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公开(公告)号：CN100594604C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200480033610.6
申请日：2004-10-13
Applicant: 奥林公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/28
CPC classification number: H01L23/49582 , C23C2/02 , C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/025 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/3225 , C23C28/345 , C23C28/3455 , C23C28/347 , C25D5/10 , C25D5/12 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/45139 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01046 , H01L2924/01063 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01R13/03 , H05K3/244 , Y10T428/1259 , Y10T428/12611 , Y10T428/12715 , Y10T428/12896 , H01L2924/00 , H01L2924/207 , H01L2924/00014 , H01L2924/2075 , H01L2924/00012
Abstract: 一种有涂层的导电衬底(26)，包括多根密集地间隔开的导线(10)，并且锡晶须可形成短路。衬底(26)包括引线框、接线脚和电路迹线。导电衬底(26)具有以距离(14)隔开的多根导线(16)，距离(14)能够被锡晶须搭接；覆盖至少一个表面的银或银基合金层(28)；直接覆盖银层的精细颗粒锡或锡基合金层(30)。另一种有涂层的导电衬底(26)比如在接插件中具有特殊性能，其中摩擦磨损产生的碎片氧化而使衬底的电阻率增大。在导电衬底(26)上沉积隔离层(32)。随后沉积的层包括沉积在隔离层(32)上用于和锡形成金属间化合物的牺牲层(34)、低电阻率氧化物金属层(40)和锡或锡基合金的最外层(36)。隔离层(32)优选为镍或镍基合金，低电阻率氧化物金属层(40)优选为银或银基合金。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1985411A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200480042618.9
申请日：2004-05-19
Applicant: 奥林公司
Abstract: 一种层覆到绝缘基板(92)上的铜箔(96)，涂覆了激光切割阻止层(100)，该激光切割阻止层(100)具有小于1.0微米的平均表面粗糙度(Rz)和平均高度小于1.2微米的若干微突起，能向FR－4有效提供至少80.4克/毫米(4.5磅/英寸)的层覆剥离强度。所述涂覆的铜箔(96)进一步具有至少为40的平均反射率值。所述涂覆的铜箔(96)通常被层覆到诸如玻璃增强环氧树脂或者聚酰亚胺的绝缘基板(92)上，并被形成为多条电路痕线。可以通过钻通所述绝缘基板(92)并止于所述绝缘基板(92)与所述铜箔(96)之间的界面，以得到盲通道(98)。本发明的涂覆的铜箔(96)可阻止激光的切割，从而阻止在钻孔时激光穿透所述铜箔(96)。
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公开(公告)号：CN1871376B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200480031390.3
申请日：2004-10-15
Applicant: 奥林公司
CPC classification number: C25D7/0614 , C23C26/00 , H05K3/025 , H05K2203/1105 , Y10T428/12 , Y10T428/12438 , Y10T428/12493 , Y10T428/12514 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/265
Abstract: 一种有益于电路制造的复合材料(20)，该材料包括支持层(12’)、具有相对的第一和第二侧面、且厚度为15微米或更薄的金属箔(16)层、以及有效以便于使金属箔层(16)从支持层(12’)分离的释放层(14)，该释放层(14)布置在金属箔层(16)和支持层(12’)之间，并与它们接触。含有反应元素的层(22)与释放层(14)接触，该含有反应元素的层(22)可以是支持层(12’)，它有效地与气体元素或化合物反应形成热稳定的化合物。该复合材料(20)优选经过低温热处理。低温热处理和含有反应元素的层(22)的结合导致在随后的工艺中铜箔(16)中包括气泡的缺陷的减少。
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公开(公告)号：CN101540303A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910118116.4
申请日：2004-10-13
