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公开(公告)号：CN100578357C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN02829997.3
申请日：2002-12-05
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0392
Abstract: 一种抗蚀剂组合物，其具有酸敏性成像聚合物和辐射敏感性产酸剂组分，该辐射敏感性产酸剂组分包括：(i)第一辐射敏感性产酸剂，其选自抑制溶解的产酸剂，和(ii)第二辐射敏感性产酸剂，其选自不受保护的酸基官能化产酸剂和受酸不稳定基团保护的酸基官能化辐射敏感性产酸剂；这种组合物能够形成适用于EPL、EUV、软X射线和其他能量强度低的平版印刷成像领域的高灵敏性抗蚀剂。这些抗蚀剂组合物还可用在其他平版印刷方法中。
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公开(公告)号：CN1782876A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510115296.2
申请日：2005-11-11
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F7/0397 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F220/28 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/126
Abstract: 本发明公开了一种包含一种聚合物的光刻胶组合物，该聚合物包括至少一种具有下列结构的单体：其中，R1选自氢(H)、具有1～20个碳原子的线形、支化或环状烷基、半氟化或全氟化的具有1～20个碳原子的线形、支化或环状烷基、以及CN；R2为具有5个或更多个碳原子的脂环基团；X为选自亚甲基、醚、酯、酰胺和碳酸酯的连接部分；R3为具有1个或多个碳原子的线形或支化亚烷基或者半氟化或全氟化的线形或支化亚烷基；R4选自氢(H)、甲基(CH3)、三氟甲基(CF3)、二氟甲基(CHF2)、氟代甲基(CH2F)、以及半氟化或全氟化的脂族基团；R5选自三氟甲基(CF3)、二氟甲基(CHF2)、氟代甲基(CH2F)、以及半氟化或全氟化的取代或未取代的脂族基团；n为1或更大的整数；OR12为OH或者选自叔烷基碳酸酯、叔烷基酯、叔烷基醚、缩醛和缩酮的至少一种酸不稳定基团。本发明还公开了一种在衬底上形成图案的方法，其中该方法包括：将上述光刻胶组合物施于衬底上以形成膜；将该膜曝露在成像辐射源下形成图案；和对该膜区域进行显影以形成图案化衬底。
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公开(公告)号：CN1507579A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN01823240.X
申请日：2001-12-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 李文杰 , 普什卡拉·R·瓦拉纳西
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 酸催化的正抗蚀剂组合物，其可以用193nm的辐射和/或其它的辐射成像，并且可以显影，以形成具有改良显影特征和改良抗蚀刻性的抗蚀剂结构，这种改良的显影特征和改良的抗蚀刻性是利用包含具有2－氰基丙烯酸单体的成像聚合物的抗蚀剂组合物实现的。
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公开(公告)号：CN100432837C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN02812555.X
申请日：2002-06-06
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 李文杰 , 普什卡拉·R·瓦拉纳西 , 陈光军
IPC: G03F7/004 , G03C5/00 , C07C381/00 , C07C315/00 , C07C331/00
Abstract: 具有任一下述通式的含噻吩的光酸生成剂，其中，R1、R2或R3中至少有一个是噻吩或被烷基、烷氧基或环烷基取代的噻吩，不含噻吩部分的其余R1、R2或R3独立地选自烷基、环烷基和芳基，或者R1、R2或R3中至少有一个结合在一起形成具有约4至约8个环碳原子的环状部分；Y是抗衡离子，本发明还公开了该光酸生成剂在化学放大的抗蚀剂组合物中的应用。
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公开(公告)号：CN1280671C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN01823240.X
申请日：2001-12-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 李文杰 , 普什卡拉·R·瓦拉纳西
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 酸催化的正抗蚀剂组合物，其可以用193nm的辐射和/或其它的辐射成像，并且可以显影，以形成具有改良显影特征和改良抗蚀刻性的抗蚀剂结构，这种改良的显影特征和改良的抗蚀刻性是利用包含具有2-氰基丙烯酸单体的成像聚合物的抗蚀剂组合物实现的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1846169A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480025489.2
