公开(公告)号：CN113892189A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202080039260.3

申请日：2020-05-26

Applicant: 富士电机株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 俵武志 ,  水岛智教 ,  松永慎一郎 ,  竹中研介 ,  武井学 ,  土田秀一 ,  村田晃一 ,  小山皓洋 ,  中山浩二 ,  染谷满 ,  米泽喜幸 ,  木内祐治

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 碳化硅半导体装置(60)具有有源区(51)和配置于上述有源区(51)的外侧的终端结构部(52)。碳化硅半导体装置(60)具备第二导电型的半导体基板(1)、第二导电型的第一半导体层(2)、第一导电型的第二半导体层(4)、第二导电型的第一半导体区(6)、第一导电型的第二半导体区(7)、栅绝缘膜(9)、栅电极(10)、第一电极(11)和第二电极(12)。第二半导体层(4)的位于终端结构部(52)的端部(T)在通电时的电子密度或空穴的密度中的更小的一方的密度为1×1015/cm3以下。

公开(公告)号：CN113892189B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202080039260.3

申请日：2020-05-26

Applicant: 富士电机株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 俵武志 ,  水岛智教 ,  松永慎一郎 ,  竹中研介 ,  武井学 ,  土田秀一 ,  村田晃一 ,  小山皓洋 ,  中山浩二 ,  染谷满 ,  米泽喜幸 ,  木内祐治

IPC: H10D30/63 ,  H10D30/01 ,  H10D12/00 ,  H10D12/01 ,  H10D18/00 ,  H10D62/10 ,  H10D62/80 ,  H10D8/00 ,  H10D8/50

Abstract: 碳化硅半导体装置(60)具有有源区(51)和配置于上述有源区(51)的外侧的终端结构部(53)。碳化硅半导体装置(60)具备第二导电型的半导体基板(1)、第二导电型的第一半导体层(2)、第一导电型的第二半导体层(4)、第二导电型的第一半导体区(6)、第一导电型的第二半导体区(7)、栅绝缘膜(9)、栅电极(10)、第一电极(11)和第二电极(12)。第二半导体层(4)的位于终端结构部(53)的端部(T)在通电时的电子密度或空穴的密度中的更小的一方的密度为1×1015/cm3以下。

公开(公告)号：CN118786531A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202280092813.0

申请日：2022-03-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小山皓洋 ,  岩松俊明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体装置具备：场绝缘膜（10），与形成于终端沟槽（7）的第1栅极电极（9）相接，覆盖在栅极沟槽（6）的延伸方向上离栅极沟槽（6）远的一方的终端沟槽上端角部（7a）的上方地从终端沟槽（7）的内侧到外侧而形成，厚度比栅极绝缘膜（8）的厚度厚；以及第2栅极电极（13），与场绝缘膜（10）之上和形成于终端沟槽（7）的第1栅极电极（9）之上相接，在栅极沟槽（6）的延伸方向上从终端沟槽（7）的内侧到外侧而承载到场绝缘膜（10），通过该结构，能够防止在栅极引出部（70）形成于离活性区域（40）远的一方的终端沟槽上端角部（7a）的栅极绝缘膜（8）破坏。

公开(公告)号：CN106256024B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201480078514.7

申请日：2014-12-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 海老原洪平 ,  小山皓洋 ,  纐缬英典 ,  长江明美 ,  川原洸太朗 ,  渡边宽 ,  田口健介 ,  日野史郎

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78

Abstract: 其目的在于提供一种能够缓和开关时的电场来提高元件耐压的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置(100)具备：场绝缘膜(3)，形成于碳化硅基板(1)的表面上；第一表面电极(4)，搭载于场绝缘膜(3)而形成；第二表面电极(5)，覆盖第一表面电极(4)并超过第一表面电极(4)的外周端而延伸到场绝缘膜(3)上；以及第二导电类型的终端阱区域(2)，在碳化硅基板(1)内延伸到比第二表面电极(5)的外周端更靠外周侧的位置，第二表面电极(5)的外周端和场绝缘膜(3)的内周端的距离小于对第二表面电极(5)的外周下端施加的电场强度与构成场绝缘膜(3)或者表面保护(6)的绝缘材料的绝缘破坏强度中的较小的绝缘破坏强度相等时的第二表面电极(5)的外周端和场绝缘膜(3)的内周端的距离。

公开(公告)号：CN119769193A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202280099413.2

申请日：2022-09-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小山皓洋 ,  岩松俊明

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10D12/00 ,  H10D30/01

Abstract: 半导体装置具备：形成于激活区域(50)的栅极沟槽(22)；形成于栅极沟槽(22)内的栅极绝缘膜(10)及栅极电极层(11)；形成于覆盖栅极电极层(11)的层间绝缘膜(13)上的栅极布线电极(15)；以及在终端区域(60)形成于漂移层(2)的外部沟槽(6)。在外部沟槽(6)内形成有覆盖外部沟槽(6)的上端角部(6a)的电位固定层(8)和形成于电位固定层(8)之上的绝缘层(9)。栅极绝缘膜(10)和栅极电极层(11)延伸至外部沟槽(6)内，栅极电极层(11)通过在外部沟槽(6)内形成于层间绝缘膜(13)的接触孔而与栅极布线电极(15)连接。

公开(公告)号：CN109478559B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201780043495.8

申请日：2017-05-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小山皓洋 ,  海老原洪平

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体层(2)由碳化硅形成，具有元件区域(RE)和元件区域(RE)的外侧的终端区域(RT)，具有n型。多个场限环区域(5)设置于半导体层(2)的终端区域(RT)，具有p型，相互分离地配置。场绝缘膜(7)设置于半导体层(2)的终端区域(RT)上，与场限环区域(5)以及半导体层(2)相接。场限环区域(5)各自包括与场绝缘膜(7)相接且含有卤素族原子的含卤素场限环部(5h)。

公开(公告)号：CN109478559A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780043495.8

申请日：2017-05-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小山皓洋 ,  海老原洪平

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体层(2)由碳化硅形成，具有元件区域(RE)和元件区域(RE)的外侧的终端区域(RT)，具有n型。多个场限环区域(5)设置于半导体层(2)的终端区域(RT)，具有p型，相互分离地配置。场绝缘膜(7)设置于半导体层(2)的终端区域(RT)上，与场限环区域(5)以及半导体层(2)相接。场限环区域(5)各自包括与场绝缘膜(7)相接且含有卤素族原子的含卤素场限环部(5h)。

公开(公告)号：CN106256024A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201480078514.7

申请日：2014-12-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 海老原洪平 ,  小山皓洋 ,  纐缬英典 ,  长江明美 ,  川原洸太朗 ,  渡边宽 ,  田口健介 ,  日野史郎

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78

Abstract: 其目的在于提供一种能够缓和开关时的电场来提高元件耐压的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置(100)具备：场绝缘膜(3)，形成于碳化硅基板(1)的表面上；第一表面电极(4)，搭载于场绝缘膜(3)而形成；第二表面电极(5)，覆盖第一表面电极(4)并超过第一表面电极(4)的外周端而延伸到场绝缘膜(3)上；以及第二导电类型的终端阱区域(2)，在碳化硅基板(1)内延伸到比第二表面电极(5)的外周端更靠外周侧的位置，第二表面电极(5)的外周端和场绝缘膜(3)的内周端的距离小于对第二表面电极(5)的外周下端施加的电场强度与构成场绝缘膜(3)或者表面保护(6)的绝缘材料的绝缘破坏强度中的较小的绝缘破坏强度相等时的第二表面电极(5)的外周端和场绝缘膜(3)的内周端的距离。