一种双激发压力记忆装置

    公开(公告)号:CN114199423B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202111318338.8

    申请日:2021-11-09

    Abstract: 本发明属于柔性压力传感器制备技术领域,涉及一种双激发压力记忆装置,由DPM装置矩阵组成,DPM装置矩阵由压电忆阻器阵列和压电OLED阵列,以均匀构型正交排列构成。利用MoOx忆阻材料的压电光敏和压电电敏的两性特性,实现具有感知与存储一体的电子皮肤记忆系统;利用压电纳米线能够在微量应变条件下,实现材料禁带宽度的调制和提升其光电转化效率特点,利用压电发光效应和压电通道效应,压电纳米线禁带宽度的调制可实现控制门与通道的双重增益,该器件能够实现超高动态范围和强压灵敏度,从而获得具有强对比度和高精细度的应力分布输出信号。本发明对压力记忆的存储时间长而稳定,并可以通过复位电压擦除和刷新,具有良好应用前景。

    具有高透明度和可拉伸性电容的触觉传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114216487B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202111370287.3

    申请日:2021-11-18

    Abstract: 本发明属于传感器制备技术领域,特别是涉及一种具有高透明度和可拉伸性电容的触觉传感器及其制备方法。该传感器阵列基于蛇形银纳米纤维网络,使用银纳米纤维网络和图案化蛇形制造技术制造用于检测表面敏感信号的核心交互元件。利用静电纺丝形成银纳米纤维网络,制备图案化蛇形银纳米纤维网络电极。本发明解决了触觉传感器不能同时满足高透明度和优异可拉伸性两种功能的问题,可应用在电子皮肤、柔性智能屏幕、弯曲光学投影领域,且制备工艺简单,成本低廉,具有良好应用前景。

    一种双激发压力记忆装置

    公开(公告)号:CN114199423A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111318338.8

    申请日:2021-11-09

    Abstract: 本发明属于柔性压力传感器制备技术领域,涉及一种双激发压力记忆装置,由DPM装置矩阵组成,DPM装置矩阵由压电忆阻器阵列和压电OLED阵列,以均匀构型正交排列构成。利用MoOx忆阻材料的压电光敏和压电电敏的两性特性,实现具有感知与存储一体的电子皮肤记忆系统;利用压电纳米线能够在微量应变条件下,实现材料禁带宽度的调制和提升其光电转化效率特点,利用压电发光效应和压电通道效应,压电纳米线禁带宽度的调制可实现控制门与通道的双重增益,该器件能够实现超高动态范围和强压灵敏度,从而获得具有强对比度和高精细度的应力分布输出信号。本发明对压力记忆的存储时间长而稳定,并可以通过复位电压擦除和刷新,具有良好应用前景。

    具有高透明度和可拉伸性电容的触觉传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114216487A

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202111370287.3

    申请日:2021-11-18

    Abstract: 本发明属于传感器制备技术领域,特别是涉及一种具有高透明度和可拉伸性电容的触觉传感器及其制备方法。该传感器阵列基于蛇形银纳米纤维网络,使用银纳米纤维网络和图案化蛇形制造技术制造用于检测表面敏感信号的核心交互元件。利用静电纺丝形成银纳米纤维网络,制备图案化蛇形银纳米纤维网络电极。本发明解决了触觉传感器不能同时满足高透明度和优异可拉伸性两种功能的问题,可应用在电子皮肤、柔性智能屏幕、弯曲光学投影领域,且制备工艺简单,成本低廉,具有良好应用前景。

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