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公开(公告)号：CN118313087B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410443498.2
申请日：2024-04-12
Applicant: 大连理工大学
Inventor： 游奎 , 任嘉俊 , 白赫扬 , 张忆和 , 易鹏飞 , 许景康 , 李兴华 , 马伟伟 , 马彩华 , 张议文 , 韩方鑫 , 邓平纠 , 孙楠 , 刘心田 , 徐吴玉阳 , 赵鲁豫
IPC: G06F30/17 , G06F30/27 , G06T17/00 , G06F111/10 , G06F119/18
Abstract: 本发明公开了一种3D阵列式数字拓印设备及其拓印方法。上述拓印设备应用于工件的数字化设计中，其包括拓印架体、工件夹固组件、两组3D阵列拓印板、用于驱动对应3D阵列拓印板的直线驱动结构、以及和3D阵列拓印板之间固定连接有数据传输线的计算机系统。拓印架体包括两组承重板、支撑框架、固定连接在对应承重板上的四组横杆。每组3D阵列拓印板包括底板和呈阵列式密集固定于底板上的若干组数字拓印针。数字拓印针由针体、伸缩弹性针座、弹性针座套管和应变传感器构成。本发明成本低廉、技术难度低、仅需3D阵列拓印板与计算机辅助即可，不需昂贵的摄像头、AI深度学习智能化系统等复杂的技术，可以较低成本实现数字化建模工作。
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公开(公告)号：CN114220603A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111368982.6
申请日：2021-11-18
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种高度可折叠纳米波纹电极的制备方法，以开发一种具有高度可折叠和易于批量生产特征，并具有超大曲率和高度稳定性的柔性电极。本发明的电极制备方法包括以下步骤：通过在硅片上旋涂光刻胶、纤维素纤维溶液以及PDMS，经纳米压印技术得到纳米波纹结构衬底，再在其上采用采用双转子衬底非中心沉积法进行溅射，然后光刻，最后进行元件组装及电极剥落所得到一种高度可折叠纳米波纹电极。该制备方法简单易行，适用于多电气应用的大规模生产，具有良好的应用前景。该方法所制备的高度可折叠纳米波纹电极展示了探索柔性电子系统和可穿戴系统的可能性，并介绍了生物医学设备或形状自适应电子产品的新兴应用方向。
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公开(公告)号：CN111081763B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201911355731.7
申请日：2019-12-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种场板下方具有蜂窝凹槽势垒层结构的常关型HEMT器件及其制备方法,属于半导体器件领域。技术方案：在半导体衬底上依次生长缓冲层、i‑GaN层、插入层、势垒层和栅介质层，所述势垒层局部区域刻蚀有若干蜂窝凹槽，所述i‑GaN层一侧刻蚀成阶梯层，在所述阶梯层上设置源电极，所述i‑GaN层另一侧设置漏电极，所述势垒层上方设置栅介质层，所述栅介质层一端与所述漏电极接触连接、另一端覆盖并生长到所述蜂窝凹槽中、并且延伸至所述源电极，所述栅介质层上方、在所述蜂窝凹槽对应区域设置栅电极，所述栅电极向所述源电极方向延伸。有益效果:本发明能够实现HEMT器件稳定的、大的阈值电压和低导通电阻的常关型操作，同时有效降低器件的关态漏电和提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN110676031A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911042571.0
申请日：2019-10-30
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于无线充电线圈装置技术领域，涉及一种平面柔性无线充电线圈及其制作方法。柔性线圈结构为：从下往上依次为聚二甲基硅氧烷基底、第一聚酰亚胺薄膜层、无线充电线圈和第二聚酰亚胺薄膜层，其中，所述聚二甲基硅氧烷基底通过黏合剂与第一聚酰亚胺薄膜层相结合，聚酰亚胺薄膜层用来减少弯曲引起的应变，所述第一聚酰亚胺薄膜层上设有与无线充电线圈相匹配的刻槽，用于固定无线充电线圈的位置，所述无线充电线圈通过静电纺丝法制备，且所述无线充电线圈上方设有第二聚酰亚胺薄膜层。本发明的平面柔性无线充电线圈逐层制备，生产工艺简单，可重复率高，所得线圈体积小，柔性好，可弯曲便于携带。
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公开(公告)号：CN118562598A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410815745.7
申请日：2024-06-24
Applicant: 大连理工大学
Inventor： 游奎 , 任嘉俊 , 白赫扬 , 易鹏飞 , 张忆和 , 许景康 , 李兴华 , 马伟伟 , 马彩华 , 张议文 , 韩方鑫 , 邓平纠 , 孙楠 , 刘心田 , 徐吴玉阳 , 赵鲁豫
