公开(公告)号：CN119923967A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202380066705.0

申请日：2023-08-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·穆克什 ,  李桃 ,  P·罗伊乔杜里 ,  覃丽巧 ,  N·贾恩 ,  谢瑞龙

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/01 ,  H10D84/00 ,  H10D84/83 ,  H10D64/23 ,  H10D84/85

Abstract: 提供了一种半导体结构，其包括第一FET器件区域，第一FET器件区域包括多个第一FET，多个第一FET中的每个第一FET包括位于功能栅极结构的每一侧上的第一源极/漏极区域(28)。第二FET器件区域堆叠在第一FET器件区域上方并且包括多个第二FET，多个第二FET中的每个第二FET包括位于功能栅极结构的每一侧上的第二源极/漏极区域(46)。该结构还包括邻近至少一个第一FET的第一源极/漏极区域中的一个第一源极/漏极区域定位的至少一个第一前侧接触占位体结构(32)，以及邻近至少一个第二FET的第二源极/漏极区域中的至少一个第二源极/漏极区域定位的至少一个第二前侧接触占位体结构(52)。

公开(公告)号：CN119923966A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202380064411.4

申请日：2023-09-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·格林 ,  望月省吾 ,  J·福罗吉尔 ,  筒井元 ,  覃丽巧

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/85 ,  H10D62/10 ,  H10D30/43 ,  H10D30/67 ,  H10D30/01

Abstract: 一种半导体器件，例如集成电路、微处理器、晶片等，包括在相同区域类型(例如p型区域或n型区域等)内的第一栅极全环绕场效应晶体管(GAA FET)(303)和第二GAA FET(313,323,333)，其中在相同区域内具有相对异质的沟道。第一GAA FET包括第一沟道材料的多个第一沟道(例如，SiGex包覆的沟道)(482,486,490)。第二GAA FET包括第二沟道材料的多个第二沟道(例如，SiGey包覆的沟道、Si沟道等)(382,386,390)。GAA FET可以具有不同的沟道结构，例如相对不同的沟道长度。异质沟道可以通过允许调整或调节在相似区域类型中在不同位置或当用于不同应用中时的GAA FET的沟道迁移率的能力来提供改进的GAA FET器件性能。