一种具有复制单元字线电压抬升技术的SRAM时序控制电路

    公开(公告)号:CN105070316A

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201510544173.4

    申请日:2015-08-27

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种SRAM复制位线电路,包括:时序复制电路模块与复制单元字线电压抬升模块;其中:所述时序复制电路模块并联在复制单元字线与复制位线之间;所述复制单元字线电压抬升模块一端与时钟信号端相连,另一端与所述复制单元字线相连,用于将输入的时钟信号处理为高电压的电平信号,并传输给复制单元字线;复制单元字线的电压越大,放电单元电流及其偏差越大,从而使得时序控制电路延迟偏差越小。本发明提供的电路不仅在低电源电压下具有很好的抗工艺偏差能力,同时不会大幅度增加芯片的面积,且不影响芯片运行速度。

    一种具有复制单元字线电压抬升技术的SRAM时序控制电路

    公开(公告)号:CN105070316B

    公开(公告)日:2018-02-06

    申请号:CN201510544173.4

    申请日:2015-08-27

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种SRAM复制位线电路,包括:时序复制电路模块与复制单元字线电压抬升模块;其中:所述时序复制电路模块并联在复制单元字线与复制位线之间;所述复制单元字线电压抬升模块一端与时钟信号端相连,另一端与所述复制单元字线相连,用于将输入的时钟信号处理为高电压的电平信号,并传输给复制单元字线;复制单元字线的电压越大,放电单元电流及其偏差越大,从而使得时序控制电路延迟偏差越小。本发明提供的电路不仅在低电源电压下具有很好的抗工艺偏差能力,同时不会大幅度增加芯片的面积,且不影响芯片运行速度。

Patent Agency Ranking