公开(公告)号：CN103137500A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210495599.1

申请日：2012-11-28

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 伊藤洋行 ,  樱田伸一

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14151 ,  H01L2224/14156 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本文公开一种制造半导体器件的方法，包括：堆叠多个半导体芯片以形成第一芯片层叠体，提供底部填料以填充半导体芯片之间的间隙，使得在第一芯片层叠体周围形成填角部分，以及修整填角部分以形成第二芯片层叠体。