半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100397625C

    公开(公告)日:2008-06-25

    申请号:CN200510073914.1

    申请日:2005-05-23

    Abstract: 本发明的半导体装置由于具备在基底材料上配置了多个布线的布线基板、在上述布线基板上搭载的半导体元件、包含混合了金属离子结合剂的材料的与布线接触的构件、或者向表面添加了金属离子结合剂的布线,因此能够防止因金属离子从布线析出而导致的迁移发生,能够提供高可靠性的半导体装置。

    半导体装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1707779A

    公开(公告)日:2005-12-14

    申请号:CN200510073914.1

    申请日:2005-05-23

    Abstract: 本发明的半导体装置由于具备在基底材料上配置了多个布线的布线基板、在上述布线基板上搭载的半导体元件、包含混合了金属离子结合剂的材料的与布线接触的构件、或者向表面添加了金属离子结合剂的布线,因此能够防止因金属离子从布线析出而导致的迁移发生,能够提供高可靠性的半导体装置。

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