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公开(公告)号：CN113271421A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110522512.4
申请日：2021-05-13
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及光电阵列读取技术领域，具体地，涉及一种光电阵列探测器读出电路，包括光电阵列、信号处理电路PCB板以及FPGA开发板；光电阵列通过板对板连接器或软排线与信号处理电路PCB板连接，信号处理电路PCB板通过板对板连接器或软排线与FPGA开发板连接；信号处理电路PCB板上集成有电源模块、DAC模块、选通模块、信号放大模块、滤波模块和ADC模块；本发明可以直接对光电阵列所产生的光电流进行高增益、低噪声的I‑V转换并完成数据采集。
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公开(公告)号：CN110747581B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201911042558.5
申请日：2019-10-30
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于电极制备技术领域，特别是涉及一种大面积透明柔性电极的一体化制备装置及方法，制备装置包括高压电源、供液装置、网孔尺寸可调的掩膜板、加热装置、热蒸镀装置和吹膜装置，网孔尺寸可调的掩膜板是由多根铜丝组成的网状结构，每根铜丝上均设有电路开关，通过控制各铜丝所在的电路开关以控制铜丝上电流的通断，从而形成不同尺寸的网孔。本发明通过控制基底掩膜板网孔的尺寸，能够稳定接收纳米纤维纺丝，保证纳米纤维薄膜的稳定平坦；本发明在真空中利用传送带进行传送，保证各步骤的连续，制备方法简单易行、成本低廉、适宜大规模生产。本发明可应用在大面积柔性显示器等光电器件领域，且制备工艺简单，成本低廉，具有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN114927581B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202210387755.6
申请日：2022-04-14
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18 , B82Y20/00
Abstract: 本发明属于图像传感器领域，涉及一种硅基CMOS图像传感器三维感光像素结构及其制备方法。本发明可以有效提高光线入射效率，扩大光线空间角，从而有效提高前照式CMOS结构的综合感光性能；其纳米柱结构的感光像素结构，由于陷光效应和共振吸收增强效应，可有效提高光吸收利用率；由于硅纳米柱为内外型体PN结结构，因此相比相同横截面积的平面PN结感光像素，其具有更大面积的势垒区，可提高其满阱容量；因此同时实际入射光存在垂直以外的其他入射角度，使得其侧壁势垒区也可以响应入射光线，从而有效提高综合弱光响应能力；该结构制备方法难度较小，适合整合应用到成熟IC工业产线，从而有效提高硅基CMOS图像传感器的像素感光性能。
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公开(公告)号：CN111200002B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010027764.5
申请日：2020-01-10
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明属于柔性显示技术领域，涉及是一种柔性可控的有机电致发光阵列、制备方法及应用。本发明的有机电致发光阵列，由五层纳米网组成，从下至上依次为PVA纳米纤维网、Ag纳米网、Alq3纳米网、NPB纳米网和ITO纳米网。应用于图案可控发光时，Ag纳米网和TO纳米网的条纹阵列分别作为阴极和阳极，与控制系统连接，根据发光图案的要求，通过控制系统控制不同的阴极和阳极开关来是特定点列发光。由于只是特定区域阵列发光工作，其他阵列均在断开状态，从而发光阵列在工作时消耗功率较低。由于本发明的发光阵列是在柔性纳米纤维网上加工得到，所以实现了具有柔性的功能，为以后柔性可穿戴式发光装置提供借鉴。
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公开(公告)号：CN113218306B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202110465565.7
申请日：2021-04-28
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明属于光斑位置快速精准探测技术领域，涉及一种基于FPGA的光斑位置探测系统与方法。本发明采用FPGA作为主控芯片，利用硬件描述语言对场景进行建模，通过FPGA开发工具将硬件模型映射到开发板上以完成采集信号、模数转换、结果判断、电机控制等多方面时序要求，配合图像采集卡、上位机和高精度三轴步进电机实现位置探测，在满足市场要求的前提下，具有检测精度高、处理速度快、抗干扰能力强、运行稳定等优点，降低了生产成本，改善了工作环境，缩短了制作周期。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112030370A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010928109.7
