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公开(公告)号：CN101978475B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200980110363.8
申请日：2009-03-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迈克尔·D·威尔沃斯 , 大卫·帕拉加斯维勒 , 瓦伦顿·N·图杜罗 , 斯蒂芬·源
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , C23C14/22 , C23C16/44 , H01F21/12 , H01J37/32321 , H01J37/32522 , H01J37/32623 , H01J37/32935 , H01J2237/327 , H01J2237/334 , H01L21/67017 , H01L21/67069 , H05B6/02 , H05B6/108
Abstract: 本发明提供了一种适于与等离子体处理室一同使用的屏蔽性盖加热器、具有屏蔽性盖加热器的等离子体处理室以及等离子体处理的方法。本发明的方法及设备增强了等离子体处理室中的等离子体位置的位置控制，且可用于蚀刻、沉积、注入及热处理系统，以及其它期望控制等离子体位置的应用。在一个实施例中，提供了一种屏蔽性盖加热器，其包含将加热器元件夹置于其间的铝底座及RF屏蔽件。
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公开(公告)号：CN101383272B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200810210599.6
申请日：2008-09-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹·卡兹 , 大卫·帕拉加斯维勒 , 迈克尔·D·威尔沃斯 , 瓦伦顿·N·图杜罗 , 亚历山大·M·帕特森
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及用于等离子体反应器室的晶片支架，其中所述晶片支架具有与晶片边缘相邻且包围晶片边缘的晶片边缘气体注射器。
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公开(公告)号：CN106842966B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201611218907.0
申请日：2011-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 布赖恩·廖 , 塞吉奥·秀吉 , 达·D·源 , 汉密第·诺巴卡施 , 大卫·帕拉加斯维勒
Abstract: 本发明涉及通过冷却剂流量控制及加热器占空比控制的组件温度控制。公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102907181A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025294.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 布赖恩·廖 , 塞吉奥·秀吉 , 达·D·源 , 汉密第·诺巴卡施 , 大卫·帕拉加斯维勒
IPC: H05H1/24 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: G05D23/19 , G05B15/02 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/67248
Abstract: 公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。
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公开(公告)号：CN106842966A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611218907.0
申请日：2011-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 布赖恩·廖 , 塞吉奥·秀吉 , 达·D·源 , 汉密第·诺巴卡施 , 大卫·帕拉加斯维勒
CPC classification number: G05D23/19 , G05B15/02 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/67248 , H01J37/32935
Abstract: 本发明涉及通过冷却剂流量控制及加热器占空比控制的组件温度控制。公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。
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公开(公告)号：CN102907181B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201180025294.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 布赖恩·廖 , 塞吉奥·秀吉 , 达·D·源 , 汉密第·诺巴卡施 , 大卫·帕拉加斯维勒
IPC: H05H1/24 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: G05D23/19 , G05B15/02 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/67248
Abstract: 公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。
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公开(公告)号：CN101978475A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110363.8
申请日：2009-03-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迈克尔·D·威尔沃斯 , 大卫·帕拉加斯维勒 , 瓦伦顿·N·图杜罗 , 斯蒂芬·源
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , C23C14/22 , C23C16/44 , H01F21/12 , H01J37/32321 , H01J37/32522 , H01J37/32623 , H01J37/32935 , H01J2237/327 , H01J2237/334 , H01L21/67017 , H01L21/67069 , H05B6/02 , H05B6/108
Abstract: 本发明提供了一种适于与等离子体处理室一同使用的屏蔽性盖加热器、具有屏蔽性盖加热器的等离子体处理室以及等离子体处理的方法。本发明的方法及设备增强了等离子体处理室中的等离子体位置的位置控制，且可用于蚀刻、沉积、注入及热处理系统，以及其它期望控制等离子体位置的应用。在一个实施例中，提供了一种屏蔽性盖加热器，其包含将加热器元件夹置于其间的铝底座及RF屏蔽件。
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公开(公告)号：CN101383272A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810210599.6
申请日：2008-09-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹·卡兹 , 大卫·帕拉加斯维勒 , 迈克尔·D·威尔沃斯 , 瓦伦顿·N·图杜罗 , 亚历山大·M·帕特森
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及用于等离子体反应器室的晶片支架，其中所述晶片支架具有与晶片边缘相邻且包围晶片边缘的晶片边缘气体注射器。
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