公开(公告)号：CN113533922A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110632887.6

申请日：2021-06-07

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄火林 ,  赵程

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法，属于半导体器件测试领域。技术方案：搭建温度曲线标定平台，通过外部供热的方法，标定器件温度曲线，测定未知结温下的温敏参数，计算器件结温Tj。有益效果:本发明所述的Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法通过在Cascode结构GaN电力电子器件关态条件下，在器件源漏两端施加两次大小不同的偏置电流，测量偏置电压值，进而得到温敏电参数，该参数仅与两次不同的测试电流和测得的偏置电压有关，排除了测试回路中与SiMOSFET体二极管串联的GaNHEMT导通电阻RGaN对于温敏关系线性度的影响；由温敏电参数与温度的完全线性对应关系可以精确的表征器件结温。

公开(公告)号：CN113533922B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202110632887.6

申请日：2021-06-07

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄火林 ,  赵程

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法，属于半导体器件测试领域。技术方案：搭建温度曲线标定平台，通过外部供热的方法，标定器件温度曲线，测定未知结温下的温敏参数，计算器件结温Tj。有益效果:本发明所述的Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法通过在Cascode结构GaN电力电子器件关态条件下，在器件源漏两端施加两次大小不同的偏置电流，测量偏置电压值，进而得到温敏电参数，该参数仅与两次不同的测试电流和测得的偏置电压有关，排除了测试回路中与SiMOSFET体二极管串联的GaNHEMT导通电阻RGaN对于温敏关系线性度的影响；由温敏电参数与温度的完全线性对应关系可以精确的表征器件结温。

公开(公告)号：CN111081763B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201911355731.7

申请日：2019-12-25

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄火林 ,  孙楠 ,  孙仲豪 ,  赵程

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 一种场板下方具有蜂窝凹槽势垒层结构的常关型HEMT器件及其制备方法,属于半导体器件领域。技术方案：在半导体衬底上依次生长缓冲层、i‑GaN层、插入层、势垒层和栅介质层，所述势垒层局部区域刻蚀有若干蜂窝凹槽，所述i‑GaN层一侧刻蚀成阶梯层，在所述阶梯层上设置源电极，所述i‑GaN层另一侧设置漏电极，所述势垒层上方设置栅介质层，所述栅介质层一端与所述漏电极接触连接、另一端覆盖并生长到所述蜂窝凹槽中、并且延伸至所述源电极，所述栅介质层上方、在所述蜂窝凹槽对应区域设置栅电极，所述栅电极向所述源电极方向延伸。有益效果:本发明能够实现HEMT器件稳定的、大的阈值电压和低导通电阻的常关型操作，同时有效降低器件的关态漏电和提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN111081763A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911355731.7

申请日：2019-12-25

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 黄火林 ,  孙楠 ,  孙仲豪 ,  赵程

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 一种场板下方具有蜂窝凹槽势垒层结构的常关型HEMT器件及其制备方法,属于半导体器件领域。技术方案：在半导体衬底上依次生长缓冲层、i-GaN层、插入层、势垒层和栅介质层，所述势垒层局部区域刻蚀有若干蜂窝凹槽，所述i-GaN层一侧刻蚀成阶梯层，在所述阶梯层上设置源电极，所述i-GaN层另一侧设置漏电极，所述势垒层上方设置栅介质层，所述栅介质层一端与所述漏电极接触连接、另一端覆盖并生长到所述蜂窝凹槽中、并且延伸至所述源电极，所述栅介质层上方、在所述蜂窝凹槽对应区域设置栅电极，所述栅电极向所述源电极方向延伸。有益效果:本发明能够实现HEMT器件稳定的、大的阈值电压和低导通电阻的常关型操作，同时有效降低器件的关态漏电和提高器件的击穿电压。