公开(公告)号：CN114207794A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080056584.8

申请日：2020-08-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C.朴 ,  N.A.兰齐洛 ,  C.佩尼 ,  L.克莱文格 ,  B.普拉纳塔西哈兰

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 一种互连结构(100)包括层间电介质(ILD)(112)，该层间电介质具有沿第一方向延伸穿过其中的空腔(122)。第一导电带(110)形成在衬底(102)上和空腔(122)内。第一导电带(110)沿第一方向并跨衬底(102)的上表面延伸。第二导电带(118)在所述ILD的上表面上并且沿与所述第一方向相反的第二方向延伸。完全对准的通孔(FAV)(124)在第一和第二导电带(110,118)之间延伸，使得FAV(124)的所有侧与第一导电带(110)的相对侧和第二导电带(118)的相对侧共面，由此提供与第一导电带(110)和第二导电带(118)完全对准的FAV。

公开(公告)号：CN113661562A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202080027600.0

申请日：2020-03-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈学忠 ,  徐永安 ,  Y.米格诺特 ,  J.凯利 ,  L.克莱文格

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种方法和半导体器件。芯轴形成在基板上，芯轴包括第一金属层。在衬底上形成与第一金属层相邻的第二金属层，第一金属层和第二金属层由间隔体材料隔开。

公开(公告)号：CN112514062B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN201980048351.0

申请日：2019-07-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J.鲁宾 ,  L.克莱文格 ,  C.L.阿尔文

IPC: H01L23/538 ,  H10D80/30 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了多芯片封装结构和用于构造多芯片封装结构的方法，其利用芯片互连桥器件，该芯片互连桥器件被设计为在封装结构中的相邻芯片(或裸片)之间提供高互连密度，以及通过所述芯片互连桥器件提供垂直电源分布迹线，以从封装衬底向连接到所述芯片互连桥器件的所述芯片供应电源(和接地)连接。

公开(公告)号：CN112514062A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980048351.0

申请日：2019-07-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J.鲁宾 ,  L.克莱文格 ,  C.L.阿尔文

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/065

Abstract: 提供了多芯片封装结构和用于构造多芯片封装结构的方法，其利用芯片互连桥器件，该芯片互连桥器件被设计为在封装结构中的相邻芯片(或裸片)之间提供高互连密度，以及通过所述芯片互连桥器件提供垂直电源分布迹线，以从封装衬底向连接到所述芯片互连桥器件的所述芯片供应电源(和接地)连接。