公开(公告)号：CN100409437C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200610001263.X

申请日：2006-01-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·布吕莱 ,  R·A·卡拉瑟斯 ,  L·M·吉纳克 ,  胡朝坤 ,  E·G·利宁格 ,  S·G·马尔霍特拉 ,  S·M·罗斯纳格尔

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种方法，用于在沉积级间介质或介质扩散阻挡层之前，用1-5nm厚的元素涂覆Cu镶嵌线的自由表面。该涂层提供防氧化保护，增加Cu和介质之间的粘附强度，并减小Cu的界面扩散。另外，薄覆盖层进一步增加了电迁移Cu寿命并减小了应力产生空隙。选定元素可以直接沉积在嵌入下层介质中的Cu上，而不引起Cu线之间的电短路。这些选定元素基于它们与氧和水的高负还原电势，和在Cu中的低溶解度并能与Cu形成化合物。

公开(公告)号：CN1825583A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610001263.X

申请日：2006-01-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·布吕莱 ,  R·A·卡拉瑟斯 ,  L·M·吉纳克 ,  胡朝坤 ,  E·G·利宁格 ,  S·G·马尔霍特拉 ,  S·M·罗斯纳格尔

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种方法，用于在沉积级间介质或介质扩散阻挡层之前，用1－5nm厚的元素涂覆Cu镶嵌线的自由表面。该涂层提供防氧化保护，增加Cu和介质之间的粘附强度，并减小Cu的界面扩散。另外，薄覆盖层进一步增加了电迁移Cu寿命并减小了应力产生空隙。选定元素可以直接沉积在嵌入下层介质中的Cu上，而不引起Cu线之间的电短路。这些选定元素基于它们与氧和水的高负还原电势，和在Cu中的低溶解度并能与Cu形成化合物。

公开(公告)号：CN101548362B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200680002276.7

申请日：2006-01-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·D·迪米特罗普洛斯 ,  S·M·盖茨 ,  A·格里尔 ,  M·W·莱恩 ,  E·G·利宁格 ,  刘小虎 ,  S·V·恩古源 ,  D·A·诺伊迈尔 ,  T·M·肖

IPC: H01L21/20 ,  B32B3/26 ,  B05C11/00

CPC classification number: H01L21/76834 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/249979

Abstract: 本发明描述了一种用于制造具有受控的双轴应力的超低介电常数层的方法，所述方法包括以下步骤：通过PECVD和旋涂中的一种形成包含Si、C、O和H的层，并且在包含均小于10ppm的非常低浓度的氧气和水的环境中固化所述膜。还通过使用所述方法描述了一种具有不大于2.8的介电常数的材料。本发明克服了形成具有小于46MPa的低双轴应力的膜的问题。

公开(公告)号：CN101548362A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200680002276.7

申请日：2006-01-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·D·迪米特罗普洛斯 ,  S·M·盖茨 ,  A·格里尔 ,  M·W·莱恩 ,  E·G·利宁格 ,  刘小虎 ,  S·V·恩古源 ,  D·A·诺伊迈尔 ,  T·M·肖

IPC: H01L21/20 ,  B32B3/26 ,  B05C11/00

CPC classification number: H01L21/76834 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/249979

Abstract: 本发明描述了一种用于制造具有受控的双轴应力的超低介电常数层的方法，所述方法包括以下步骤：通过PECVD和旋涂中的一种形成包含Si、C、O和H的层，并且在包含均小于10ppm的非常低浓度的氧气和水的环境中固化所述膜。还通过使用所述方法描述了一种具有不大于2.8的介电常数的材料。本发明克服了形成具有小于46MPa的低双轴应力的膜的问题。