公开(公告)号：CN119998882A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380069219.4

申请日：2023-05-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈希米 ,  C·萨弗兰斯基

IPC: G11C11/16

Abstract: 一种磁性随机存取存储器（MRAM）设备包括：磁性隧道结（MTJ）堆叠；自旋轨道转矩（SOT）层，其位于MTJ堆叠下方；以及电介质柱，其位于SOT层和MTJ堆叠下方。SOT层具有台阶形轮廓。

公开(公告)号：CN116368953A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202180071119.6

申请日：2021-10-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·萨弗兰斯基 ,  孙赞红

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10

Abstract: 一种磁性存储器件，包括磁性隧道结(MTJ)柱，该磁性隧道结(MTJ)柱包含稳定谐振合成反铁磁(SAF)参考分层结构(10)，其中该SAF参考分层结构(10)的极化磁性层(20)的铁磁谐振特性基本上与该SAF参考分层结构(10)内的至少第一磁性参考层(16)匹配。通过使极化磁性层(20)的铁磁谐振特性与至少第一磁性参考层(16)基本匹配，提供了MTJ柱，在该MTJ柱中，极化磁性层(20)的动态稳定性可以提高，并且与写入错误相关的不期望的磁性参考层(16)不稳定性可以减轻。