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公开(公告)号：CN102870503B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201180021881.X
申请日：2011-06-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡洛·贝拉 , 拉瑞·D·艾利萨迦
CPC classification number: H01J37/02 , F28D2021/0028 , F28F7/02 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 用于在等离子体处理设备执行等离子体处理时控制处理或腔室部件温度的部件和系统。第一传热流体通道设置于部件中、等离子体处理腔室内设置的工作表面下方，使得该第一通道在该工作表面的第一温度区域下方的第一长度可包括与该第一通道在该工作表面的第二温度区域下方的第二长度不同的传热系数(h)或传热面积(A)。在实施例中，不同的传热系数或传热面积设置成温度区域的函数，以使对该第一温度区域与该第二温度区域的温度控制更为独立。
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公开(公告)号：CN102907180B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201180019903.9
申请日：2011-06-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 哈密迪·塔瓦索里 , 逍平·周 , 沙恩·C·尼维尔 , 道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 费纳多·M·斯李维亚 , 巴德·L·梅斯 , 蒂娜·琼 , 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 亚莎斯维尼·B·帕特 , 达·D·源 , 沃特·R·梅丽
CPC classification number: H01J37/20 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J2237/2001 , H05H1/34
Abstract: 本发明描述通过脉冲式施加加热功率和脉冲式施加冷却功率来控制等离子体处理腔室中的温度的方法和系统。在实施例中，温度控制至少部分地基于前馈控制信号，前馈控制信号源自输入到处理腔室中的等离子体功率。在另一实施例中，部分地通过耦接两个储器的被动平衡管，来维持热储器与冷储器各自的液位，两个储器耦接至温度受控部件。在另一实施例中，随着取决于加热/冷却工作循环值和比例循环的脉冲宽度，打开数字式传热流体流量控制阀，比例循环具有提供良好温度控制性能的持续时间。
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公开(公告)号：CN102742365A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201080062730.4
申请日：2010-12-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 沃特·R·梅丽 , 瑟乔伊·弗库达·秀吉 , 张春雷 , 亚莎斯维尼·帕特 , 达·D·源 , 蒂娜·琼 , 沙恩·C·尼维尔 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 费纳多·M·斯李维亚 , 巴德·L·梅斯 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 汉密第·诺巴卡施
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32009 , G05B6/02 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01J2237/334 , H05H1/0081
Abstract: 用于利用减小的控制器响应时间和增加的稳定性来控制等离子体处理室中的温度的方法和设备。温度控制至少部分地基于从进入等离子体处理室的等离子体功率输入得到的前馈控制信号。对于归因于等离子体功率的温度干扰进行补偿的前馈控制信号可以与消除所测量的温度与期望温度之间的误差的反馈控制信号结合。
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公开(公告)号：CN106842966B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201611218907.0
申请日：2011-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 布赖恩·廖 , 塞吉奥·秀吉 , 达·D·源 , 汉密第·诺巴卡施 , 大卫·帕拉加斯维勒
Abstract: 本发明涉及通过冷却剂流量控制及加热器占空比控制的组件温度控制。公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。
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公开(公告)号：CN102907181A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025294.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 布赖恩·廖 , 塞吉奥·秀吉 , 达·D·源 , 汉密第·诺巴卡施 , 大卫·帕拉加斯维勒
IPC: H05H1/24 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: G05D23/19 , G05B15/02 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/67248
Abstract: 公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106842966A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611218907.0
申请日：2011-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 布赖恩·廖 , 塞吉奥·秀吉 , 达·D·源 , 汉密第·诺巴卡施 , 大卫·帕拉加斯维勒
CPC classification number: G05D23/19 , G05B15/02 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/67248 , H01J37/32935
Abstract: 本发明涉及通过冷却剂流量控制及加热器占空比控制的组件温度控制。公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。
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公开(公告)号：CN102907181B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201180025294.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 布赖恩·廖 , 塞吉奥·秀吉 , 达·D·源 , 汉密第·诺巴卡施 , 大卫·帕拉加斯维勒
IPC: H05H1/24 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: G05D23/19 , G05B15/02 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/67248
Abstract: 公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。
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公开(公告)号：CN102742365B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201080062730.4
申请日：2010-12-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 沃特·R·梅丽 , 瑟乔伊·弗库达·秀吉 , 张春雷 , 亚莎斯维尼·帕特 , 达·D·源 , 蒂娜·琼 , 沙恩·C·尼维尔 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 费纳多·M·斯李维亚 , 巴德·L·梅斯 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 汉密第·诺巴卡施
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32009 , G05B6/02 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01J2237/334 , H05H1/0081
Abstract: 用于利用减小的控制器响应时间和增加的稳定性来控制等离子体处理室中的温度的方法和设备。温度控制至少部分地基于从进入等离子体处理室的等离子体功率输入得到的前馈控制信号。对于归因于等离子体功率的温度干扰进行补偿的前馈控制信号可以与消除所测量的温度与期望温度之间的误差的反馈控制信号结合。
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公开(公告)号：CN102907180A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180019903.9
申请日：2011-06-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 哈密迪·塔瓦索里 , 逍平·周 , 沙恩·C·尼维尔 , 道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 费纳多·M·斯李维亚 , 巴德·L·梅斯 , 蒂娜·琼 , 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 亚莎斯维尼·B·帕特 , 达·D·源 , 沃特·R·梅丽
CPC classification number: H01J37/20 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J2237/2001 , H05H1/34
Abstract: 本发明描述通过脉冲式施加加热功率和脉冲式施加冷却功率来控制等离子体处理腔室中的温度的方法和系统。在实施例中，温度控制至少部分地基于前馈控制信号，前馈控制信号源自输入到处理腔室中的等离子体功率。在另一实施例中，部分地通过耦接两个储器的被动平衡管，来维持热储器与冷储器各自的液位，两个储器耦接至温度受控部件。在另一实施例中，随着取决于加热/冷却工作循环值和比例循环的脉冲宽度，打开数字式传热流体流量控制阀，比例循环具有提供良好温度控制性能的持续时间。
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公开(公告)号：CN102870503A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201180021881.X
申请日：2011-06-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 , 卡洛·贝拉 , 拉瑞·D·艾利萨迦
CPC classification number: H01J37/02 , F28D2021/0028 , F28F7/02 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 用于在等离子体处理设备执行等离子体处理时控制处理或腔室部件温度的部件和系统。第一传热流体通道设置于部件中、等离子体处理腔室内设置的工作表面下方，使得该第一通道在该工作表面的第一温度区域下方的第一长度可包括与该第一通道在该工作表面的第二温度区域下方的第二长度不同的传热系数(h)或传热面积(A)。在实施例中，不同的传热系数或传热面积设置成温度区域的函数，以使对该第一温度区域与该第二温度区域的温度控制更为独立。
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