Abstract: 本发明公开了一种防玷污的环境DNA采样装置及采样方法。上述采样装置包括真空箱、监测组件、电磁阀组件、采样系统、用于对真空箱抽真空的真空泵、用于控制电磁阀组件通断的控制系统、以及通过超声无线通信模块和所述控制系统相联通的上位机。采样系统包括一个一次性过滤器和置放在一次性过滤器内的环境DNA样品滤膜。采样装置具备四种工作模式，分别为抽真空模式、样品抽吸过滤模式、水下原位采样模式和样品排空模式。本发明组合及循环采用抽真空、抽吸过滤、排空模式来完成环境样品DNA的采样计划，操作简洁高效，且可预防环境样品的交叉污染，克服了因前一次采样过程中的微量环境DNA残留，而玷污下一次采集的环境DNA样品的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114161795B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202111318363.6
申请日：2021-11-09
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于电磁屏蔽材料技术领域，特别是涉及一种基于电磁干扰屏蔽的银纳米管网络薄膜及制备方法。基于均匀、大规模的纳米纤维骨架，采用物理沉积技术制备了具有稳定、集成互连的高性能银纳米管网络薄膜。简单的集成制备过程可以为大规模AgNTs网络带来高综合性能。这些结果表明，基于AgNTs网络的柔性透明EMI屏蔽膜在航空和工业光学系统中具有巨大的潜力，并拥有很好的市场前景。
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公开(公告)号：CN111081763A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911355731.7
申请日：2019-12-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种场板下方具有蜂窝凹槽势垒层结构的常关型HEMT器件及其制备方法,属于半导体器件领域。技术方案：在半导体衬底上依次生长缓冲层、i-GaN层、插入层、势垒层和栅介质层，所述势垒层局部区域刻蚀有若干蜂窝凹槽，所述i-GaN层一侧刻蚀成阶梯层，在所述阶梯层上设置源电极，所述i-GaN层另一侧设置漏电极，所述势垒层上方设置栅介质层，所述栅介质层一端与所述漏电极接触连接、另一端覆盖并生长到所述蜂窝凹槽中、并且延伸至所述源电极，所述栅介质层上方、在所述蜂窝凹槽对应区域设置栅电极，所述栅电极向所述源电极方向延伸。有益效果:本发明能够实现HEMT器件稳定的、大的阈值电压和低导通电阻的常关型操作，同时有效降低器件的关态漏电和提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN110747581A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911042558.5
申请日：2019-10-30
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于电极制备技术领域，特别是涉及一种大面积透明柔性电极的一体化制备装置及方法，制备装置包括高压电源、供液装置、网孔尺寸可调的掩膜板、加热装置、热蒸镀装置和吹膜装置，网孔尺寸可调的掩膜板是由多根铜丝组成的网状结构，每根铜丝上均设有电路开关，通过控制各铜丝所在的电路开关以控制铜丝上电流的通断，从而形成不同尺寸的网孔。本发明通过控制基底掩膜板网孔的尺寸，能够稳定接收纳米纤维纺丝，保证纳米纤维薄膜的稳定平坦；本发明在真空中利用传送带进行传送，保证各步骤的连续，制备方法简单易行、成本低廉、适宜大规模生产。本发明可应用在大面积柔性显示器等光电器件领域，且制备工艺简单，成本低廉，具有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN110735191A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911042559.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于静电纺丝技术领域，涉及一种制备超大面积悬空纳米纤维网的装置及方法。装置主要由高压发生装置、供液装置和纺丝收集机构组成。本发明通过控制喷射头在平面内自由移动，可以改变电场的强弱，当喷射头位于金属圆环外圈悬空正上方时，此时电场强度最大，在高压静电场的作用下可实现多股射流的喷射，当喷射头位于圆心正上方时，电场强度有所减弱，有利于悬空纳米网中心纺丝，结构简单，同样也尽可能减弱外界电场对于纺丝过程的影响，使得纺丝过程在整个电场作用下均匀分布，可实现大面积纺丝并进行调控。
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公开(公告)号：CN119442632A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411487049.4
申请日：2024-10-23
Applicant: 大连理工大学宁波研究院 , 山东省水旱灾害防御中心
IPC: G06F30/20 , G06Q50/26 , G06F113/08
Abstract: 本申请公开了一种基于栅格水位的洪水淹没范围计算方法及相关装置，涉及洪水过程预测技术领域，该方法包括：首先利用分布式水文模型计算出各河道关键断面的流量过程，根据水位流量关系计算出各河道关键断面的水位，进而可以确定河道各栅格的水位，再通过河道栅格与流域内其他栅格的高程进行相比，即可确定各流域栅格是否被淹没，得到洪水淹没范围，相较于传统技术利用有限元方法求解NS方程，得到流域内各个位置的水深的方案，本申请显著提高了洪水淹没范围的预测效率，为快速模拟洪水淹没范围、评估洪水灾害影响、提前制定防洪措施等提供依据和支撑。
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