公开(公告)号：CN100397625C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200510073914.1

申请日：2005-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福田和彦 ,  丰泽健司 ,  木户口贵

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/498 ,  H01L23/28 ,  G02F1/133

Abstract: 本发明的半导体装置由于具备在基底材料上配置了多个布线的布线基板、在上述布线基板上搭载的半导体元件、包含混合了金属离子结合剂的材料的与布线接触的构件、或者向表面添加了金属离子结合剂的布线，因此能够防止因金属离子从布线析出而导致的迁移发生，能够提供高可靠性的半导体装置。

公开(公告)号：CN1707779A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510073914.1

申请日：2005-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福田和彦 ,  丰泽健司 ,  木户口贵

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/498 ,  H01L23/28 ,  G02F1/133

Abstract: 本发明的半导体装置由于具备在基底材料上配置了多个布线的布线基板、在上述布线基板上搭载的半导体元件、包含混合了金属离子结合剂的材料的与布线接触的构件、或者向表面添加了金属离子结合剂的布线，因此能够防止因金属离子从布线析出而导致的迁移发生，能够提供高可靠性的半导体装置。

公开(公告)号：CN3464099D

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200430066928.7

申请日：2004-07-19

Applicant: 夏普株式会社

Designer： 木户口贵

Abstract: 参考图1、2中阴影线所示为半透明区域。

公开(公告)号：CN3449427D

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200430066925.3

申请日：2004-07-19

Applicant: 夏普株式会社

Designer： 木户口贵

公开(公告)号：CN3444273D

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200430066929.1

申请日：2004-07-19

Applicant: 夏普株式会社

Designer： 木户口贵

Abstract: 参考图1、2中阴影线所示为半透明区域。

公开(公告)号：CN3440829D

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200430066927.2

申请日：2004-07-19

Applicant: 夏普株式会社

Designer： 木户口贵

Abstract: 使用状态参考图1、2中阴影线所示为半透

公开(公告)号：CN3466988D

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200430066922.X

申请日：2004-07-19

Applicant: 夏普株式会社

Designer： 木户口贵

Abstract: 参考图1、2中阴影线所示为半透明区域。

公开(公告)号：CN3464098D

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200430066924.9

申请日：2004-07-19

Applicant: 夏普株式会社

Designer： 木户口贵

公开(公告)号：CN3444278D

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200430066938.0

申请日：2004-07-19

Applicant: 夏普株式会社

Designer： 木户口贵

Abstract: 参考图1、2中阴影线所示为半透明区域。

公开(公告)号：CN3444274D

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200430066930.4

申请日：2004-07-19

Applicant: 夏普株式会社

Designer： 木户口贵

Abstract: 示出透明部分参考图1、2中阴影线所示的