申请日：2004-06-02
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: C09D133/14 , C08F214/18 , C08F220/28 , C08F220/38 , C08K5/0025 , C09D133/16 , C09D145/00 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , Y10S430/107 , Y10S430/108 , Y10S430/128
Abstract: 公开了一种负性抗蚀剂组合物，其中抗蚀剂组合物包括一种含有至少一种具有右面两种通式之一的氟氨磺酰单体单元的聚合物：其中：M是可聚合的骨架部分；Z是选自－C(O)O－，－C(O)－，－OC(O)－，－O－C(O)－C(O)－O－或烷基的连接部分；P是0或1；R1是线性的或支化的1－20个碳原子的烷基；R2是氢、氟、线性的或支化的1－6个碳原子的烷基、或半氟或全氟化的线性的或支化的1－6个碳原子的烷基；n是1－6的一个整数。还公开了一种在衬底上形成图案化材料层的方法，其中该方法包括：将含氟氨磺酰的抗蚀剂组合物施于衬底上以在材料层上形成一个抗蚀剂层；将抗蚀剂层图案方式曝光于成像辐射；除去未曝光于成像辐射的抗蚀剂层部分以在相应于图案的抗蚀剂层中产生间隔；和除去抗蚀剂层中形成的间隔中的材料层部分，从而形成图案化材料层。
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公开(公告)号：CN1783453A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510116935.7
申请日：2005-10-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/76808 , C09K13/08 , H01L21/31144
Abstract: 在利用低k层间介质的集成电路的后段，用包括环状烯烃聚合物的平坦化材料和溶剂填充蚀刻的结构；在所述平坦化层上的光敏层中限定将要蚀刻的下一个图形；在所述介质中蚀刻所述图形，并且在不损伤所述层间介质的湿法工艺中剥离所述平坦化材料。
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公开(公告)号：CN101427181B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200780014095.0
申请日：2007-04-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03C1/00
CPC classification number: G03F7/091 , C08F220/28 , C08F222/40 , C08F232/08 , Y10S430/151
Abstract: 本发明公开了一种用于在衬底表面和正性光刻胶组合物之间施用的抗反射涂料组合物。该抗反射涂料组合物可在含水碱性显影液中显影。该抗反射涂料组合物包含聚合物，该聚合物包含至少一种含选自内酯、马来酰亚胺和N-烷基马来酰亚胺的一个或多个结构部分的单体单元和至少一种含一个或多个吸收性结构部分的单体单元。该聚合物不包含酸不稳定基团。本发明还公开了一种通过在光刻中使用本发明抗反射涂料组合物形成并转印浮雕图像的方法。
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公开(公告)号：CN1836191A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN02829997.3
申请日：2002-12-05
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0392
Abstract: 一种抗蚀剂组合物，其具有酸敏性成像聚合物和辐射敏感性产酸剂组分，该辐射敏感性产酸剂组分包括：(i)第一辐射敏感性产酸剂，其选自抑制溶解的产酸剂，和(ii)第二辐射敏感性产酸剂，其选自不受保护的酸基官能化产酸剂和受酸不稳定基团保护的酸基官能化辐射敏感性产酸剂；这种组合物能够形成适用于EPL、EUV、软X射线和其他能量强度低的平版印刷成像领域的高灵敏性抗蚀剂。这些抗蚀剂组合物还可用在其他平版印刷方法中。
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公开(公告)号：CN1518684A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN02812555.X
申请日：2002-06-06
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 李文杰 , 普什卡拉·R·瓦拉纳西 , 陈光军
IPC: G03F7/004 , G03C5/00 , C07C381/00 , C07C315/00 , C07C331/00
CPC classification number: C07C381/00 , C07C2603/74 , C07D333/34 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , Y10S430/122
Abstract: 具有任一下述通式的含噻吩的光酸生成剂，其中，R1、R2或R3中至少有一个是噻吩或被烷基、烷氧基或环烷基取代的噻吩，不含噻吩部分的其余R1、R2或R3独立地选自烷基、环烷基和芳基，或者R1、R2或R3中至少有一个结合在一起形成具有约4至约8个环碳原子的环状部分；Y是抗衡离子，本发明还公开了该光酸生成剂在化学放大的抗蚀剂组合物中的应用。
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