Patent search ap:("尔必达存储器株式会社") AND inv:"渡边祐二" Page 1

1.

发明公开
半导体器件失效

公开(公告)号：CN1665027A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200410081801.1

申请日：2004-12-30

Applicant: 株式会社日立制作所 , 尔必达存储器株式会社

Inventor： 谷江尚史 , 久野奈柄 , 太田裕之 , 池田博明 , 安生一郎 , 片桐光昭 , 渡边祐二

IPC: H01L25/10

CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L24/48 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 课题在于提供可以降低动作时的温度上升的半导体器件。把接口芯片2叠层到叠层起来的多个半导体元件1的上面。在多个半导体元件1的下面，配置Si内插板3和树脂基板内插板4。Si内插板3配置在树脂内插板4与多个半导体元件1之间，厚度比半导体元件1的厚度更厚，而且，具有小于树脂内插板4的线膨胀系数，大于等于多个半导体元件1的线膨胀系数的线膨胀系数。

2.

发明授权
半导体器件失效

公开(公告)号：CN100411172C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200410081801.1

申请日：2004-12-30

Applicant: 株式会社日立制作所 , 尔必达存储器株式会社

Inventor： 谷江尚史 , 久野奈柄 , 太田裕之 , 池田博明 , 安生一郎 , 片桐光昭 , 渡边祐二

IPC: H01L25/10

CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L24/48 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 课题在于提供可以降低动作时的温度上升的半导体器件。把接口芯片(2)叠层到叠层起来的多个半导体元件(1)的上面。在多个半导体元件(1)的下面，配置Si内插板(3)和树脂基板内插板(4)。Si内插板(3)配置在树脂内插板(4)与多个半导体元件(1)之间，厚度比半导体元件(1)的厚度更厚，而且，具有小于树脂内插板(4)的线膨胀系数，大于等于多个半导体元件(1)的线膨胀系数的线膨胀系数。

3.

发明授权
半导体装置失效

公开(公告)号：CN100345268C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200510056050.2

申请日：2005-03-21

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 渡边祐二 , 片桐光昭 , 谷江尚史 , 中村淳 , 佐藤朝彦

IPC: H01L21/60 , H01L23/48 , H05K3/34

CPC classification number: H05K1/111 , H01L21/563 , H01L23/3114 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73203 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01087 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H05K2201/09281 , H05K2201/094 , H05K2201/10734 , Y02P70/611 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 半导体装置，具有：半导体封装件(2)；以及安装基板(5)，该安装基板(5)具有通过焊料突起(4)而与半导体封装件(2)电连接的焊盘(8)。安装基板(5)上形成了多个由多个焊盘(8)配置而成的列，构成位于分别离主边最近的一侧的列的焊盘(8)中的至少一个，具有从焊盘(8)沿着安装基板面延伸的布线(9)，主边构成了半导体封装件外缘。布线(9)按以下方式形成：与焊盘(8)对应的联络部位于与连接焊盘(8)的中心和半导体封装件(2)的中心的线段相比，靠近与该线段在焊盘(8)中心直交的线段的一侧。

4.

发明公开
半导体装置失效

公开(公告)号：CN1670936A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510056050.2

申请日：2005-03-21

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 渡边祐二 , 片桐光昭 , 谷江尚史 , 中村淳 , 佐藤朝彦

IPC: H01L21/60 , H01L23/48 , H05K3/34

CPC classification number: H05K1/111 , H01L21/563 , H01L23/3114 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73203 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01087 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H05K2201/09281 , H05K2201/094 , H05K2201/10734 , Y02P70/611 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 半导体装置，具有：半导体封装件(2)；以及安装基板(5)，该安装基板(5)具有通过焊料突起(4)而与半导体封装件(2)电连接的焊盘(8)。安装基板(5)上形成了多个由多个焊盘(8)配置而成的列，构成位于分别离主边最近的一侧的列的焊盘(8)中的至少一个，具有从焊盘(8)沿着安装基板面延伸的布线(9)，主边构成了半导体封装件外缘。布线(9)按以下方式形成：与焊盘(8)对应的联络部位于与连接焊盘(8)的中心和半导体封装件(2)的中心的线段相比，靠近与该线段在焊盘(8)中心直交的线段的一侧。

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