公开(公告)号：CN102157439A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110047987.9

申请日：2011-03-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  孟庆伟 ,  杨春晓 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体涉及一种超低介电常数材料薄膜及其制备方法。本发明以单环形的2,4,6,8-四乙烯基-2,4,6,8-四甲基环四硅氧烷为前驱体，采用旋涂的方法在硅衬底上形成一层前驱体薄膜；接着用紫外光对所得薄膜进行辐照，使前驱体单体之间发生聚合反应，形成超低介电常数SiOCH薄膜；然后对该薄膜在进行热退火处理，以进一步改善SiOCH薄膜的电学特性。采用本发明方法获得的SiOCH薄膜的介电常数可到1.94，击穿电场强度大于3MV/cm，在1MV/cm的外电场下其漏电流密度为10-7A/cm2数量级，杨氏模量大于2GPa，硬度大于0.2GPa。

公开(公告)号：CN102683275A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210187160.2

申请日：2012-06-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  孟庆伟 ,  蒋涛 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明属于超大规模集成电路技术领域，具体为一种超低k材料薄膜及其制备方法。本发明以1，2-二（三乙氧基硅基）乙烷（BTEE）为前驱体，通过添加表面活性剂P123、HCl、乙醇和去离子水，制备溶胶溶液。然后，采用旋涂技术和后退火处理，获得超低k材料薄膜。通过控制前驱体、表面活性剂、催化剂和溶剂的比例，以及旋涂成膜条件和后处理条件，获得k值在2.1~2.5之间，在1MV/cm的电场强度下漏电流密度为1.5×10-6~3.4×10-9A/cm2，杨氏模量为21.05~24.15GPa，硬度为2.3~2.69GPa的超低k材料SiCOH薄膜。