申请日：2020-09-07
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于纳米纤维领域，涉及一种同时制备多张高均匀度纳米纤维膜的装置及方法。本发明装置采用曲面纤维成型板，增大了接触面积，同时使同时吐出的纤维同时降落在曲面纤维成型板上，大大增加了纤维膜的均匀性；根据制备需求，通过控制供液针管的直径大小，从而得到厚度相同或不同的多张纤维膜，可以有效避免供液针管前后单位时间内的吐丝量不同造成的膜厚误差，且生成的膜厚一定是与供液针管的截面积严格成比例的，对研究膜厚的性质具有极大的帮助。
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公开(公告)号：CN110846623A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911272268.X
申请日：2019-12-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于金属镀膜领域，具体来说，涉及一种用于提高金属蒸发镀膜均匀性的装置及方法。装置的组成包括电磁搅拌线圈、固定柱、内筒、基板固定架、基板、蒸发源、蒸发材料、钟罩；蒸发源和蒸发材料置于钟罩中线处，基板置于基板固定架上并在蒸发源正上方，内筒同心放置于蒸发源外侧，电磁搅拌线圈分布在内壁外侧四周。本发明通过电磁搅拌装置对金属粒子进行搅拌，从而使金属粒子在水平面内分布均匀，从而达到使金属蒸发镀膜均匀的效果。
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公开(公告)号：CN110676031A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911042571.0
申请日：2019-10-30
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于无线充电线圈装置技术领域，涉及一种平面柔性无线充电线圈及其制作方法。柔性线圈结构为：从下往上依次为聚二甲基硅氧烷基底、第一聚酰亚胺薄膜层、无线充电线圈和第二聚酰亚胺薄膜层，其中，所述聚二甲基硅氧烷基底通过黏合剂与第一聚酰亚胺薄膜层相结合，聚酰亚胺薄膜层用来减少弯曲引起的应变，所述第一聚酰亚胺薄膜层上设有与无线充电线圈相匹配的刻槽，用于固定无线充电线圈的位置，所述无线充电线圈通过静电纺丝法制备，且所述无线充电线圈上方设有第二聚酰亚胺薄膜层。本发明的平面柔性无线充电线圈逐层制备，生产工艺简单，可重复率高，所得线圈体积小，柔性好，可弯曲便于携带。
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公开(公告)号：CN118899258A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410932464.X
申请日：2024-07-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明属于硅加工领域，具体涉及一种深硅孔结构博世刻蚀工艺加工方法。传统博世刻蚀工艺在深硅孔加工中存在侧壁扇贝褶皱严重、刻蚀深度受限等问题，无法满足高集成度芯片封装的要求。针对这些问题，本发明在传统博世刻蚀工艺基础上引入氧气，并调整SF6、C4F8流量、ICP功率、偏置电压、工艺气压及刻蚀和钝化时间的参数，成功解决了150μm以下深度槽型孔刻蚀的难题。通过这些改进，本发明显著减少了刻蚀过程中产生的侧壁扇贝褶皱，提升了硅孔的侧壁质量和垂直度，从而提高了硅通孔结构的电气性能和整体可靠性。该方法不仅适用于芯片三维封装，还可应用于微机电系统、微流控芯片等微纳器件的制造，有效提升了产品的加工深度和质量。
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公开(公告)号：CN114927581A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210387755.6
申请日：2022-04-14
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18 , B82Y20/00
Abstract: 本发明属于图像传感器领域，涉及一种硅基CMOS图像传感器三维感光像素结构及其制备方法。本发明可以有效提高光线入射效率，扩大光线空间角，从而有效提高前照式CMOS结构的综合感光性能；其纳米柱结构的感光像素结构，由于陷光效应和共振吸收增强效应，可有效提高光吸收利用率；由于硅纳米柱为内外型体PN结结构，因此相比相同横截面积的平面PN结感光像素，其具有更大面积的势垒区，可提高其满阱容量；因此同时实际入射光存在垂直以外的其他入射角度，使得其侧壁势垒区也可以响应入射光线，从而有效提高综合弱光响应能力；该结构制备方法难度较小，适合整合应用到成熟IC工业产线，从而有效提高硅基CMOS图像传感器的像素感光性能。
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