公开(公告)号：CN105070316B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201510544173.4

申请日：2015-08-27

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李正平 ,  尚凤仪 ,  谢明明 ,  李颂 ,  卢文娟 ,  周永亮 ,  彭春雨 ,  谭守标 ,  陈军宁

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明公开了一种SRAM复制位线电路，包括：时序复制电路模块与复制单元字线电压抬升模块；其中：所述时序复制电路模块并联在复制单元字线与复制位线之间；所述复制单元字线电压抬升模块一端与时钟信号端相连，另一端与所述复制单元字线相连，用于将输入的时钟信号处理为高电压的电平信号，并传输给复制单元字线；复制单元字线的电压越大，放电单元电流及其偏差越大，从而使得时序控制电路延迟偏差越小。本发明提供的电路不仅在低电源电压下具有很好的抗工艺偏差能力，同时不会大幅度增加芯片的面积，且不影响芯片运行速度。

公开(公告)号：CN105070316A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510544173.4

申请日：2015-08-27

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李正平 ,  尚凤仪 ,  谢明明 ,  李颂 ,  卢文娟 ,  周永亮 ,  彭春雨 ,  谭守标 ,  陈军宁

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明公开了一种SRAM复制位线电路，包括：时序复制电路模块与复制单元字线电压抬升模块；其中：所述时序复制电路模块并联在复制单元字线与复制位线之间；所述复制单元字线电压抬升模块一端与时钟信号端相连，另一端与所述复制单元字线相连，用于将输入的时钟信号处理为高电压的电平信号，并传输给复制单元字线；复制单元字线的电压越大，放电单元电流及其偏差越大，从而使得时序控制电路延迟偏差越小。本发明提供的电路不仅在低电源电压下具有很好的抗工艺偏差能力，同时不会大幅度增加芯片的面积，且不影响芯片运行速度。