Applicant: 奥林公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/495 , H01L23/28 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49582 , C23C2/02 , C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/025 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/3225 , C23C28/345 , C23C28/3455 , C23C28/347 , C25D5/10 , C25D5/12 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/45139 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01046 , H01L2924/01063 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01R13/03 , H05K3/244 , Y10T428/1259 , Y10T428/12611 , Y10T428/12715 , Y10T428/12896 , H01L2924/00 , H01L2924/207 , H01L2924/00014 , H01L2924/2075 , H01L2924/00012
Abstract: 一种有涂层的导电衬底(26)，包括多根密集地间隔开的导线(10)，并且锡晶须可形成短路。衬底(26)包括引线框、接线脚和电路迹线。导电衬底(26)具有以距离(14)隔开的多根导线(16)，距离(14)能够被锡晶须搭接；覆盖至少一个表面的银或银基合金层(28)；直接覆盖银层的精细颗粒锡或锡基合金层(30)。另一种有涂层的导电衬底(26)比如在接插件中具有特殊性能，其中摩擦磨损产生的碎片氧化而使衬底的电阻率增大。在导电衬底(26)上沉积隔离层(32)。随后沉积的层包括沉积在隔离层(32)上用于和锡形成金属间化合物的牺牲层(34)、低电阻率氧化物金属层(40)和锡或锡基合金的最外层(36)。隔离层(32)优选为镍或镍基合金，低电阻率氧化物金属层(40)优选为银或银基合金。
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公开(公告)号：CN101142674A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200480033610.6
申请日：2004-10-13
Applicant: 奥林公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/28
CPC classification number: H01L23/49582 , C23C2/02 , C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/025 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/3225 , C23C28/345 , C23C28/3455 , C23C28/347 , C25D5/10 , C25D5/12 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/45139 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01046 , H01L2924/01063 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01R13/03 , H05K3/244 , Y10T428/1259 , Y10T428/12611 , Y10T428/12715 , Y10T428/12896 , H01L2924/00 , H01L2924/207 , H01L2924/00014 , H01L2924/2075 , H01L2924/00012
Abstract: 一种有涂层的导电衬底(26)，包括多根密集地间隔开的导线(10)，并且锡晶须可形成短路。衬底(26)包括引线框、接线脚和电路迹线。导电衬底(26)具有以距离(14)隔开的多根导线(16)，距离(14)能够被锡晶须搭接；覆盖至少一个表面的银或银基合金层(28)；直接覆盖银层的精细颗粒锡或锡基合金层(30)。另一种有涂层的导电衬底(26)比如在接插件中具有特殊性能，其中摩擦磨损产生的碎片氧化而使衬底的电阻率增大。在导电衬底(26)上沉积隔离层(32)。随后沉积的层包括沉积在隔离层(32)上用于和锡形成金属间化合物的牺牲层(34)、低电阻率氧化物金属层(40)和锡或锡基合金的最外层(36)。隔离层(32)优选为镍或镍基合金，低电阻率氧化物金属层(40)优选为银或银基合金。
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公开(公告)号：CN1871376A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480031390.3
申请日：2004-10-15
Applicant: 奥林公司
CPC classification number: C25D7/0614 , C23C26/00 , H05K3/025 , H05K2203/1105 , Y10T428/12 , Y10T428/12438 , Y10T428/12493 , Y10T428/12514 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/265
Abstract: 一种有益于电路制造的复合材料(20)，该材料包括支持层(12’)、具有相对的第一和第二侧面、且厚度为15微米或更薄的金属箔(16)层、以及有效以便于使金属箔层(16)从支持层(12’)分离的释放层(14)，该释放层(14)布置在金属箔层(16)和支持层(12’)之间，并与它们接触。含有反应元素的层(22)与释放层(14)接触，该含有反应元素的层(22)可以是支持层(12’)，它有效地与气体元素或化合物反应形成热稳定的化合物。该复合材料(20)优选经过低温热处理。低温热处理和含有反应元素的层(22)的结合导致在随后的工艺中铜箔(16)中包括气泡的缺陷的减少。
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