半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102651353B

    公开(公告)日:2015-04-15

    申请号:CN201210046998.X

    申请日:2012-02-22

    Inventor: 岩根知彦

    Abstract: 半导体装置具有:带状基材;配线图形;半导体元件,与配线图形进行了电连接;顶面侧绝缘保护膜,覆盖带状基材的顶面,且在带状基材顶面上的与半导体元件对向的对向区域中具有顶面侧开口部;底面侧绝缘保护膜,覆盖带状基材的底面,且在位于顶面侧开口部背侧的部分中具有底面侧开口部。顶面侧绝缘保护膜具有突出开口部,该突出开口部向所述对向区域的外侧突出。底面侧开口部的开口尺寸为,位于带状基材顶面上的与半导体元件对向区域的尺寸的1.00倍~8.50倍。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102651353A

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN201210046998.X

    申请日:2012-02-22

    Inventor: 岩根知彦

    Abstract: 半导体装置具有:带状基材;配线图形;半导体元件,与配线图形进行了电连接;顶面侧绝缘保护膜,覆盖带状基材的顶面,且在带状基材顶面上的与半导体元件对向的对向区域中具有顶面侧开口部;底面侧绝缘保护膜,覆盖带状基材的底面,且在位于顶面侧开口部背侧的部分中具有底面侧开口部。顶面侧绝缘保护膜具有突出开口部,该突出开口部向所述对向区域的外侧突出。底面侧开口部的开口尺寸为,位于带状基材顶面上的与半导体元件对向区域的尺寸的1.00倍~8.50倍。

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