公开(公告)号：CN1283008C

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN03107255.0

申请日：2003-03-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 齐藤丈靖 ,  上野清治

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509

Abstract: 在此提供一种半导体器件，其中包括：形成在半导体基片上的第一绝缘膜；垂直和水平地形成在存储单元区域中的第一绝缘膜上的实际操作电容器；有选择地形成在该存储单元区域的四个角上的伪电容器；以及形成在该实际操作晶体管和伪电容器上的第二绝缘膜。

公开(公告)号：CN1988149A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610071803.1

申请日：2006-03-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 饭岛真纪 ,  上野清治 ,  井川治

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L23/42 ,  H01L23/3675 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/19105 ,  Y10T428/12389 ,  Y10T428/24926 ,  Y10T428/24942

Abstract: 一种半导体器件，包括：板；半导体元件，安装于该板的主表面中的一个之上；多个无源元件，设置于该半导体元件的附近；以及散热片，安装于该板的上方并经由导热材料连接至该半导体元件的背面。该散热片与该导热材料接触的表面的表面粗糙度在整个表面上是不均匀的。

公开(公告)号：CN1825595A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005095.1

申请日：2003-03-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 齐藤丈靖 ,  上野清治

IPC: H01L27/115

Abstract: 在此提供一种半导体器件，其中包括：形成在半导体基片上的第一绝缘膜；垂直和水平地形成在存储单元区域中的第一绝缘膜上的实际操作电容器；有选择地形成在该存储单元区域的四个角上的伪电容器；以及形成在该实际操作晶体管和伪电容器上的第二绝缘膜。

公开(公告)号：CN1445856A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03107255.0

申请日：2003-03-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 齐藤丈靖 ,  上野清治

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509

Abstract: 在此提供一种半导体器件，其中包括：形成在半导体基片上的第一绝缘膜；垂直和水平地形成在存储单元区域中的第一绝缘膜上的实际操作电容器；有选择地形成在该存储单元区域的四个角上的伪电容器；以及形成在该实际操作晶体管和伪电容器上的第二绝缘膜。