公开(公告)号：CN108389962A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810165811.5

申请日：2018-02-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  陈东方

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种面内读写的铁电阻变存储器及其增强读/写信号的方法。本发明首先提供一种新颖的面内读写的铁电阻变存储器件，包括在铁电薄膜材料表面制备纳米存储单元，并通过合理调整电极阵列实现增强读写信号；这种效果主要来自于带电畴壁的人工诱导，即通过有意识的将读写电极对与电畴取向呈一定夹角来构建带电畴壁。由于带电畴壁的导电率远高于普通畴壁，能形成带电畴壁的元器件在开态下的电流比常规开态电流高出两个数量级，使信息容易被存储器内高速电路识别。本发明的这种增大读写电流的方法只需要调整存储单元电极对与电畴的水平夹角，工艺简单，不会影响薄膜性能，并且适用于小尺寸、高密度器件的制备。

公开(公告)号：CN108389962B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201810165811.5

申请日：2018-02-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  陈东方

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种面内读写的铁电阻变存储器及其增强读/写信号的方法。本发明首先提供一种新颖的面内读写的铁电阻变存储器件，包括在铁电薄膜材料表面制备纳米存储单元，并通过合理调整电极阵列实现增强读写信号；这种效果主要来自于带电畴壁的人工诱导，即通过有意识的将读写电极对与电畴取向呈一定夹角来构建带电畴壁。由于带电畴壁的导电率远高于普通畴壁，能形成带电畴壁的元器件在开态下的电流比常规开态电流高出两个数量级，使信息容易被存储器内高速电路识别。本发明的这种增大读写电流的方法只需要调整存储单元电极对与电畴的水平夹角，工艺简单，不会影响薄膜性能，并且适用于小尺寸、高密度器件的制备。