一侧的气流，从而消除了对O形环的任何需要。
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公开(公告)号：CN101355004A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810134627.0
申请日：2008-07-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯 , 卡洛·贝拉 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 塙广二 , 安德鲁·源 , 史蒂文·C·香农 , 劳伦斯·黄 , 小林聪 , 特洛伊·S·德特里克 , 詹姆斯·P·克鲁斯
IPC: H01J37/00 , H05H1/46 , H01L21/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/16 , H01J37/20 , H01J37/32082 , H01J37/32623 , H01J37/32697 , H01J37/32834
Abstract: 本发明提供了用电旁路元件减小电歪斜的等离子体反应器。通过设置旁路电流路径来将RF接地返回电流从反应器室的非对称特征绕开。一种旁路电流路径避开了室底板中的泵送端口，并包括从侧壁向接地的基座基部延伸的导电对称格栅。另一种旁路电流路径避开了晶片狭缝阀，并包括导电带的阵列，导电带的阵列将狭缝阀占据的侧壁部分桥接。
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公开(公告)号：CN1599020A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410078080.9
申请日：2004-09-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/077 , H01J37/20 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/077 , H01J37/3171 , H01J2237/0044 , H01J2237/06375
Abstract: 本发明提供一种可喷出低能量电子从而减轻了维护负担的电子喷射装置及具有该电子喷射装置的离子注入装置。本发明的电子喷射装置(1)具有舱室(22)，该舱室(22)沿着规定的闭曲线(Ax)延伸并具有由导体构成的第一部分(22a)和由绝缘体构成的第二部分(22b)。在第一部分(22a)的外侧设置有线圈(18)，从而在与规定的闭曲线(Ax)所形成的面交叉的方向上形成磁场。通过该磁场，线圈(18)与舱室(22)感应耦合。由于惰性气体的等离子体主要通过感应耦合在舱室(22)生成，因此等离子体中的电子具有低能量。这里，向电极(21)施加电压时，舱室(22)内的具有低能量的电子将从开口(14)喷出。
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