公开(公告)号：CN103515458B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310260001.5

申请日：2013-06-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·S·帕帕拉奥 ,  K·C·费希尔 ,  H·J·霍维尔 ,  黄强 ,  S·黄 ,  Y-H·金

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在包括p-n结的半导体衬底的前表面上形成第一防反射涂层(ARC)层和钛层的堆叠，并且随后图案化该堆叠，从而在半导体衬底的前表面的金属接触区域中物理地暴露半导体表面。通过氧化将钛层的其余部分转换成二氧化钛层。在金属接触区域上镀制金属层，并且随后在金属层或者从金属层获得的金属半导体合金上镀制铜线。在二氧化钛层和铜线上沉积第二ARC层，并且随后图案化第二ARC层以提供与铜线的电接触。

公开(公告)号：CN103515458A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310260001.5

申请日：2013-06-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·S·帕帕拉奥 ,  K·C·费希尔 ,  H·J·霍维尔 ,  黄强 ,  S·黄 ,  Y-H·金

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18

Abstract: 在包括p-n结的半导体衬底的前表面上形成第一防反射涂层(ARC)层和钛层的堆叠，并且随后图案化该堆叠，从而在半导体衬底的前表面的金属接触区域中物理地暴露半导体表面。通过氧化将钛层的其余部分转换成二氧化钛层。在金属接触区域上镀制金属层，并且随后在金属层或者从金属层获得的金属半导体合金上镀制铜线。在二氧化钛层和铜线上沉积第二ARC层，并且随后图案化第二ARC层以提供与铜线的电接触。