公开(公告)号：CN113661562A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202080027600.0

申请日：2020-03-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈学忠 ,  徐永安 ,  Y.米格诺特 ,  J.凯利 ,  L.克莱文格

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种方法和半导体器件。芯轴形成在基板上，芯轴包括第一金属层。在衬底上形成与第一金属层相邻的第二金属层，第一金属层和第二金属层由间隔体材料隔开。

公开(公告)号：CN111954920A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201980008379.1

申请日：2019-01-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 刘其俊 ,  杨振荣 ,  R.H.K.赵 ,  毕振兴 ,  K.施密特 ,  Y.米格诺特

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供了用于VFET栅极长度控制的技术。在一个方面，一种形成VFET器件的方法包括：在衬底中图案化鳍片；缘着所述鳍片的相对侧壁形成第一聚合物隔离物；通过所述第一聚合物隔离物形成与所述鳍片偏置的第二聚合物隔离物；去除对所述第二聚合物隔离物有选择性的所述第一聚合物隔离物；使所述第二聚合物隔离物回流以闭合与所述鳍片的间隙；在所述第二聚合物隔离物上方形成覆层；去除所述第二聚合物隔离物；沿着暴露于所述底部隔离物和所述覆层之间的所述鳍片的相对侧壁形成栅极，其中所述栅极具有通过去除所述第二聚合物隔离物而设定的栅极长度Lg；在所述覆层上方形成所述顶部隔离物；在所述顶部隔离物上方形成顶部源极和漏极。还提供了VFET器件。