公开(公告)号：CN113892189B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202080039260.3

申请日：2020-05-26

Applicant: 富士电机株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 俵武志 ,  水岛智教 ,  松永慎一郎 ,  竹中研介 ,  武井学 ,  土田秀一 ,  村田晃一 ,  小山皓洋 ,  中山浩二 ,  染谷满 ,  米泽喜幸 ,  木内祐治

IPC: H10D30/63 ,  H10D30/01 ,  H10D12/00 ,  H10D12/01 ,  H10D18/00 ,  H10D62/10 ,  H10D62/80 ,  H10D8/00 ,  H10D8/50

Abstract: 碳化硅半导体装置(60)具有有源区(51)和配置于上述有源区(51)的外侧的终端结构部(53)。碳化硅半导体装置(60)具备第二导电型的半导体基板(1)、第二导电型的第一半导体层(2)、第一导电型的第二半导体层(4)、第二导电型的第一半导体区(6)、第一导电型的第二半导体区(7)、栅绝缘膜(9)、栅电极(10)、第一电极(11)和第二电极(12)。第二半导体层(4)的位于终端结构部(53)的端部(T)在通电时的电子密度或空穴的密度中的更小的一方的密度为1×1015/cm3以下。

公开(公告)号：CN113892189A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202080039260.3

申请日：2020-05-26

Applicant: 富士电机株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 俵武志 ,  水岛智教 ,  松永慎一郎 ,  竹中研介 ,  武井学 ,  土田秀一 ,  村田晃一 ,  小山皓洋 ,  中山浩二 ,  染谷满 ,  米泽喜幸 ,  木内祐治

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 碳化硅半导体装置(60)具有有源区(51)和配置于上述有源区(51)的外侧的终端结构部(52)。碳化硅半导体装置(60)具备第二导电型的半导体基板(1)、第二导电型的第一半导体层(2)、第一导电型的第二半导体层(4)、第二导电型的第一半导体区(6)、第一导电型的第二半导体区(7)、栅绝缘膜(9)、栅电极(10)、第一电极(11)和第二电极(12)。第二半导体层(4)的位于终端结构部(52)的端部(T)在通电时的电子密度或空穴的密度中的更小的一方的密度为1×1015/cm3以下。

公开(公告)号：CN102804394A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080065423.1

申请日：2010-09-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大濑直之 ,  竹中研介

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1824 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了具有良好电池特性的太阳能电池、以及该太阳能电池的制造方法。具体地，公开了包括至少一层光电转换元件的太阳能电池的制造方法，在这些层中由微晶硅膜构成的i型硅层设置在n型硅层和p型硅层之间，并且基板侧n型硅层或p型硅层由非晶硅膜构成。在该方法中，通过将含硅烷气体和氢气的混合气体引入腔室的等离子体CVD法来形成光电转换元件，并且在基板侧n型硅层或p型硅层与i型硅层之间形成由微晶硅膜构成的籽晶层。籽晶层在与基板侧n型硅层或p型硅层接触的部分中具有比i型硅层低的结晶率，并且继续至结晶率朝着i型硅层阶段性地或逐渐地增大的i型硅层。