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发明公开
用于晶体管的自对准背侧接触集成审中-实审

公开(公告)号：CN118749129A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202380023197.8

申请日：2023-01-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： N·贾因 , S·穆克什 , D·S·格兰特 , P·罗伊乔杜里 , 谢瑞龙 , 崔起植

IPC: H01L21/768 , H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括包含多个源极/漏极外延的晶体管。所述半导体器件还包括所述晶体管下方的至少一个背侧功率轨。所述半导体器件还包括位于多个源极/漏极外延和至少一个功率轨之间的背侧层间电介质(ILD)。所述半导体器件还包括将第一源极/漏极外延连接到所述至少一个背侧功率轨的第一背侧接触。所述半导体器件还包括形成在其它源极/漏极外延下面的一个或多个接触占位物。

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